GMS发布MOSA兼容Thunderbolt™启用的Expansion™模块
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
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General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
英特尔首席执行官陈立武近日在接受《日经亚洲》采访时，被问及中国能否在未来5至10年内赶上美国的芯片能力，他回应称“现在我认为，差距并没有那么大”；他未说明所指的芯片类型、制造节点、良率或成本，也未给出量化指标，原文亦说明该表态不能解读为中国已在先进制程上追平美国。他表示美中企业各有优势与短板，并提到地缘政治限制带来的敏感问题，但未将其归结为某一项政策或技术突破。报道背景包括：ASML此前确认其EUV系统销售已受限制，荷兰政府对部分先进浸没式DUV设备实施出口许可制度；上海朗道科技展示了FlintNano LPP-OXXO低功率激光诱导等离子体EUV光源原型，公司公布的参数为驱动激光功率1000瓦、工作频率1至20千赫兹、转换效率超过2%、EUV输出功率超过15瓦、可连续运行100小时以上、国产化率约90%，但这些为企业公布指标，未经独立验证，朗道称商业化仍需数年。同场采访中陈立武称英特尔重组已完成约八成，重建有竞争力的晶圆代工业务还需要多年，并以台积电用了10至20年成为全球领先代工企业为例。
据行业消息人士10月19日消息，三星显示正在开发一款不使用精细金属掩膜版（FMM）的7英寸级OLED原型，并准备采用其自主的Micro Patterned OLED（MPO）技术制作工程样品（ES）。该项目自3月启动，并非针对特定客户，而是基于假设的客户需求按接近量产标准开发；初步目标为2026年底，若样品准备情况不足，开发可能延至2027年第一季度。MPO开发在2026年初之前实际处于搁置状态：2025年9月，三星显示在其忠清南道牙山A2产线安装了应用材料旗下AKT的5.5代四分之一尺寸垂直沉积设备以评估无FMM技术，但该技术据称与公司现有中小尺寸及大尺寸OLED面板开发路线图不符，商业化方向也不明确。在3月获得并分析了一块采用Visionox无FMM ViP技术的智能手表OLED面板后，开发获得动力——分析结果显示其器件特性与FMM技术相当，与此前认为ViP良率和器件性能明显较低的判断不同；行业消息人士称Visionox仍在努力确保足够良率，但三星显示内部认为良率提升是其强项并可实现大幅进步。MPO通过微观隔离结构和光刻形成RGB像素而不使用FMM，且据称在制造后移除隔离结构，与保留隔离结构的ViP和LG Display的FliPP不同；业界观察人士认为这些工艺顺序与最终结构差异或可避开涵盖Visionox ViP、LG Display FliPP及应用材料无FMM技术的专利。该工艺被认为尤其适合高分辨率OLED显示：更易实现更紧的像素间距、减少有机层损伤和精细工艺控制复杂度、降低材料消耗和制造步骤数，省去蚀刻步骤也有望简化制造并降低成本。消息人士称MPO的开发方向比中大型面板更适合高分辨率OLED显示，一旦7英寸级样品可用，即可评估MPO技术优势在实际产品尺寸上的实现程度。
QYResearch发布《2026年全球PMN-PT单晶行业总体规模、主要企业国内外市场占有率及排名》报告。据该报告统计，2025年全球PMN-PT单晶市场销售额达到6.96亿元，预计2032年将达到11.49亿元，年复合增长率（CAGR）为7.5%（2026-2032）。报告称中国市场近几年变化较快，但正文给出的中国2025年市场规模、全球占比及2032年预测数值均为空白（％占位符），未提供具体数字。报告列出主要企业包括CTS、Ceracomp Co.、JFE Mineral、TRS Technologies、Sinoceramics、IBULE PHOTONICS、上海怡英新材料科技有限公司、合肥科晶；产品类型分为Type A、Type B；应用涵盖超声波探头、无损检测(NDT)探头、执行器和传感器及其他。报告提到2025年美国关税体系将给全球经济带来重大不确定性，并评估贸易壁垒升级与多国反制措施的影响；发展趋势方面提及5G、物联网需求带动晶体生长工艺优化、医疗成像/精密定位/声呐系统/高性能传感器等应用拓展、政策支持推动产能扩张，以及环保法规对含铅材料的严格要求增加研发和生产成本。原文未说明原因；以上市场规模数字均为报告的统计与预测，非已实现结果。
TrendForce最新报告《2027红外感测与光通讯市场趋势》显示，数据中心网络扩张带来的数据传输需求快速增长，提升了业界对基于VCSEL的近封装光学(NPO)技术的兴趣。该技术因低功耗、易于维护和成熟的供应链而受到青睐。Lumentum、古河电工、Coherent、博通、ams OSRAM和海思等六家领先光元件厂商正在该领域投入大量研发资源。
德国设备制造商Von Ardenne进入半导体行业，推出面向面板级封装的涂覆技术。该细分市场中竞争面板尺寸的选择仍未解决。其基于托盘的系统无需新平台即可处理不同基板尺寸，可能在全球制造商与客户权衡先进封装及玻璃基工艺标准之际降低设备风险。
快科技10月19日消息，在2026年OCP全球峰会上，英特尔分享其硅光子愿景并提出“金锤子”战略：宣称自己是唯一能够以300毫米磷化铟（InP）硅光子技术大规模服务整个行业的高量产晶圆厂，这些300毫米晶圆将承载面向高性能计算（HPC）和人工智能（AI）领域未来NPO与CPO功能所需的尖端硅材料。数据中心系统与解决方案副总裁尼克·杜贝称硅光子为下一代系统的“金锤子”，并表示关于硅光子成为行业标准的讨论已持续一段时间，英特尔及其团队正夜以继日地工作，力求在未来几年内将其变为现实——此为愿景与计划，尚未实现。原文给出的原因是：行业在传输距离、带宽密度和每比特能耗方面正触及极限，而硅光子能够同时解决这些问题。英特尔还表示拥有可构建可靠硅光子平台的集成工具（如集成激光器，可实现无需维护的集成光源），并将推动外部光源社区标准以提供美国晶圆厂制造的多波长光源；预计将显著降低所有数据传输的每比特能耗，估计光子学系统可使其降至每比特5皮焦耳以下；并认为硅光子将开辟一类新系统，在机架、节点和系统规模上实现更大灵活性与更好能效。上述均为英特尔的宣示与预期，不构成已实现的结果。
据《工商时报》援引机构投资人消息，谷歌TPU v9项目（由联发科参与）的初步tape-out可能因设计修改推迟至2027年1月，出货可能推迟至2028年第一季度；2026年11月的送样目标保持不变，生产版本tape-out预计在第二季度。报道称，谷歌TPU v9 Core A设计（代号Humufish）的修改使开发延迟约三周，影响联发科负责的Core B与I/O设计。另据TrendForce，该芯片预计采用英特尔的EMIB-T先进封装，基板良率仍是产能扩展与成本竞争力的关键挑战。据彭博援引消息人士，字节跳动接近达成协议采购联发科的数据中心芯片，有望成为继谷歌（Alphabet）之后联发科的第二个主要ASIC客户。台湾ASIC设计公司方面：GUC受云端客户CPU与ASIC项目支撑，9月营收达新台币71.45亿元，同比增长97.8%；Alchip因3nm AI加速器出货增加，9月营收达新台币99.79亿元，同比大增496%。Faraday已取得三星2nm工艺设计套件（PDK）以争取相关设计机会；据《工商时报》报道，三星4nm产能据称已被满载利用，促使部分AI ASIC客户评估其2nm节点。Faraday还完成了英特尔18A-P的设计环境搭建并开始提供设计服务，计划在2027年争取更多项目。《工商时报》援引机构投资人称，全球AI ASIC加速器出货量预计2027年达到1410万颗，同比增长约69%。
原文为Critical Manufacturing联合创始人兼CEO Francisco Almada Lobo的访谈。公司2009年成立于葡萄牙波尔图，核心产品为以制造执行系统(MES)为核心的工业运营平台；自2018年起成为ASMPT的一部分。其最强应用领域为半导体后段与先进封装，且该领域需求增长最快。公司提到新产能正在美国、欧洲、印度和东南亚建设，并指出先进封装将前端复杂性带入后段。这是背景性访谈内容，原文未涉及任何元件价格变动、产能关停或政策事件。
10月18日消息，据 Tweaktown 报道，一名韩国半导体工程师（X 平台账号 @TTHUEONE）指控，特斯拉在与三星签订芯片代工协议时试图争取极为优厚的条款：既要获取敏感的制造工艺信息、审计权限，同时还要求压低报价；该工程师还称特斯拉的 Terafab 项目从三星位于得州泰勒的工厂挖走了大量员工。特斯拉与三星均没有对该指控予以证实或否认，原文未说明原因的指控真实性尚无定论。报道称，争议核心的代工合同方面，特斯拉 AI5 芯片已在三星泰勒工厂试生产，目标在 2027 年实现量产，算力目标为 2000 至 2500 TOPS；马斯克称该芯片性能约为同级别英伟达芯片的三倍、成本仅为后者的十分之一，但这些数据尚未得到第三方独立验证；AI6 与 AI6.5 芯片预计将分别采用台积电和三星的 2 纳米工艺，内存容量降至 144GB。另据消息，三星已从韩国本土调派先进制程良率工程师前往泰勒工厂，为计划在 2027 年启动的 2 纳米芯片量产做准备。《Business Post》今年 3 月曾报道两座工厂地理位置邻近对三星构成结构性风险，彼时特斯拉已在为该项目招聘半导体研发工程师。
SEC于10月16日表示，将向一家全球半导体封装测试(OSAT)服务商运营的量产线供应其Semi-Scan Wafer在线X-ray检测系统，这是该设备自今年第一季度开发完成后获得的首个商用订单。首批设备预计近期交付，供应量预计将增加，单台价格约为20亿韩元。Semi-Scan Wafer面向晶圆级封装(WLP)产线，采用无损检测方式检测微凸点及内部键合结构缺陷，也可用于检测HBM堆叠工艺。SEC称将以首个商用订单为基础争取更多全球客户，并计划将HBM及先进封装检测设备发展为核心增长动力；公司还表示正在为同一客户扩充产线，并已完成增产供应的准备。
10月15日台积电发布三季度财报：营收1.49万亿新台币，同比增长51%，创历史新高；净利润7631亿新台币，同比增长68.7%，连续第六个季度创新高；营业利润8764亿新台币，环比增长14.3%，同比增长75%。毛利率从二季度的67.7%降至66.4%，在公司指引区间内但低于市场预期；原文将毛利率回落归因于2纳米新产线设备折旧处于最高阶段、良率仍在爬坡，叠加美国亚利桑那州和日本工厂运营效率较低、成本较高，以及夏季电费上涨。2纳米本季度开始大规模量产，占晶圆收入比重从3%升至8%，单片约三万美元；3纳米从30%升至33%；HPC类收入环比增长22%，手机业务环比增长10%。财报公布后台积电美股盘中一度跌5%，收盘跌2%。7月公司将全年资本开支从520-560亿美元上调至600-640亿美元，理由是AI订单多于预期；第四季度毛利率指引维持65%-67%。市场传闻台积电拟于2027年一季度对先进制程再涨价5%-10%（仅为传闻/计划，未证实）。高盛预计CoWoS封装产能到2027年扩至2025年的四倍；黄仁昭预计海外工厂今年摊薄整体毛利率近2个百分点，未来几年可能扩大到3-4个百分点。公司账上有4万亿新台币现金和有价证券。
湖南贝哲斯信息咨询有限公司发布的《芯片级封装设备市场分析报告-发展现状与行业趋势图（2026）》显示，2025年全球与中国芯片级封装设备市场规模分别为 亿元（人民币）与 亿元（原文该数值处为空缺），并预计全球市场规模在预测期将以 %的CAGR增长，2032年将达 亿元（增长率与规模数值在原文中亦为空缺）。报告将产品类型细分为半自动、自动，应用领域涵盖半导体行业、微机电系统(MEMS)、集成电路制造工艺及其他，列举的代表企业包括BeSemiconductor Industries、Hitachi High-Technologies、Advantest、DISCO、Shinkawa、Kulicke & Soffa Industries、TOWA Corporation、Cohu，并给出2021年和2025年前三大企业（CR3）与前五大企业（CR5）销售额份额占比。该内容为市场研究报告推广信息，不构成具体设备价格变动、产能变化或企业事件。
据快科技10月17日消息，博主数码闲聊站公布的数据显示，截至W41周，华为Mate 90系列激活销量约为43.6万台，位居国产旗舰第一名。该系列包含五款机型：Mate 90、Mate 90 Pro、Mate 90 Pro Max、Mate 90 Pro Max典藏版和Mate 90 RS非凡大师。硬件方面，Mate 90标准版搭载麒麟9030芯片，Mate 90 Pro搭载麒麟9035芯片，Mate 90 Pro的12GB内存版本搭载麒麟9050，16GB版本、典藏版及RS版搭载麒麟9050 Pro芯片；麒麟9050 Pro首次采用逻辑折叠技术，不依赖更先进光刻节点。Mate 90系列起售价为5999元。原文未说明该销量数据的进一步原因或影响。
Terafab 项目已获得 16.8 亿美元的一期资金（四期总额最高可达 119 亿美元）；其位于奥斯汀的研究晶圆厂正在每月处理几千片晶圆，迭代工艺配方、晶体管设计和封装变体，而格里姆斯县正在建设的产能晶圆厂目标是每月 10 万片晶圆起始量，首片硅预计在 2029 年交付，采用埃隆·马斯克所命名的英特尔 14A 工艺。站点和一期资金已获批准，研究晶圆厂正在施工，但尚未公开首片晶圆日期或所有权条款，且特斯拉和英特尔均未签订合约约束。文章认为，先进封装而非光刻将决定单屋顶概念是否盈利。
据Moore's Law Is Dead YouTube频道曝光的裸片照片，Intel即将推出的移动端"Nova Lake"系列芯片细节披露。其中"Nova Lake-HX"采用8+16+4核心配置（8个P-Core、16个E-Core、4个LPE-Core），总硅片尺寸为12x30毫米、合计360平方毫米，由六颗不同工艺节点的裸片组成：图形tile基于Intel 3-E节点，内含4个Xe GPU核心，面积约26平方毫米；21平方毫米的虚拟裸片用于封装结构完整性；72平方毫米的大裸片基于Intel 18A-P节点，承载4个LPE-Core并作为中央枢纽；另一颗58平方毫米的18A-P裸片作为外设控制tile；主计算tile由外部代工（TSMC N2P节点）承载8P+16E CPU核心配置，占最大面积104平方毫米；旁边还有85平方毫米的无源tile用于结构完整性和"Nova Lake-HX"芯片的预期运作。"Nova Lake-H"变体采用4+8+4配置（4个P-Core、8个E-Core、4个LPE-Core），封装明显更小，为12x23毫米、总面积276平方毫米；除主计算tile（TSMC N2P节点、4P+8E核心配置、55平方毫米）外，其余配置与HX相同，其相邻无源裸片仅45平方毫米，外设控制裸片、中央枢纽裸片和图形tile均采用Intel节点制造并与HX变体相同。
IBM 当地时间本月 14 日（IT之家 10 月 16 日报道）宣布，其计划在 2027 年第 1 季度发布适用于其 7A nanostack 尖端制程的早期研发 PDK（工艺设计套件），目前为计划状态。IBM 的 7A nanostack 在业内率先采用了不同于 FinFET 和 GAA FET 的 CFET 器件结构；欲在该制程上制造芯片必须先熟悉 CFET 实现的特征并适应其特性变化。该早期研发 PDK 将包含用于逻辑功能的示例标准单元库和一个示例 SRAM 设计，作为早期设计技术协同优化（DTCO）平台，并不会提供成熟商业 PDK 所包含的所有模型。电路设计人员可利用这份 PDK 研究布局和布线。IBM 在该 PDK 上的潜在合作方包括 Fabless 企业、EDA 供应商、设备供应商以及对技术开发感兴趣的研究机构。原文未说明原因。
ASM技术副总裁Glen Wilk在SEMICON West 2026期间于旧金山Moscone Center举行的CEO Summit面板会议上(当地时间10月14日)表示，传统微缩实际上已走到其使用寿命的尽头，材料将不再仅仅支持微缩，而是将驱动半导体创新。他解释，仅靠工艺微型化已无法满足人工智能对计算性能和能效的要求，并以晶体管栅极为例：作为栅介质使用超过50年的二氧化硅被氧化铪等高k材料取代，以降低栅极漏电流并改善晶体管性能；他还强调热管理领域需要材料创新。ASM的主要收入来源是ALD和外延设备；钼等新型互连金属也可用ALD沉积，GAA晶体管所需的硅和硅锗薄膜则用外延设备生长，因此新材料的引入对ASM构成收入增长机会。会议发言未涉及具体价格、产量或订单数据，原文未说明原因之外的额外背景。
台积电公布2026年第三季度创纪录的盈利，并预测第四季度收入将进一步增长15%，使全年美元收入增长率有望达到44%。供应链消息人士称，这次财报电话会传递了更重要的信息：台积电日益明确地宣示其在先进制程技术和制造规模上的领先地位所赋予的议价能力。
Whose chips are really inside the hottest new products? We open them up and show you, one part at a time.
All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |