GMS发布MOSA兼容Thunderbolt™启用的Expansion™模块
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
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General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
立昂微公告预计2026年前三季度归属于上市公司股东的净利润为1.74亿元左右，同比扭亏为盈；预计归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为1.33亿元左右，同比扭亏为盈。公司称半导体硅片板块盈利能力大幅改善，主要受益于产品结构升级、产销规模扩张及产品销售单价上涨等。上述数据为公司预计的业绩预告，并非已实现结果。
据行业消息人士10月19日消息，三星显示正在开发一款不使用精细金属掩膜版（FMM）的7英寸级OLED原型，并准备采用其自主的Micro Patterned OLED（MPO）技术制作工程样品（ES）。该项目自3月启动，并非针对特定客户，而是基于假设的客户需求按接近量产标准开发；初步目标为2026年底，若样品准备情况不足，开发可能延至2027年第一季度。MPO开发在2026年初之前实际处于搁置状态：2025年9月，三星显示在其忠清南道牙山A2产线安装了应用材料旗下AKT的5.5代四分之一尺寸垂直沉积设备以评估无FMM技术，但该技术据称与公司现有中小尺寸及大尺寸OLED面板开发路线图不符，商业化方向也不明确。在3月获得并分析了一块采用Visionox无FMM ViP技术的智能手表OLED面板后，开发获得动力——分析结果显示其器件特性与FMM技术相当，与此前认为ViP良率和器件性能明显较低的判断不同；行业消息人士称Visionox仍在努力确保足够良率，但三星显示内部认为良率提升是其强项并可实现大幅进步。MPO通过微观隔离结构和光刻形成RGB像素而不使用FMM，且据称在制造后移除隔离结构，与保留隔离结构的ViP和LG Display的FliPP不同；业界观察人士认为这些工艺顺序与最终结构差异或可避开涵盖Visionox ViP、LG Display FliPP及应用材料无FMM技术的专利。该工艺被认为尤其适合高分辨率OLED显示：更易实现更紧的像素间距、减少有机层损伤和精细工艺控制复杂度、降低材料消耗和制造步骤数，省去蚀刻步骤也有望简化制造并降低成本。消息人士称MPO的开发方向比中大型面板更适合高分辨率OLED显示，一旦7英寸级样品可用，即可评估MPO技术优势在实际产品尺寸上的实现程度。
QYResearch（北京恒州博智国际信息咨询有限公司）发布的《2026-2032全球与中国无源光纤网络分接头市场现状及未来发展趋势》报告称，2025年全球无源光纤网络分接头市场销售额达到0.8亿美元（80.4百万美元），2026年全球市场规模为84.95百万美元，预计2032年将达到1.23亿美元（123百万美元），2026-2032年预测期复合年增长率（CAGR）为6.3%，以上均为该机构的统计及预测数据，非已实现结果。报告覆盖产能、产量、销量、销售额、价格等指标，主要产品类别为单光纤分接头和双光纤分接头，主要应用领域为单模光纤、多模光纤及其他，报告调研企业名单包括Network Critical、Keysight、Garland Technology、Cubro、Approved Networks、M2 Optics、Gigamon、APCON、Profitap、Niagara Networks。原文未说明原因。
TrendForce最新报告《2027红外感测与光通讯市场趋势》显示，数据中心网络扩张带来的数据传输需求快速增长，提升了业界对基于VCSEL的近封装光学(NPO)技术的兴趣。该技术因低功耗、易于维护和成熟的供应链而受到青睐。Lumentum、古河电工、Coherent、博通、ams OSRAM和海思等六家领先光元件厂商正在该领域投入大量研发资源。
三安光电（Sanan Optoelectronics Co.）作为中国化合物半导体及LED芯片行业的主要厂商，正处于关键节点：一方面在股东层面面临严重的公司治理挑战，另一方面在下一代显示技术方面取得重大技术进展（文中提及Micro LED突破）。原文未说明治理问题的具体原因，也未说明相关技术进展的具体细节。
快科技10月19日消息，一加宣布一加Ace 7系列即将登场，官方称其为性能与产品力的跨代之作，一加中国区总裁李杰称其为史上最强Ace、升级巨大。官方海报显示，该系列最大变化是加入风冷散热技术，为一加首款支持主动散热的性能手机，通过微型风扇强制空气流动带走机身内部热量，并首发双路出风散热架构，一路压制芯片温度、另一路降低背板壳温。官方实测称，在《三角洲》高清+185帧模式下，一加Ace 7 Pro的平均帧率比竞品的骁龙8EE6机型更稳、机身温度更低。硬件上，一加Ace 7 Pro搭载高通骁龙8E5旗舰平台，该平台采用台积电3nm工艺，配备高通自研Oryon满血双超大核架构，并集成Adreno 840 GPU。新品已在各大平台上架并开启预约，用户可先行购买9.9元权益包（含OPPO Enco R5真无线蓝牙耳机、5年风扇保、2年电池保、1年进水保、1年后盖保等），新品将在10月下旬正式发布。
据DIGITIMES独家专访，蔡司半导体制造光学（SMO）总裁Christoph Hensche表示High-NA EUV已准备好进入量产，订单已排至2027年。报道指出，AI芯片需求激增延长了蔡司（EUV光刻光学关键供应商）的订单能见度，2026年和2027年的需求已经明确，蔡司及其他部分制造商未来数年的产能已被全部订满。
据SPIE Digital Library的技术分析，常规极紫外（EUV）光刻使用13.5纳米波长、通过反射光学系统配合定制光掩模，虽能以高产能打印极小特征，但每个新设计都需要昂贵的掩模组。无掩模EUV光刻提出不将图形存储在物理掩模上，而是使用可编程阵列或其他快速可寻址光学元件，将数字图形直接写入晶圆，从而避开电子束光刻串行逐点写入的速度瓶颈，缩短设计迭代周期并降低小批量生产的固定成本。文章指出该技术并非对EUV扫描仪或电子束工具的简单替代：EUV辐射被大多数材料强吸收，系统需在真空和专用反射光学下运行；可编程图形发生器需在EUV曝光下保持纳米级定位精度、控制热量与污染并避免缺陷；光刻胶在极小尺寸下的随机变异以及海量图形文件的实时处理也是挑战。首批成功应用可能是有选择性的，如快速原型、小批量先进器件、研究、掩模修复或特定关键层，而非全面取代大规模量产光刻。此内容为技术背景分析，不涉及具体厂商、产量、价格或订单数据。
Kulicke & Soffa 财政第三季度 2026 年净收入为 3.304 亿美元，同比增长 123%，毛利率 47.8%，非GAAP每股收益 1.20 美元，超出预期。公司预计财政 2026 年第四季度收入约为 3.75 亿美元，截至 2026 年 10 月 3 日，因半导体、存储、汽车和工业市场需求增强。
贝哲斯咨询发布的宽离子束技术市场研究报告（2026版）显示，2025年中国宽离子束技术市场规模达15.53亿元（人民币），全球宽离子束技术市场规模达53.3亿元。报告预测到2032年全球宽离子束技术市场容量将达78.52亿元，此为报告预测而非已实现结果。报告按种类将宽离子束技术细分为薄膜沉积、红外传感器、光学多层、多层膜沉积，按最终用途应用于光电子学、记忆体、电子产品、存储设备、半导体、感测器、光学、微机电系统等领域。报告列出的中国宽离子束技术市场主要企业包括Meyer Burger Technology AG、Plasma-Therm、Raith GmbH、Hitachi High-Technologies Corporation、Veeco Instruments、Oxford Instruments，并分析主要企业排行、市场占有率及经营概况。出版商为湖南贝哲斯信息咨询有限公司。原文未说明原因，本条为行业报告类背景信息，未涉及具体价格变动、产能调整或政策事件。
中国初创公司Langdao Silex展示开发出首款国产极紫外光刻(EUV)激光光源,逐步为中国的完整供应链自主铺路。该系统名为FlintNano LPP-OXXO,据报道EUV输出功率超过15 W,所用零部件约90%为国产或自主开发。该系统采用激光等离子体(LPP)技术,即用高功率激光产生等离子体并产生先进芯片制造所需的EUV辐射,与ASML使用的工艺类似。据Langdao Silex公布的规格,FlintNano系统采用1,000 W驱动激光器,重复频率介于1至20 kHz之间;转换效率超过2%,公司声称设备可连续运行超过100小时。据称原型机适合用于晶圆曝光测试,但仍需进一步调试。背景方面,在美国政府施压荷兰政府停止销售这些先进工具后,EUV光刻设备被禁止在中国销售;ASML从未向中国交付过任何一台EUV扫描仪,荷兰政府在美国压力下于2019年实施出口封锁,尚无任何一套系统部署,但ASML继续向中国客户出货DUV系统。更重要的是,开发光源只是构建完整EUV扫描仪的一部分,此类系统还需要极其精密的反射光学器件、复杂的晶圆定位机构以及众多子系统的复杂集成。
作者根据Texas Instruments的一份新闻稿介绍，该公司推出RES80A-Q1，这是一款50-MΩ精密电阻分压器，可用于高达2,000 V DC的极高电压，且已通过AEC-Q200汽车级无源元件认证，主要用途是高压EV电池包中为车辆电池管理系统（BMS）提供电压数据。该器件采用高性能模拟晶圆工艺和SiO2绝缘层封装，8引脚SOIC封装标称尺寸7.5 mm × 5.85 mm，高低压引脚间爬电和电气间隙至少8.5 mm；每个分压器的实测比值与标称值之差在±0.1%（最大）以内，规定温度范围和老化条件下的累积漂移仅±0.2%（最大），未经校准的RES80A-Q1的寿命容差保持在±0.3%（最大）范围内。文章背景性讨论了汽车（尤其是EV）对无源元件性能要求提升，以及该类标准目录器件可被非汽车设计采用，同时指出汽车复杂化带来的维修与供应链挑战；文中未包含任何价格变动、产能或供需数据。
据Tom's Hardware 2026年10月16日报道，中国初创公司Langdao Silex（2024年由清华大学气体放电等离子体实验室校友创立）在中国上海第26届中国国际工业博览会上展示了一台EUV光源原型，输出功率超过15W、90%零部件国产、并具备一定运行时间，但现场未点亮运行。其FlintNano LPP-OXXO系统采用激光等离子体(LPP)技术，配备1000W驱动激光器（工作频率1kHz–20kHz），转换效率超过2%，亮度达100 W/(mm²·sr)，可连续运行超过100小时，等离子体稳定性3% RMS、EUV输出功率稳定性5%；不过其输出仍不足以支撑高量产芯片生产，且公司未说明15W是在等离子体处还是中间焦点处测量。据TrendForce援引多方消息，该公司还需三到五年才能将该技术商业化。此外，其正在开发的高功率FlintMicro-LPP EUV光源已完成原理验证，但输出功率、转换效率和运行寿命均未披露。光源仅是EUV光刻机的一部分，完整EUV扫描仪还需收集/照明光学系统、多层膜反射镜、工件台/掩模台等进展。
Terafab 项目已获得 16.8 亿美元的一期资金（四期总额最高可达 119 亿美元）；其位于奥斯汀的研究晶圆厂正在每月处理几千片晶圆，迭代工艺配方、晶体管设计和封装变体，而格里姆斯县正在建设的产能晶圆厂目标是每月 10 万片晶圆起始量，首片硅预计在 2029 年交付，采用埃隆·马斯克所命名的英特尔 14A 工艺。站点和一期资金已获批准，研究晶圆厂正在施工，但尚未公开首片晶圆日期或所有权条款，且特斯拉和英特尔均未签订合约约束。文章认为，先进封装而非光刻将决定单屋顶概念是否盈利。
NVIDIA在SEMICON West 2026上由Nikola Nedovic介绍了Optics on Interposer（OOI）技术，该技术将光引擎从封装基板转移到中介层（interposer）上，据称可提高带宽密度并降低功耗。NVIDIA表示目前已存在一个原型。此为技术演示与原型阶段的信息，原文未说明量产时间表或其他落地条件。
据快科技10月16日报道，江苏海思半导体科技有限公司近日接连完成两台光刻机的出厂验收与发运，其中一台即将出口欧洲，这是该公司自2024年以来向境外市场交付的第17台光刻设备。10月12日，境外客户验收代表团到访HISIGK洁净车间，对一台全自动光刻机进行出厂前最终检验，按双方约定验收通过后设备立即启程发运，跨越八千公里抵达欧洲客户。10月13日，另一台面向8英寸晶圆的全自动掩模对准光刻机完成调试并装车发运，该设备采用SMIF天车上料系统，主要用于硅基Micro LED晶圆的图形化制程，正面对准精度优于正负0.5微米，可选配背面对准模块，对准精度优于正负2微米。该公司产品谱系覆盖1微米级接触式光刻机到350纳米及500纳米分辨率步进式投影光刻机，已在苏州相城与成都天府新区建立双生产基地，产品覆盖2至12英寸晶圆。原文未说明原因。
快科技10月16日消息，元太科技(E Ink)正式推出新一代彩色电子纸技术E Ink Kaleido 4。该面板延续低功耗、类纸阅读等核心优势，并提升彩色显示的色彩表现、亮度、对比度与动态显示能力。具体指标为：色域容积提升2倍至40K以上，白画面反射率提升15%，对比度提升50%；其采用全新Oxide TFT背板，支持更高驱动电压以提升画面刷新速率，并结合新算法支持18FPS视频播放，同时配备全新设计的前光系统。汉王科技率先基于该面板推出M10C二代彩墨办公本，其翻页、滑动速度提升27%，覆盖微蚀刻AG黑色钢化玻璃面板，搭配8192级压感无源数位笔，基于高通8核处理器，存储器组合为4GB+128GB。
SK海力士参加了2026年10月12日至15日在加州圣何塞举行的OCP全球峰会，展示了下一代内存解决方案并提出以内存为中心的AI时代服务器系统方向。展会现场，SK海力士公开了第二代CMM-DDR5（256GB，基于CXL 3.2），称与上一代相比带宽提高一倍以上（80GB/s）、能效提升约30%；并演示了CXL池化内存在AI代理服务、KV缓存共享等场景的效果。原文说明的背景是：随着AI处理的数据量爆炸式增长，数据瓶颈成为新的挑战。SK海力士还展示了HBM4/HBM4E/HBM3、HBF、服务器DDR5 RDIMM（256GB/128GB/96GB/64GB）及eSSD产品组合。文中另提及去年9月SK海力士与NAVER Cloud签署业务协议，以及PS1110 E3.S与PS1101 E3.S目前处于按序开发中。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
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| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |