GMS发布MOSA兼容Thunderbolt™启用的Expansion™模块
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
- Related manufacturers
- General Micro Systems (GMS)
- Impact score
- 60 / 100, medium impact
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
韩国爆料者Lanzuk近日称，三星Galaxy S27系列的主要硬件规划已接近敲定，发布时间可能落在明年1月、最迟不超过2月，但该消息未经三星确认，目前没有正式发布日期或发布会安排。作为对照，S24系列于1月中旬发布，S25系列于1月下旬亮相，S26系列延至今年2月下旬发布、3月开售。内存配置仍是规划中的变数：此前爆料称标准版S27和S27+可能继续使用LPDDR5X内存及UFS 4.x闪存，S27 Pro和S27 Ultra原计划升级至LPDDR6和UFS 5.0；最新说法称，随着内存成本高涨，三星也在考虑是否取消Pro和Ultra的升级以控制整机成本，若调整发生，高端机型最终配置和售价都可能受影响，目前两套方案都只是传闻。背景信息：LPDDR6标准已于2025年由JEDEC发布，数据速率为每引脚约10.6至14.4Gbps，高于LPDDR5X常见的8.5Gbps；三星今年公布的UFS 5.0方案标称顺序读取最高10.8GB/s、写入最高9.5GB/s，较UFS 4.1速度提升超过一倍、能效提高逾40%，并计划于今年第四季度开始量产，尚未确认哪些手机率先采用。另有传闻称S27 Ultra在高通下一代旗舰芯片前期测试中遇到发热问题，三星可能考虑重新采用Exynos 2700，但高通已否认相关芯片存在过热问题，处理器平台尚未定案。
10 月 19 日，RISC-V 中国峰会在深圳举行。阿里巴巴达摩院在峰会上发布车规增强处理器玄铁 E908A，成为首款同时达到 ASIL-B 和 ASIL-D 标准的 RISC-V CPU IP，其单点安全度量（SPFM）在业内首次超过 90%，为安全岛、域控、车载网关等场景提供实时计算底座。达摩院还首次发布面向自动驾驶和具身智能的处理器产品路线图，其中下一代 C950A 目标性能将达到现有 RISC-V 车规产品的 5 倍（此为目标，非已实现性能）。达摩院首席科学家孟建熠介绍，玄铁 C950 已成为高性能 RISC-V 技术演进的创新底座，在四类 Agentic 工作负载上的表现相比主流传统架构处理器提升 10% 以上；针对今年 8 月发布的 Qwen3.8-Flash-Next，推理速度达到 43token / 秒。另据行业机构预测，RISC-V 处理器年出货量正保持 50% 的高速增长，到 2030 年市场占有率将达到约 25%（为预测数据）。
一篇发布于Semiconductor Engineering的技术文章，主题为突破AI与HPC（高性能计算）SoC中的内存瓶颈，内容涉及针对RibbonFET与PowerVia工艺优化嵌入式内存IP。文章为技术背景内容，未报告任何价格变动、产能变化、政策事件或供需数据。
美光正在为物理AI应用开发边缘推理内存（EIM），该内存通过将低功耗DRAM堆叠在逻辑芯片上以提高数据处理效率，预计将在2028年下半年实现量产。
加州大学伯克利分校、三星电子和英特尔的研究人员发表了题为“Nanoelectromechanically Gated Gain Cell eDRAM”的研究论文。论文摘要节选指出，存储墙以及静态随机存取存储器（SRAM）缩放放缓重新引发了对增益单元嵌入式动态随机存取存储器（gain-cell eDRAM）的兴趣；增益单元虽可提供高密度和能效，但其保留时间（retention）有限。该文属于研究发布，为背景信息，原文未提及价格、产能或商业化安排。
原文为Critical Manufacturing联合创始人兼CEO Francisco Almada Lobo的访谈。公司2009年成立于葡萄牙波尔图，核心产品为以制造执行系统(MES)为核心的工业运营平台；自2018年起成为ASMPT的一部分。其最强应用领域为半导体后段与先进封装，且该领域需求增长最快。公司提到新产能正在美国、欧洲、印度和东南亚建设，并指出先进封装将前端复杂性带入后段。这是背景性访谈内容，原文未涉及任何元件价格变动、产能关停或政策事件。
Kulicke & Soffa 财政第三季度 2026 年净收入为 3.304 亿美元，同比增长 123%，毛利率 47.8%，非GAAP每股收益 1.20 美元，超出预期。公司预计财政 2026 年第四季度收入约为 3.75 亿美元，截至 2026 年 10 月 3 日，因半导体、存储、汽车和工业市场需求增强。
10月18日消息，京东上线苹果iPhone Duo'尊享权益套装'，定价20998元起，每晚20:00开抢，较裸机版加价4999元；套装内含本机15999元起、苹果40W充电器329元、摩可·肖特UTG钢化膜929元、1年京东全面保修服务1800元（含意外故障）、5年电池不限次换新服务999元（需电池健康低于80%）、90天全保换新服务1200元及复购补贴999元。另有加价7999元的'臻享权益套装'在售，较'尊享套装'主要增加999元官方壳和399元充电宝，同样每晚20:00开抢，支持24期免息。据了解，iPhone Duo为苹果史上定价最高的机型，国行256GB起售价15999元，顶配2TB版本售价26499元，首轮货源紧张直接拉高二级市场价格。该机提供星光白和夜空双色，内外屏均为120Hz（ProMotion），内屏7.6英寸采用屏下摄像头，外屏5.4英寸，搭载A20 Pro处理器、大尺寸VC均热板、C2基带芯片，全球版本均采用eSIM设计。
硬件爆料者KeplerL2近日在NeoGAF论坛称，索尼下一代PlayStation主机的RAM与NAND闪存成本合计已超过680美元；该数字仅来自论坛发言，没有公开成本拆分、供应商报价或计算方法，索尼也尚未公布PS6的硬件规格、售价或上市时间，属于未经证实的估算。此前流传的配置包括GDDR7统一内存、160位总线、30GB容量（传闻容量上限可能达40GB，较可能为30GB），数据传输速率可能达每引脚32Gb/s、对应理论带宽约640GB/s，均未获索尼确认。报道未给出NAND闪存容量，也未说明680美元中RAM与存储各自占比。TechPowerUp此前引用KeplerL2的另一估算称，PS6整机物料成本可能从今年3月的约760美元升至7月的约960美元，该整体成本同样没有公开明细；现阶段关于PS6最终售价超过1000美元的说法也只是市场推测。文中将成本压力归因于DRAM与NAND市场供应紧张，以及人工智能数据中心对内存和存储的需求挤压其他产品供应；若内存成本持续高企，索尼可能需要调整容量、硬件配置、补贴策略或上市节奏。
IT之家10月18日消息，比亚迪官方宣布旗下个性化品牌方程豹汽车60万台销量达成。据此前报道，2023年7月方程豹正式发布品牌LOGO，同年8月首款车型豹5登场，定位超级混动硬派SUV，采用DMO超级混动越野平台。今年9月底，比亚迪在2026年第一次临时股东会上披露，刚上市的方程S预订超预期，店端热闹，预计方程S月销可以破1万甚至1.5万辆（为预计目标，非已实现数据）。股东会上比亚迪还披露，公司计划未来在海外建6000座闪充站，并结合储能、太阳能业务打造生态链；公司表示不会只做组装厂，要掌握核心技术，在智能化下半场，半导体和软件甚至比电池更为重要。原文未说明60万台销量达成之外的具体原因。
据2026年10月18日IT早报报道，针对此前RTX 5090停产爆料和市场缺货猜测，英伟达高管明确辟谣，否认停产传闻，称该显卡仍是核心产品并将继续供货；同时英伟达承认当前供应链产能受限，正推动产品上市。原文未说明停产传闻的起因。
据快科技10月17日消息，广汽埃安全新车系Ray的首款车型Ray7当晚在北京国家速滑馆"冰丝带"正式开启预售，共推出5款车型，预售价12.88万至15.88万元。该车定位"大5米超级纯电轿车"，车身尺寸4960/1900/1455mm，轴距2920mm，全系800V平台，后置单电机最大功率180kW，电池由宁德时代提供并融合埃安弹匣电池2.0技术，提供45.58kWh和62.98kWh两种容量，CLTC续航分别为530km和702km。智能座舱搭载高通骁龙8295P座舱芯片，配24GB运存和128GB闪存；智驾采用与文远知行L4同源的端到端大模型，并搭载华为DriveONE多合一电驱、全球首发的华为EMB全电线控制动及华为iTRACK动态扭矩分配系统。原文未说明原因，文中提及预售价低于此前外界预期的15万级。该新闻属于整车产品发布背景信息，不构成半导体价格或供需变化的直接证据。
10月17日，DeepSeek发布V4.1 Flash-1017版大模型，其在SemiAnalysis AgentX基准测试中（GB300 NVL72及Dynamo vLLM平台）实现1美元1.3B Token的成绩，P90交互速度超过100 tok/s/user。相比Fable、Astra等大模型，每任务成本仅为其1/50-1/100，性价比至少高出四五十倍。该成绩基于V4.1 Flash-0910的TCO成本，而1017版通过大幅优化Token效率、减少Token消耗量，使消耗至少降低一半，进一步降低TCO成本。DeepSeek的强大AI优化能力是实现低成本的原因。
三星电子与SK海力士正在开发新存储技术以应对AI系统中日益增长的瓶颈。三星正在探索一种将高带宽内存（HBM）直接堆叠在图形处理器上方的设计（zHBM）；SK海力士则在推进高带宽闪存（HBF），以扩展AI推理的内存容量。以上均为开发/探索阶段的计划，原文未说明时间表或量产安排。
SK海力士于周五表示，已展示其下一代人工智能（AI）内存技术，旨在将AI基础设施的边界扩展到传统高带宽内存（HBM）之外；相关技术于当地时间周二至周四在美国加州举行的OCP全球峰会2026上发布。该公司展区分为两部分：前区为“存储展区”，展示旗舰产品；后区为规模更大的“系统演示区”，重点呈现支持下一代服务器生态系统的存储解决方案。高级副总裁Kim Ho-sik介绍了MARS（以存储为中心的AI机架级系统），这是一种解耦式机架级架构，旨在实现计算资源与存储资源的无缝协同；并重点介绍了高带宽闪存（HBF）取得的进展。该公司还发布了基于Compute Express Link（CXL）3.2标准的第二代256GB存储产品，与上一代产品相比带宽提升至两倍以上，能效提高约30%。
据快科技10月16日消息，在俄罗斯索契举办的Microelectronics 26（ME26）微电子论坛上，俄罗斯本土芯片厂商集体亮相，以运行游戏的方式演示产品（该论坛为展会演示事件，原文未涉及价格或产量数据）。其中，一台仿初代任天堂红白机（NES）外观、名为Ushka的小主机采用Baikal Electronics的BE-U1000微控制器；经拆解确认，BE-U1000内含三颗CloudBear核心，走32位RISC-V架构，即两颗主频200MHz的BR-350加一颗主频100MHz的BM-310，配有256KB闪存和192KB SRAM，外设接口含USB 2.0、I2C、I2S、UART和48条GPIO，封装为10×10毫米QFN-88。真正运行初代《超级马里奥》的是MCST的Elvis Hypercom-U SoC，其拥有四个主频最高1.2GHz的Arm Cortex-A53核心，配双核ELcore-50 DSP和PowerVR GE8300图形处理器，最多可搭8GB LPDDR4内存，支持USB 3.0、千兆以太网、Wi-Fi、蓝牙和HDMI输出。展会上还摆出几台MCST的Elbrus架构整机，但拍照者未说明具体型号，从线索推断可能是Elbrus-16S（16核、主频最高2GHz、最多8通道DDR4-3200、16纳米工艺、120亿晶体管、双路服务器原型内存最高2TB），此为推断而非确认。另有面向迷你主机和笔记本的Elbrus-2S3，同样16纳米、主频最高2GHz、算力196 GFLOPS、支持DDR4-3200和PCIe 3.0，其MP21小板整机功耗可达40W。文中还提到，几年前俄罗斯政府曾下令研发高端游戏主机，但此次展台上未见成果现身。
SK海力士参加了2026年10月12日至15日在加州圣何塞举行的OCP全球峰会，展示了下一代内存解决方案并提出以内存为中心的AI时代服务器系统方向。展会现场，SK海力士公开了第二代CMM-DDR5（256GB，基于CXL 3.2），称与上一代相比带宽提高一倍以上（80GB/s）、能效提升约30%；并演示了CXL池化内存在AI代理服务、KV缓存共享等场景的效果。原文说明的背景是：随着AI处理的数据量爆炸式增长，数据瓶颈成为新的挑战。SK海力士还展示了HBM4/HBM4E/HBM3、HBF、服务器DDR5 RDIMM（256GB/128GB/96GB/64GB）及eSSD产品组合。文中另提及去年9月SK海力士与NAVER Cloud签署业务协议，以及PS1110 E3.S与PS1101 E3.S目前处于按序开发中。
中国的杨江存储技术（YMTC）正在开发下一代 4F² DRAM 设计，目标数据传输速率为 9,600 MT/s，扩展 beyond NAND flash，并追求约 330 亿元人民币（约 49.3 亿美元）上海首次公开发行。
Whose chips are really inside the hottest new products? We open them up and show you, one part at a time.
All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |