GMS发布MOSA兼容Thunderbolt™启用的Expansion™模块
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
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General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
湖南贝哲斯信息咨询有限公司发布《2026年电镀刀行业国际国内市场情况与发展前景分析报告》，内容涵盖电镀刀市场规模、价格及走势、增长趋势、主要企业营销情况和竞争格局分析。报告称2025年全球电镀刀市场规模为若干亿元人民币、中国电镀刀市场规模为若干亿元（原文未给出具体数值），并预计全球市场规模在预测期间将以一定年复合增长率增长、在2032年达到一定规模（具体数值在原文中缺失）。报告盘点的重点企业包括Thermocarbon、UKAM Industrial Superhard Tools、Taiwan Asahi Diamond Industrial、DISCO Corporation、WSS Precision Tools、Nanjing Sanchao Advanced Materials、ITI、Ceiba Technologies.、System Technology、Advanced Dicing Technologies (ADT)、Kulicke and Soffa Industries,、KINIK COMPANY、YMB，并包含2021年和2025年全球市场CR3、CR10及主要企业排名与市场占有率分析。细分类型为电镀硬刀和电镀软刀，下游应用领域包括光学玻璃、金属材料、半导体切割、陶瓷及其他；区域分析覆盖北美、欧洲、亚太等地区。报告另含2025-2031年全球及中国电镀刀行业销量、销售额及各产品类型价格预测（原文未提供具体预测数值）。本条为行业报告内容，非具体供需或价格事件。
德州仪器（TI）推出ADC34DSO75，一款3吉样本每秒（GSPS）的模数转换器（ADC），设计用于检测AI数据中心中的瞬态电源事件，支持纳秒级分辨率的连续、低功耗、基于事件的远程监测，并在2026年OCP全球峰会上与新高压电源管理和时钟解决方案一同展出。TI还推出LMI800PS，一款800V隔离热插拔控制器，集成了此前需五颗独立集成电路实现的功能，将隔离偏置电源与PMBus遥测整合于单一封装，使板面积减少超过60%，支持±400V和800V两种配电架构，具备5kVrms增强隔离和超过8mm的爬电距离。TI还重点介绍了基于体声波（BAW）的LMK6B振荡器，在625MHz下抖动为9.6fs，支持数据传输速率向3.2Tbps提升的高速网络系统。此外，TI将展示面向NVIDIA MGX AI工厂生态系统的800V直流电源解决方案，包括热插拔保护以及采用氮化镓（GaN）功率级的800V转12V和800V转6V DC/DC转换，并定于2026年10月15日在加利福尼亚州圣何塞的OCP全球峰会上进行关于800V数据中心DC/DC设计考量、拓扑比较与权衡的技术演讲。
2026年10月13日报道：微软与英特尔周一发布最新自研AI加速器，挑战英伟达。据Reuters，微软Maia 300采用多芯粒架构，核心计算芯粒使用台积电2nm（N2P）工艺，内存控制器与I/O功能采用3nm工艺；据Seoul Economic Daily，Maia 300搭载八颗HBM4堆栈，较Maia 200的六颗HBM3E增加，内存容量从216GB提升至288GB。微软称该架构提供36%更多计算FLOPs、2.5倍HBM带宽和14%更高的scale-up带宽。据Reuters，微软计划明年推出可能超过100万颗Maia 300加速器，每机柜容纳96颗芯片、功耗约167kW，并声称每兆瓦计算输出较领先GPU系统高约40%；据Seoul Economic Daily，每机柜HBM堆栈总数将从288增至768（2.7倍），为存储供应商带来潜在新增长机会。SK hynix被视为领先竞争者（曾为Maia 200唯一HBM3E供应商），三星凭借现已量产的36GB 12层HBM4也可能获得订单。英特尔方面，据Tom's Hardware，在OCP 2026上英特尔将基于Xe3P架构的原Crescent Island AI推理加速器正式命名为Intel GPU D-Series，公布FP8算力1.3 PFLOPS、内存带宽1.5TB/s的性能目标；据Wccftech，其弃用HBM而采用LPDDR5X（HBM日益昂贵且供应受限），支持最高480GB LPDDR5X（参考PCIe卡为160GB），定位为AI推理的成本高效方案；该350W加速器的制造工艺未公布。上述均为发布与计划状态，部署与订单尚未落地。
Navitas Semiconductor与Microchip Technology已开发出面向AI数据中心机柜电源系统的800V DC转6V DC参考设计，基于开放计算项目(OCP) 800 V DC架构。该设计结合Navitas GaNFast™氮化镓功率器件与Microchip数字电源控制及硬件安全技术。主功率级采用16颗NV6034器件（额定650V、17 mΩ导通电阻），以堆叠半桥配置工作，GaN FET采用DFN 8×8 mm双面散热封装。控制部分使用Microchip dsPIC33AK256MPS306系列数字信号控制器（200 MHz 32位处理器、双精度浮点单元、78 ps高分辨率PWM、高达40 MSPS的12位ADC）。该平台目标为满载、1 MHz开关频率下峰值效率高达96%，功率密度为2,100 W/in³；架构将传统的800V转50V与50V转6V两级转换合并为单一转换器，实现比手机薄约20%的低矮外形，旨在与GPU板紧密集成。安全方面集成Microchip TA100 CryptoAuthentication™器件，dsPIC33AK平台还支持CNSA Suite 2.0后量子密码算法相关的加密功能。参考平台将包含评估硬件、软件和设计文档，并将于2026年10月12日至15日在加州圣何塞举行的Microchip OCP活动上展示。
铠侠于2026年10月9日（星期五）发布了LD4系列固态硬盘，采用E1.L形态（318.75毫米长×38.4毫米高×9.5毫米厚），面向超大规模数据中心的高密度存储部署，容量最高达122.88TB。新盘采用成熟的BiCS8 3D QLC NAND，针对AI数据存储库和对象存储等读取密集型工作负载。该系列基于符合NVMe 2.0e规范的专有平台，采用单端口配置，并满足Open Compute Project数据中心NVMe SSD规范2.6的部分要求；虽然列出PCIe 5.0兼容性，但实际运行于PCIe 4.0 x4速度（每通道最高16 GT/s），单向理论最大带宽约7.88 GB/s。铠侠目前向特定客户提供15.36TB和30.72TB LD4样品，并已验证支持122.88TB盘的架构，但未透露此类盘何时上市，也未透露该系列何时进入量产；公司同样未披露顺序读写速度、随机读写IOPS、延迟、DWPD/TBW耐久度或功耗。这些盘将于10月中旬在圣何塞举行的OCP全球峰会上演示。原文未说明原因（属产品发布，无需归因）。
VONK 已推出 NEYA 3.0 氢能电力转换平台，这是其用于大规模氢电解的最新一代平台。该平台采用标准化架构，旨在提升电网互动、安装效率、系统集成和维护便利性。VONK 将在 2026 年 10 月 20 日至 22 日于汉堡的氢能技术世界博览会欧洲展（展位 5F32）公开展示 NEYA 3.0。
Siemens再次赞助由Wilson主导的关于行业（功能）验证现状的调查，Siemens验证首席科学家Harry Foster总结了报告要点。调查显示首次流片成功率出现显著变化：在至少十年间平均约30%的设计声称首次流片成功，而最新一次调查中该比例已降至5%。分析认为硅片改流（respin）成本高昂并可能错失市场窗口，Foster将首次流片成功率下降的背后因素归纳为5个主要原因，包括基于加速器的设计规模增长（AI/GPU与CPU集群设计中的一致性问题）、软件与硬件日益紧密耦合、验证语言组合的变化（SystemVerilog与C/C++、Python并驾齐驱，PSS快速增长）、以及固件/安全/安保相关改流显著增长；他并不认为验证语言组合是低成功率的原因，而更可能是验证团队应对复杂性的信号。
本文为技术综述，介绍工程（合成）金刚石在数据中心功率电子中的应用背景：AFCOM报告显示平均机架密度已达每机架27 kW，热瓶颈成为性能扩展的主要限制因素，数据中心运营商正向800 V DC母线架构迁移。金刚石导热率约2,200-2,400 W/m·K（同位素富集样品可达3,300 W/m·K），带隙5.5 eV，理论击穿电场约5–10 MV/cm，实验室肖特基二极管已接近8 MV/cm。Coherent Corp. 推出可键合金刚石热管理方案，可与硅、碳化硅、氮化镓直接键合，在最高100 mm²的芯片尺寸上将界面热阻降低最多99%。2026年6月，Element Six（De Beers集团旗下）与东京精密部件厂商Orbray宣布实现3英寸晶圆级单晶金刚石的可复现工艺，4英寸衬底已在开发中；Element Six还在俄勒冈州Gresham的CVD工厂为量产准备2英寸热键合晶圆。Diamond Foundry于2025年在西班牙特鲁希略开设商业化生产工厂并逐步提升产量。日本Ookuma Diamond Device在福岛县大熊町建成其所称的全球首座金刚石半导体工厂，计划量产面向核退役等用途的金刚石功率器件。Power Diamond Systems在SEMICON Japan 2025上首次公开验证封装金刚石半导体性能，展示高压高温用途的金刚石功率MOSFET，希望与潜在客户合作并在2030年代实现商用。Diamond Quanta在多晶金刚石中实现超过555 cm²/V·s的电子迁移率。文章指出，金刚石目前在数据中心主要作为GaN和SiC开关之上的散热使能材料，而非直接替代器件。
Critical Metals Corp批准3000万美元加速计划，推进格陵兰Tanbreez稀土项目，目标2028年Q4或2029年Q1首次出矿。资金将用于钻探、基础设施和工程设计以加快开发进程。
此为长期项目更新，对当前电子元件供应、价格及交易无直接影响。
II-VI董事会将CEO Chuck Mattera的合同延长至2030年8月。此举旨在确保公司长期战略的稳定执行。
高层人事续约属于公司治理范畴，对具体元器件供应、价格及库存无直接影响。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |