GMS发布MOSA兼容Thunderbolt™启用的Expansion™模块
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块,这是一系列雷电™ 使能的子系统。
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General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块,这是一系列雷电™ 使能的子系统。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET,采用8×8 mm双面散热(DSC)PQFN封装,型号为TP65H020G4PLSGBD,目前已向AI数据中心OEM和ODM送样,量产计划于2027年中。据瑞萨称,Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进,实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容(CGS、CGD)和输出电容(Coss);Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode,与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热,当前支持20-mΩ器件,未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装,DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%,高度约1 mm(对比TOLT的2.35 mm,表格中为2.3 mm),热阻抗低9%至10%(0.36 °C/W对比0.4 °C/W),四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中,DSC全负载效率提升0.14%,相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率;测试未使用液冷,下一步将进行液冷测试。DSC 8×8(含650-V GaN)应用于初级侧,每个模块仅承受约400 V,两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器(IBC)。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况,瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件,作为其800-V电源解决方案的一部分。
海光信息于10月19日发布2026年第三季度(2026年7月至2026年9月)报告:营业总收入58.56亿元,同比增长45.46%;归母净利润10.48亿元,同比增长37.9%;扣非净利润9.53亿元,同比增长31.12%;基本及稀释每股收益均为0.45元,同比增长36.36%;加权平均净资产收益率4.05%。年初至报告期末累计营业收入14954710229.13,同比增长57.58;累计归母净利润2846508812.66,同比增长45.12。第三季度研发投入18.2亿元,同比增长48.68%,占营业收入比例31.08%,同比提升0.68个百分点。年初至报告期末经营活动现金流净额为-2442780168.86,同比减少208.35%,原文说明主要原因为公司匹配市场销售规划加大备货规模、原材料采购支出同比显著增多。原文将业绩增长归因于人工智能产业快速发展、国产替代进程由政策驱动全面转向市场驱动带动国内高端芯片需求持续攀升,以及公司持续加大研发投入。海光信息主营应用于服务器、工作站等设备的高端处理器,产品包括海光通用处理器(CPU)和海光协处理器(DCU)。
SK hynix于10月19日宣布,将与商业银行共同出资2万亿韩元,支持韩国半导体材料、零部件和设备供应商。SK hynix CEO郭鲁正出席了在京畿道龙仁集群展示中心举行的出口供应链强化保证协议签署仪式,出席者还包括产业通商资源部长官金正宽、韩国贸易保险公社(K-SURE)、四大商业银行(KB国民银行、新韩银行、友利银行、韩亚银行)的代表以及主要供应商。协议旨在扩大国内供应商的借款额度、提供优惠利率并降低贷款相关保证费用;SK hynix和参与银行出资,K-SURE提供保证。入选供应商已收到首批保证证书,受益方名单未披露。据SK hynix称,供应商因缺乏在实际半导体制造环境中测试的机会,难以将新开发的技术和产品商业化。与会者还参观了龙仁半导体集群首座晶圆厂工地及Trinity Fab设施;Trinity Fab是由中央政府、地方当局和SK hynix在首座龙仁晶圆厂内联合开发的先进半导体设施,项目价值8700亿韩元,旨在强化国内材料、零部件和设备供应商的技术独立性并加速本地化。
Infineon 在 SEDEX 2026(于 2026 年 10 月 16 日在韩国首尔 COEX 举行)上推出其面向人形机器人手部的半导体解决方案,重点是微控制器(MCU)、功率半导体和触觉传感器,并展示了配备 MCU、氮化镓(GaN)功率半导体及功率/位置传感器的驱动板,可驱动最高 1.2 千瓦的电机,尺寸约 66 毫米。
10 月 19 日,RISC-V 中国峰会在深圳举行。阿里巴巴达摩院在峰会上发布车规增强处理器玄铁 E908A,成为首款同时达到 ASIL-B 和 ASIL-D 标准的 RISC-V CPU IP,其单点安全度量(SPFM)在业内首次超过 90%,为安全岛、域控、车载网关等场景提供实时计算底座。达摩院还首次发布面向自动驾驶和具身智能的处理器产品路线图,其中下一代 C950A 目标性能将达到现有 RISC-V 车规产品的 5 倍(此为目标,非已实现性能)。达摩院首席科学家孟建熠介绍,玄铁 C950 已成为高性能 RISC-V 技术演进的创新底座,在四类 Agentic 工作负载上的表现相比主流传统架构处理器提升 10% 以上;针对今年 8 月发布的 Qwen3.8-Flash-Next,推理速度达到 43token / 秒。另据行业机构预测,RISC-V 处理器年出货量正保持 50% 的高速增长,到 2030 年市场占有率将达到约 25%(为预测数据)。
一篇发布于Semiconductor Engineering的技术文章,主题为突破AI与HPC(高性能计算)SoC中的内存瓶颈,内容涉及针对RibbonFET与PowerVia工艺优化嵌入式内存IP。文章为技术背景内容,未报告任何价格变动、产能变化、政策事件或供需数据。
中国第三季度国内生产总值(GDP)同比增长4.5%,高于第二季度的4.3%,但低于第一季度的5%,结束了此前的回落趋势,但仍处于中国设定的2026年全年4.5%至5%经济增长目标区间的下限。文章指出,在全球人工智能数据中心建设带动下,芯片、服务器、计算设备及相关电子产品需求增长,为中国制造业出口提供新动力;中国海关数据显示,2026年9月中国出口额同比增长36.3%,半导体、数据处理设备等科技产品出口增长支撑贸易顺差扩大,全年贸易顺差有望超过2025年创下的约1.2万亿美元纪录。同时,国内消费需求不足、房地产市场持续低迷、民间投资承压仍是主要挑战;中国政府已于9月公布降低部分企业融资成本、向符合条件的购房者提供补贴等支持措施,政策效果仍待观察。
10月19日,国家统计局新闻发言人、国民经济综合统计司负责人王冠华在国新办新闻发布会上表示,前三季度“人工智能+”行动有力带动了新兴领域的投资和出口,原文将此归因于人工智能的应用拓展及“两新”政策支持。前三季度电子电路制造业、集成电路制造业、信息服务业投资分别增长了58.7%、14.2%和20.2%;在“两新”政策支持下,企业加快智能化改造,带动设备购置投资增长9.7%。出口方面,前三季度我国电子元件、电线电缆等产品的出口分别增长70%和25.3%。
长鑫存储技术(CXMT)预计将在2026年前九个月实现净利润人民币131亿至132.5亿元(约合195.8亿至198亿美元),扭转去年同期的亏损,原因是人工智能算力需求激增导致内存芯片短缺和价格上涨。
人工智能数据中心的扩建正在加剧全球对电力的争夺,云服务商日益将能否快速获得电力置于成本和脱碳考量之上。由于电网难以跟上计算增长的速度,各公司正在考虑采用现场发电、电池和直流系统以加快部署,同时兼顾排放管理和能效。原文未说明具体涉及的公司、元件或价格变化。
字节跳动旗下AI研究部门Seed已成立Alignment & Preparedness部门,并在北京、上海及加州圣何塞招聘10名研究人员,研究方向为先进模型安全、AI对齐及新兴风险。原文未说明除战略考量外的具体原因;该举措凸显随着竞争从模型能力、算力和产品应用扩展到治理与可靠的大规模部署,AI安全的重要性日益上升。
中信建投研报指出,2026年以来国内大储装机节奏偏慢,项目实际落地不及预期,与招标数据明显背离;其认为最核心原因是今年以来西北区域峰谷价差收窄,原因包括负荷增速下降、储能峰谷套利以及风电新增装机较多压制晚高峰电价;此外系统运行费上涨、各省容量电价落地进度偏慢、碳酸锂涨价、并网审批延迟等也影响了储能运行经济性,拖慢项目落地。中信建投下调2026年国内大储新增装机预测至230~250GWh,同增约21%~32%;并预计2027年随着碳酸锂降价、华北/东北/华南等区域需求增长及算力协同等新场景带动,国内储能仍有增长的动力和潜力。
美光正在为物理AI应用开发边缘推理内存(EIM),该内存通过将低功耗DRAM堆叠在逻辑芯片上以提高数据处理效率,预计将在2028年下半年实现量产。
加州大学伯克利分校、三星电子和英特尔的研究人员发表了题为“Nanoelectromechanically Gated Gain Cell eDRAM”的研究论文。论文摘要节选指出,存储墙以及静态随机存取存储器(SRAM)缩放放缓重新引发了对增益单元嵌入式动态随机存取存储器(gain-cell eDRAM)的兴趣;增益单元虽可提供高密度和能效,但其保留时间(retention)有限。该文属于研究发布,为背景信息,原文未提及价格、产能或商业化安排。
据Wccftech对英伟达Vera团队采访时披露(2026年10月19日报道),英伟达为其Vera CPU选择了单片式(monolithic)计算裸片,而非主要x86竞争对手所采用的chiplet架构;Vera还配备定制LPDDR5X内存子系统和英伟达第二代Scalable Coherent Fabric。原因方面,报道解释称与传统云端工作负载优先考虑高核心数和吞吐量不同,agentic AI需要强大的单线程性能、高内存带宽和低延迟,以快速执行顺序任务并保持GPU高利用率。单片式设计使CPU核心无需跨越chiplet之间边界即可通信,降低数据移动延迟。英伟达称Vera提供3.4 TB/s的双向(bisection)带宽,为其对比中领先的x86处理器的三倍;Vera性能为前代Grace的1.5倍;对于Python脚本和代码编译等顺序任务型agentic工作负载,公司宣称最高达领先x86处理器的2倍性能,几何平均基础上为1.6倍优势。Vera还引入Spatial Multithreading技术。英伟达最初主要将Grace CPU定位为GPU系统的主机处理器,但报道指出agentic AI和强化学习需求的增长促使其转向独立Vera CPU机架。另据中央社报道,英伟达个人计算高级副总裁Jeff Fisher在台湾接受采访时否认将停产旗舰GeForce RTX 5090显卡的传闻,称其不属实,并表示RTX 5090仍是英伟达将持续供应的关键产品;他承认供应紧张正影响整个全球行业而非仅英伟达,但称公司正尽一切可能将产品推向市场。TechPowerUp补充称,RTX 5090在其1,999美元的建议零售价(MSRP)附近仍难觅货,亚马逊和Newegg上的部分 listings 超过8,000美元。
原文为Critical Manufacturing联合创始人兼CEO Francisco Almada Lobo的访谈。公司2009年成立于葡萄牙波尔图,核心产品为以制造执行系统(MES)为核心的工业运营平台;自2018年起成为ASMPT的一部分。其最强应用领域为半导体后段与先进封装,且该领域需求增长最快。公司提到新产能正在美国、欧洲、印度和东南亚建设,并指出先进封装将前端复杂性带入后段。这是背景性访谈内容,原文未涉及任何元件价格变动、产能关停或政策事件。
据Jaykihn透露,Intel下代基于Nova Lake架构的Xeon E芯片将不采用混合架构,只包含一种核心类型,客户只能选全P核或全E核配置,不含低LPE功耗E核:全P核设计共五款型号,分别为4、6、8、12和16核;全E核设计四款,最高32核,另有4、8和16核版本。需要混合架构的边缘计算客户可购买常规Nova Lake-S桌面CPU。Nova Lake是Intel下一代桌面和移动平台,预计2027年Q1登陆,采用全新LGA1954插槽,命名采用酷睿Ultra 4000系列;桌面版采用混合架构,P核为Panther Cove,E核为Darkmont,单计算芯片版本最高28核心,三款BFC芯片配备最高144MB L3缓存对标AMD X3D;NPU算力此前泄露为73 TOPS,是Arrow Lake(13 TOPS)的5倍以上,超过Panther Lake的50 TOPS。文中指出,Xeon E放弃混合架构并非新策略,此前基于Raptor Lake架构的Bartlett Lake边缘计算芯片同样不含E核,但P核最高只有12核,桌面版只有8核;其原因据称为去掉E核后腾出空间塞入更多P核,边缘计算场景不需要E核处理后台轻负载线程,纯架构更符合边缘工作负载特征。
Kulicke & Soffa 财政第三季度 2026 年净收入为 3.304 亿美元,同比增长 123%,毛利率 47.8%,非GAAP每股收益 1.20 美元,超出预期。公司预计财政 2026 年第四季度收入约为 3.75 亿美元,截至 2026 年 10 月 3 日,因半导体、存储、汽车和工业市场需求增强。
英伟达在韩国推出RTX Spark AI笔记本电脑,销售自10月16日开始;最便宜的型号是微星Prestige N16,售价为579.9万韩元,英伟达将高价归因于内存成本上升。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |