Hanmi Semiconductor在美国硅谷设立子公司以支持AI封装客户
Hanmi Semiconductor已在美国硅谷设立一家美国子公司。原文说明其目的是抓住美国AI芯片生产扩张所带动的先进半导体封装设备需求增长。原文未给出具体时间、投资金额或产能细节。
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Hanmi Semiconductor已在美国硅谷设立一家美国子公司。原文说明其目的是抓住美国AI芯片生产扩张所带动的先进半导体封装设备需求增长。原文未给出具体时间、投资金额或产能细节。
ChipAgents（位于圣克拉拉）宣布将其代理式AI平台扩展至数字与模拟半导体工程，推出IC-Star引擎，旨在通过可规划任务、操作工程工具并评估结果的统一系统连接碎片化的设计流程，工程师保留对需求、关键决策和最终签核的控制。据该公司称，此扩展针对的错配是：AI模型在数月内演进，而芯片开发可能需要12至18个月或更长时间，仅靠更快的代码生成无法弥合这一差距。数字能力涵盖规格分析、架构探索、RTL设计、验证、调试、覆盖率收敛以及功耗、性能和面积优化；模拟能力包括拓扑与原理图设计、仿真、行为建模、版图生成和物理验证。公司报告了超过200家半导体企业部署，并援引客户结果：Andes Technology将一个处理器验证流程从两到三个月缩短至约三周，并将一个处理器定制项目减少30%；eMemory报告数据表分析和验证测试平台构建的工程工作量减少约80%，测试模式增加18%，功能覆盖率提升5%；WhaleChip将根因分析从数天缩短至每轮约15至60分钟，并发现四个关键缺陷。这些数字均为公司自报示例，新闻稿未提供独立评估或足够的方法细节以说明结果的适用范围；公告未确立端到端的自主芯片开发。公司称该平台可与现有EDA基础设施配合使用并支持本地部署学习。一场定于10月29日的技术网络研讨会将提供进一步考察的机会。
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
韩国爆料者Lanzuk近日称，三星Galaxy S27系列的主要硬件规划已接近敲定，发布时间可能落在明年1月、最迟不超过2月，但该消息未经三星确认，目前没有正式发布日期或发布会安排。作为对照，S24系列于1月中旬发布，S25系列于1月下旬亮相，S26系列延至今年2月下旬发布、3月开售。内存配置仍是规划中的变数：此前爆料称标准版S27和S27+可能继续使用LPDDR5X内存及UFS 4.x闪存，S27 Pro和S27 Ultra原计划升级至LPDDR6和UFS 5.0；最新说法称，随着内存成本高涨，三星也在考虑是否取消Pro和Ultra的升级以控制整机成本，若调整发生，高端机型最终配置和售价都可能受影响，目前两套方案都只是传闻。背景信息：LPDDR6标准已于2025年由JEDEC发布，数据速率为每引脚约10.6至14.4Gbps，高于LPDDR5X常见的8.5Gbps；三星今年公布的UFS 5.0方案标称顺序读取最高10.8GB/s、写入最高9.5GB/s，较UFS 4.1速度提升超过一倍、能效提高逾40%，并计划于今年第四季度开始量产，尚未确认哪些手机率先采用。另有传闻称S27 Ultra在高通下一代旗舰芯片前期测试中遇到发热问题，三星可能考虑重新采用Exynos 2700，但高通已否认相关芯片存在过热问题，处理器平台尚未定案。
据泄露消息（来源为知名爆料者Jaykihn），英特尔正准备推出基于Nova Lake硅片的Xeon E系列处理器，将仅有两种版本：仅大核P-Core或仅能效核E-Core的SKU，不会提供同时包含P-Core与E-Core的混合SKU，混合设计将保留给常规的Nova Lake-S桌面处理器。P-Core only产品线据报将包含5种配置，分别为4、6、8、12和16个P-Core；E-Core产品线稍小，包含4种SKU，分别为4、8、16和32个E-Core；在产品线顶端，买家可在16 P-Core设计与32 E-Core配置之间选择。新Xeon E设计将采用W980芯片组平台，支持原生DDR5 ECC内存、最多48条PCIe通道（其中12条PCIe 5.0与12条PCIe 4.0来自芯片组）、Intel vPro技术；DMI 5.0 x4使DMI芯片组总线带宽达每方向128 Gbps；CPU提供两个40 Gbps的USB4或Thunderbolt 4端口；来自处理器的PCIe 5.0 x16 PEG插槽可借助lane switch分割为x8/x8等组合；两个CPU直连M.2 NVMe插槽均可配置为Gen 5。该消息为泄露信息，属计划中的产品路线图，原文未说明原因，无价格或供应数据。
快科技10月19日消息，微软13英寸Surface Laptop与12英寸Surface Pro近日在电商平台及官方商城开启预售，两款新品均换装高通骁龙X2 Plus平台，预售定金100元。骁龙X2 Plus采用第三代Qualcomm Oryon CPU与台积电3nm工艺，集成Hexagon NPU，AI算力达80 TOPS，显卡部分为高通Adreno；两款Surface均延续无风扇设计，微软公布的数据显示电池续航提升18%，图形速度提升超过60%，设备内AI性能提升95%。价格方面，12英寸Surface Pro电商渠道仅有16GB+512GB一个配置，售价8488元；13英寸Surface Laptop提供16GB+256GB（9788元）和16GB+512GB（10588元）两个配置；24GB+512GB大内存版本仅在微软官方商城自营销售，12英寸Surface Pro售价11588元、13英寸Surface Laptop售价12188元，与电商渠道同容量版本存在1300元至1600元价差。此外，产品页与规格表在处理器标注上存在并列口径：13英寸Surface Laptop规格表写的是骁龙X Plus（6核心），而12英寸Surface Pro才标注骁龙X2 Plus（6核心），官方未给出统一说明。
立昂微公告预计2026年前三季度归属于上市公司股东的净利润为1.74亿元左右，同比扭亏为盈；预计归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为1.33亿元左右，同比扭亏为盈。公司称半导体硅片板块盈利能力大幅改善，主要受益于产品结构升级、产销规模扩张及产品销售单价上涨等。上述数据为公司预计的业绩预告，并非已实现结果。
联想于10月19日在韩国推出搭载Nvidia RTX Spark的Yoga Pro 9n笔记本电脑。该款笔记本采用Arm架构CPU与Blackwell架构RTX GPU的SoC平台，支持最高128GB统一内存。起售价为674.9万韩元（64GB LPDDR5X版），预售价624万韩元。具备Lenovo X Power散热系统，TDP最高80W，噪音低至22分贝。配备15英寸OLED屏幕，峰值亮度1100尼特，刷新率165Hz，覆盖100%sRGB及DCI-P3色域。触控板为ForcePad提供触感反馈，支持第二代Yoga Pen（Wacom AES 3.0）。机身厚度16.7mm，重约1.65公斤，电池容量92.5Wh，支持USB4、杜比全景声四扬声器、三麦克风3D降噪、键盘特殊涂层、凹陷键帽及1.5mm键程。
显示贴合设备制造商Shindo Eng Lab于当地时间10月15日在旧金山SEMICON West 2026上公布了一种芯片封装架构，将图形处理器（GPU）与高带宽存储器（HBM）垂直堆叠，中间夹一层约200微米厚的玻璃陶瓷中介层。该架构中GPU位于中介层上方、HBM位于下方，两者通过中介层中的垂直导电通孔连接；液冷模块分别置于GPU上方和HBM下方以相反方向散热；电力由底部印刷电路板（PCB）经金属柱输送至中介层并分配给两颗芯片。原文指出，当前AI半导体封装采用将GPU与HBM并排放置在硅中介层上的2.5D架构，垂直堆叠会缩短芯片间距离，但带来热量集中和热胀冷缩导致翘曲等挑战；Shindo声称其可调整热膨胀特性的玻璃陶瓷中介层结合两侧冷却可缓解这些问题。形成垂直导电通孔的技术为透过玻璃陶瓷通孔（TGCV），公司于9月发布，该工艺在玻璃陶瓷基板上用光刻同时形成孔洞图案并以铜填充；Shindo最初将TGCV作为倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板中有机核心的潜在替代品提出。Shindo主要为显示面板与盖板玻璃贴合提供层压和真空贴合设备，此前无半导体基板业务经验。该公司已为该架构提交专利申请，并正与约10家公司进行技术讨论，已向其中部分公司提供样品；尚未披露其打算直接制造并销售中介层还是供应设备。Shindo一位官员表示，最终目标是实现以TGCV为基础技术、垂直集成GPU与HBM的3D架构，并计划将该结构提交给委外封测（OSAT）公司讨论潜在应用。该架构尚属提案阶段，未见量产或商业化实现。
Infineon 在 SEDEX 2026（于 2026 年 10 月 16 日在韩国首尔 COEX 举行）上推出其面向人形机器人手部的半导体解决方案，重点是微控制器（MCU）、功率半导体和触觉传感器，并展示了配备 MCU、氮化镓（GaN）功率半导体及功率/位置传感器的驱动板，可驱动最高 1.2 千瓦的电机，尺寸约 66 毫米。
QYResearch发布《2026年全球PMN-PT单晶行业总体规模、主要企业国内外市场占有率及排名》报告。据该报告统计，2025年全球PMN-PT单晶市场销售额达到6.96亿元，预计2032年将达到11.49亿元，年复合增长率（CAGR）为7.5%（2026-2032）。报告称中国市场近几年变化较快，但正文给出的中国2025年市场规模、全球占比及2032年预测数值均为空白（％占位符），未提供具体数字。报告列出主要企业包括CTS、Ceracomp Co.、JFE Mineral、TRS Technologies、Sinoceramics、IBULE PHOTONICS、上海怡英新材料科技有限公司、合肥科晶；产品类型分为Type A、Type B；应用涵盖超声波探头、无损检测(NDT)探头、执行器和传感器及其他。报告提到2025年美国关税体系将给全球经济带来重大不确定性，并评估贸易壁垒升级与多国反制措施的影响；发展趋势方面提及5G、物联网需求带动晶体生长工艺优化、医疗成像/精密定位/声呐系统/高性能传感器等应用拓展、政策支持推动产能扩张，以及环保法规对含铅材料的严格要求增加研发和生产成本。原文未说明原因；以上市场规模数字均为报告的统计与预测，非已实现结果。
原文为背景性描述：全球碳化硅（SiC）市场正处于工业规模化的关键节点，其驱动因素为汽车、AI数据中心和可再生能源领域需求上升。原文未给出任何价格、产能、企业、日期或具体事件，未说明原因，也未涉及任何计划、政策或交易事件。
快科技10月19日消息，一加宣布一加Ace 7系列即将登场，官方称其为性能与产品力的跨代之作，一加中国区总裁李杰称其为史上最强Ace、升级巨大。官方海报显示，该系列最大变化是加入风冷散热技术，为一加首款支持主动散热的性能手机，通过微型风扇强制空气流动带走机身内部热量，并首发双路出风散热架构，一路压制芯片温度、另一路降低背板壳温。官方实测称，在《三角洲》高清+185帧模式下，一加Ace 7 Pro的平均帧率比竞品的骁龙8EE6机型更稳、机身温度更低。硬件上，一加Ace 7 Pro搭载高通骁龙8E5旗舰平台，该平台采用台积电3nm工艺，配备高通自研Oryon满血双超大核架构，并集成Adreno 840 GPU。新品已在各大平台上架并开启预约，用户可先行购买9.9元权益包（含OPPO Enco R5真无线蓝牙耳机、5年风扇保、2年电池保、1年进水保、1年后盖保等），新品将在10月下旬正式发布。
2026年10月19日，MintNeuro宣布完成500万美元投资轮，以扩大其神经设备芯片平台，计划扩大工程和商业团队，将产品推向市场，支持客户采用其芯片，并在美国以及英国和欧洲基地加强存在。
德国设备制造商Von Ardenne进入半导体行业，推出面向面板级封装的涂覆技术。该细分市场中竞争面板尺寸的选择仍未解决。其基于托盘的系统无需新平台即可处理不同基板尺寸，可能在全球制造商与客户权衡先进封装及玻璃基工艺标准之际降低设备风险。
日本理化学研究所（RIKEN）及其合作团队在硅自旋量子比特并行控制方面取得实验进展，相关研究于2026年10月15日发表于《自然·物理》（Nature Physics），论文题为《硅自旋量子比特阵列中的高保真度单量子比特门并行操作》。研究团队使用包含五个硅自旋量子比特的实验装置，通过一条共享微波控制线路进行控制：经优化的器件设计和精细校准后，五个量子比特分别单独进行单量子比特操作时量子门保真度均超过99.99%，其中最好者接近99.999%；在最多三个量子比特同时操作时保真度维持在99.99%以上；五个量子比特全部同时运行时保真度约为99.9%。研究人员发现，并行操作时精度下降的一个重要原因是微波信号引起的量子态相位偏移，即交流斯塔克位移（AC Stark shift），并开发了基于量子比特两两校准的方案来补偿部分误差；剩余误差的一项重要来源被团队认为是驱动诱导退相干（drive-induced decoherence），仅靠相位补偿无法完全解决。研究人员指出，该实验仅在五个量子比特装置上验证，并不意味着已构建实用规模的量子计算机；该成果被视为利用现有半导体制造技术构建更大规模硅基量子处理器的重要一步，长期目标是实现基于硅自旋量子比特的容错量子计算机。
快科技10月19日消息，REDMI K100定档10月27日发布，目前已在各大平台上架接受预约。该机搭载高通骁龙8至尊版旗舰平台（快科技注：简称骁龙8E），配备狂暴独显芯片D2，采用165Hz电竞高刷屏和小米系最大10000mAh电池，支持100W有线闪充。博主数码闲聊站表示骁龙8E性能调校到位的话，日常体验与骁龙8E5、骁龙8EE6的差距会比想象中小，在3K价位段仍具竞争力。REDMI K100定位3000元档性能手机，由于当前REDMI K90在小米商城定价3499元起（12GB+256GB），文章推断K100起售价至少会是3499元，即超过3000元；对比同档机型，K100还拥有游戏独显芯片、万级大电池和BOSE调音。小米商城支付9.9元订金可获新品礼，包含小米Air 4 SE无线耳机、一年延保、6期免息分期、以旧换新补贴及365天只换不修等权益。
TECO Electric & Machinery 正从以马达为主的制造商转型为提供整合式电力、能源、驱动系统与AI基础设施解决方案的平台型供应商。董事长 Morris Li 表示，人工智能正在加速全球对自主电力、微电网、虚拟电厂以及更快数据中心建设的需求。原文未说明转型完成时间或具体量化指标。
快科技10月19日消息，REDMI K100已官宣10月27日发布，官方确认新机搭载骁龙8至尊版旗舰芯片，并首次加入游戏独显D2，形成"狂暴双芯"组合。骁龙8至尊版是高通首款采用自研Oryon CPU架构、台积电3nm工艺的旗舰平台，配2颗超大核与6颗性能核、Adreno 830 GPU；游戏独显D2为REDMI此前在至尊版机型上采用的定制独显芯片，承担硬件级画面超分与超帧补帧任务。官方确认屏幕升级为165Hz高刷电竞直屏。根据爆料（非官方确认），该机将升级为6.9英寸大屏直屏方案，搭载超级像素屏幕技术，内置10000mAh级硅碳负极电池（小米手机史上最大电池）并支持100W有线快充。官方已公布新机外观，推出与Pro同款的流萤绿配色，背部右侧有Bose调音标识。原文未说明原因（无价格/供应相关事件）。
Whose chips are really inside the hottest new products? We open them up and show you, one part at a time.
All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |