GMS发布MOSA兼容Thunderbolt™启用的Expansion™模块
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
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General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
10月19日消息，消息人士@金猪升级包 稍早前曝光了AMD尚未推出的锐龙AI 7 HX 455处理器。从规格来看，该型号应该基于"Gorgon Point 1"芯片，保留了完整的16核心GPU，但CPU从完整的12核心24线程降至8核心16线程，此外配备24MB L3高速缓存。消息人士表示，锐龙AI 7 HX 455的兄弟型号是掌机端的锐龙Z2 Extreme，后者的CPU架构是"3x Zen 5, 5x Zen 5c"。该产品尚未正式推出，信息来自爆料，原文未说明原因及发布时间。
据泄露消息（来源为知名爆料者Jaykihn），英特尔正准备推出基于Nova Lake硅片的Xeon E系列处理器，将仅有两种版本：仅大核P-Core或仅能效核E-Core的SKU，不会提供同时包含P-Core与E-Core的混合SKU，混合设计将保留给常规的Nova Lake-S桌面处理器。P-Core only产品线据报将包含5种配置，分别为4、6、8、12和16个P-Core；E-Core产品线稍小，包含4种SKU，分别为4、8、16和32个E-Core；在产品线顶端，买家可在16 P-Core设计与32 E-Core配置之间选择。新Xeon E设计将采用W980芯片组平台，支持原生DDR5 ECC内存、最多48条PCIe通道（其中12条PCIe 5.0与12条PCIe 4.0来自芯片组）、Intel vPro技术；DMI 5.0 x4使DMI芯片组总线带宽达每方向128 Gbps；CPU提供两个40 Gbps的USB4或Thunderbolt 4端口；来自处理器的PCIe 5.0 x16 PEG插槽可借助lane switch分割为x8/x8等组合；两个CPU直连M.2 NVMe插槽均可配置为Gen 5。该消息为泄露信息，属计划中的产品路线图，原文未说明原因，无价格或供应数据。
据博主 @数码闲聊站 10 月 19 日发布的“超超超前瞻”，某屏厂正在做 2K+240Hz 显示屏，预计 2027 年能上机，且目前不暗指任何新机；IT之家指出若爆料属实，该方案在提升清晰度与流畅性的同时能否在功耗上取得理想效果值得关注。背景方面，目前市面上的新机多采用 1.5K+ 高刷方案，部分旗舰机型将屏幕分辨率提升至 2K 规格，大多数手机产品还处于 120Hz、165Hz 等规格；荣耀 WIN 平板已官宣将业界首发 240Hz OLED 电竞屏，搭配荣耀东风涡轮散热系统、10000mAh 大电池及第五代骁龙 8 至尊版芯片。
快科技10月19日消息，REDMI K100定档10月27日发布，目前已在各大平台上架接受预约。该机搭载高通骁龙8至尊版旗舰平台（快科技注：简称骁龙8E），配备狂暴独显芯片D2，采用165Hz电竞高刷屏和小米系最大10000mAh电池，支持100W有线闪充。博主数码闲聊站表示骁龙8E性能调校到位的话，日常体验与骁龙8E5、骁龙8EE6的差距会比想象中小，在3K价位段仍具竞争力。REDMI K100定位3000元档性能手机，由于当前REDMI K90在小米商城定价3499元起（12GB+256GB），文章推断K100起售价至少会是3499元，即超过3000元；对比同档机型，K100还拥有游戏独显芯片、万级大电池和BOSE调音。小米商城支付9.9元订金可获新品礼，包含小米Air 4 SE无线耳机、一年延保、6期免息分期、以旧换新补贴及365天只换不修等权益。
据DIGITIMES独家专访，蔡司半导体制造光学（SMO）总裁Christoph Hensche表示High-NA EUV已准备好进入量产，订单已排至2027年。报道指出，AI芯片需求激增延长了蔡司（EUV光刻光学关键供应商）的订单能见度，2026年和2027年的需求已经明确，蔡司及其他部分制造商未来数年的产能已被全部订满。
快科技10月19日消息，REDMI K100已官宣10月27日发布，官方确认新机搭载骁龙8至尊版旗舰芯片，并首次加入游戏独显D2，形成"狂暴双芯"组合。骁龙8至尊版是高通首款采用自研Oryon CPU架构、台积电3nm工艺的旗舰平台，配2颗超大核与6颗性能核、Adreno 830 GPU；游戏独显D2为REDMI此前在至尊版机型上采用的定制独显芯片，承担硬件级画面超分与超帧补帧任务。官方确认屏幕升级为165Hz高刷电竞直屏。根据爆料（非官方确认），该机将升级为6.9英寸大屏直屏方案，搭载超级像素屏幕技术，内置10000mAh级硅碳负极电池（小米手机史上最大电池）并支持100W有线快充。官方已公布新机外观，推出与Pro同款的流萤绿配色，背部右侧有Bose调音标识。原文未说明原因（无价格/供应相关事件）。
快科技10月19日消息，iQOO预告将于10月28日发布全新小平板iQOO Pad Pro，号称“口袋电竞巨兽”。该机采用8.8英寸165Hz OLED屏幕，搭载高通第五代骁龙8至尊版旗舰平台（简称骁龙8E5）和自研电竞芯片Q3，内置9020mAh大电池。其中骁龙8E5采用台积电第三代3nm（N3P）制程工艺，延续高通自研Oryon架构，采用2+6全大核设计并放弃传统小核，配备2颗主频4.6GHz的Prime超级内核与6颗主频3.62GHz的性能内核；对比上代，单核性能提升20%，多核性能提升17%。该平板还搭载自研冰穹四重风冷散热系统（含被动散热的冰穹VC均热板、双层超高导热石墨，以及主动散热的LCP扇叶风扇与高导热铝合金风道）、高导热凝胶与冰穹隔热气凝胶，机身厚5.74mm、重298g，并搭载自研Q-flex操控技术、超感触控和超感陀螺仪。此为发布预告，产品尚未实际发布。
据SPIE Digital Library的技术分析，常规极紫外（EUV）光刻使用13.5纳米波长、通过反射光学系统配合定制光掩模，虽能以高产能打印极小特征，但每个新设计都需要昂贵的掩模组。无掩模EUV光刻提出不将图形存储在物理掩模上，而是使用可编程阵列或其他快速可寻址光学元件，将数字图形直接写入晶圆，从而避开电子束光刻串行逐点写入的速度瓶颈，缩短设计迭代周期并降低小批量生产的固定成本。文章指出该技术并非对EUV扫描仪或电子束工具的简单替代：EUV辐射被大多数材料强吸收，系统需在真空和专用反射光学下运行；可编程图形发生器需在EUV曝光下保持纳米级定位精度、控制热量与污染并避免缺陷；光刻胶在极小尺寸下的随机变异以及海量图形文件的实时处理也是挑战。首批成功应用可能是有选择性的，如快速原型、小批量先进器件、研究、掩模修复或特定关键层，而非全面取代大规模量产光刻。此内容为技术背景分析，不涉及具体厂商、产量、价格或订单数据。
快科技10月18日消息，海外用户DallasGrave继为RTX 5090加装两个8pin接口分担16pin原装接口负载后，推出全新设计，在PCB上焊接四个8pin接口，可完全脱离原装16pin接口独立供电；新PCB直接焊接在显卡供电触点上，可与原有12V-2x6接口并联使用，也可完全独立运行。DallasGrave表示设计采用保险丝连接和等长PCB走线分配电流，600W负载下每根导线电流约4.1至4.4A，相比标准16pin接口几乎减半；该方案已在分流改装的显卡上测试至800W，PCB温度达到45°C。原文指出，RTX 5090自发售以来12V-2x6接口熔毁事故反复出现，主要原因是显卡功耗高达575W，逼近接口600W理论上限，未完全插紧或极端负载下容易过热熔毁。DallasGrave正在为多款显卡设计适配版本，团队还在开发可选的主动监控模块和定制背板；改装计划通过邮寄服务提供，12月还将在拉斯维加斯开设实体店提供当日安装。DallasGrave还承认，原计划出售预改装RTX 5090的方案已行不通，因为库存预计即将售罄。
据2026年10月18日IT早报报道，针对此前RTX 5090停产爆料和市场缺货猜测，英伟达高管明确辟谣，否认停产传闻，称该显卡仍是核心产品并将继续供货；同时英伟达承认当前供应链产能受限，正推动产品上市。原文未说明停产传闻的起因。
快科技10月17日报道，硬件监控工具HWiNFO的预发布更新日志中出现名为Panter Lake-H 080的新条目（Panter为拼写错误），实际指向英特尔尚未正式发布的Arc G系列掌机处理器PTL-080。据爆料人Jaykihn在社交平台X上透露，PTL-080的核心配置编码为0+8+0+4，即没有任何性能核，CPU仅由8个能效核构成，GPU集成4个Xe3核心。作为对比，英特尔已发布的Arc G3与Arc G3 Extreme均采用2个P核、8个E核、4个LPE核的组合（合计14个CPU核心），差异主要在图形单元：G3配备10个Xe3核心，G3 Extreme为12个。PTL-080的GPU核心数大幅缩减，CPU架构也从混合核心调整为纯能效核。此前今年8月，Jaykihn曾披露一套4+0+4+4（4个P核、4个LPE核与4个Xe3核心）的方案，目标功耗区间8W至25W；其后续表示0+8+0+4方案有可能完全取代4+0+4+4，但最终决定尚未敲定。4个Xe3核心意味着PTL-080游戏性能将明显落后于Arc G3系列，定位大概率是更低价的入门级掌机设备。英特尔尚未公布该芯片的主频、功耗限制、正式命名与售价，所有信息仍属第三方爆料，最终方案以官方发布为准。
据快科技10月17日消息（引自Phoronix网站报道），AMD正在招兵买马，组建一只“精英团队”（Elite Team），目标是用Rust语言重构GPU软件栈的底层，把Rust贯穿到整个软件栈的核心中，包括编译器与运行时、底层固件与系统接口、软硬件协同设计。原文给出的背景原因是，在与NVIDIA的显卡竞争中，AMD多年来被吐槽的多是软件优化，生态远不如NVIDIA的GeForce和CUDA，现在AMD要从底层推倒重来解决这个问题。此次转型主要针对AI领域，ROCm生态是重点，但游戏玩家未来也可能受益，游戏驱动代码涉及大量内存管理与优化，有助于降低游戏崩溃、蓝屏等问题。原文指出，游戏性能是否能从中受益目前信息太少还不足以做出判断。该计划处于组建/推进阶段，尚未完成，效果未知。
中国初创公司Langdao Silex展示开发出首款国产极紫外光刻(EUV)激光光源,逐步为中国的完整供应链自主铺路。该系统名为FlintNano LPP-OXXO,据报道EUV输出功率超过15 W,所用零部件约90%为国产或自主开发。该系统采用激光等离子体(LPP)技术,即用高功率激光产生等离子体并产生先进芯片制造所需的EUV辐射,与ASML使用的工艺类似。据Langdao Silex公布的规格,FlintNano系统采用1,000 W驱动激光器,重复频率介于1至20 kHz之间;转换效率超过2%,公司声称设备可连续运行超过100小时。据称原型机适合用于晶圆曝光测试,但仍需进一步调试。背景方面,在美国政府施压荷兰政府停止销售这些先进工具后,EUV光刻设备被禁止在中国销售;ASML从未向中国交付过任何一台EUV扫描仪,荷兰政府在美国压力下于2019年实施出口封锁,尚无任何一套系统部署,但ASML继续向中国客户出货DUV系统。更重要的是,开发光源只是构建完整EUV扫描仪的一部分,此类系统还需要极其精密的反射光学器件、复杂的晶圆定位机构以及众多子系统的复杂集成。
作者根据Texas Instruments的一份新闻稿介绍，该公司推出RES80A-Q1，这是一款50-MΩ精密电阻分压器，可用于高达2,000 V DC的极高电压，且已通过AEC-Q200汽车级无源元件认证，主要用途是高压EV电池包中为车辆电池管理系统（BMS）提供电压数据。该器件采用高性能模拟晶圆工艺和SiO2绝缘层封装，8引脚SOIC封装标称尺寸7.5 mm × 5.85 mm，高低压引脚间爬电和电气间隙至少8.5 mm；每个分压器的实测比值与标称值之差在±0.1%（最大）以内，规定温度范围和老化条件下的累积漂移仅±0.2%（最大），未经校准的RES80A-Q1的寿命容差保持在±0.3%（最大）范围内。文章背景性讨论了汽车（尤其是EV）对无源元件性能要求提升，以及该类标准目录器件可被非汽车设计采用，同时指出汽车复杂化带来的维修与供应链挑战；文中未包含任何价格变动、产能或供需数据。
据Tom's Hardware 2026年10月16日报道，中国初创公司Langdao Silex（2024年由清华大学气体放电等离子体实验室校友创立）在中国上海第26届中国国际工业博览会上展示了一台EUV光源原型，输出功率超过15W、90%零部件国产、并具备一定运行时间，但现场未点亮运行。其FlintNano LPP-OXXO系统采用激光等离子体(LPP)技术，配备1000W驱动激光器（工作频率1kHz–20kHz），转换效率超过2%，亮度达100 W/(mm²·sr)，可连续运行超过100小时，等离子体稳定性3% RMS、EUV输出功率稳定性5%；不过其输出仍不足以支撑高量产芯片生产，且公司未说明15W是在等离子体处还是中间焦点处测量。据TrendForce援引多方消息，该公司还需三到五年才能将该技术商业化。此外，其正在开发的高功率FlintMicro-LPP EUV光源已完成原理验证，但输出功率、转换效率和运行寿命均未披露。光源仅是EUV光刻机的一部分，完整EUV扫描仪还需收集/照明光学系统、多层膜反射镜、工件台/掩模台等进展。
维信诺官方发文确认，荣耀WIN2系列将全球首发2K 185Hz电竞屏，且为全系搭载，双方通过全链路定制实现2K高清与185Hz超高刷同时量产落地。该屏幕还支持5000Hz瞬时触控采样率、520Hz真十指触控报点率、800Hz旗舰级陀螺仪，采用0.93mm行业超窄四等边设计，185Hz原生适配40余款主流游戏；护眼方面搭载5920Hz低波动零风险PWM调光，通过德国莱茵全局护眼6.0与无频闪双认证。荣耀WIN2系列定位年度T0电竞机型，搭载第六代骁龙8至尊版芯片与行业首创双风扇全域散热，将于10月21日发布会上正式登场。官方已提前公布售价：12+512GB版本首销限时专享价5999元，对比同平台行业最低价6499元更低，叠加国补后到手价为5499元，比同平台竞品便宜1000元。
纳斯达克100指数（NDX）在经历一轮剧烈抛售后，于关键趋势支撑位与100日均线交汇处形成锤形反转K线，多空双方展开决定性博弈；据The Market Ear分析，若守住该区域可能触发强力轧空行情，若跌破则市场或将急速恶化。本周四盘中，半导体行业基金VanEck Semiconductor ETF（SMH）和内存产业基金Roundhill Memory ETF（DRAM）相关标的成交量暴增至近期峰值，两者均录得近期最高单日成交量，随后买盘介入、市场阶段性企稳；全球系统性多空策略一日下跌1.4%，接近四个标准差的极端波动，高盛One-Delta交易台负责人Rich Privorotsky指出多空账簿正在积极压缩总敞口，部分成交量可能反映被动止损平仓。科技股CDS利差走阔与科技股下跌同步发生，VXN逼近9月高点。NDX远期市盈率已回落至约21倍，重回2023年AI行情启动以来的估值低点。Privorotsky对半导体板块短期前景谨慎乐观，并提出做空超大规模云服务商、做多半导体的相对价值交易思路；其同时指出，尽管技术折旧加速，B200、H200、H100乃至老款A100的现货算力租赁价格依然保持强劲，但过多资本追逐电力就绪的算力基础设施，重定价过程远未结束。自9月以来，NDX与美国10年期国债收益率呈现罕见的同向联动。高盛Peter Callahan认为约21倍远期市盈率或已构成四重底技术形态，财报季盈利兑现与否将成为决定市场方向的关键。
IT之家 10 月 16 日援引曝料称，英特尔可能将推出一款 8E + 4Xe 版 "Panther Lake" 锐炫 G 系列掌机处理器，此为未经证实的曝料消息。硬件诊断监控软件 HWiNFO 近日在其版本历史记录页面更新了即将到来的变化，包括“新增 Panter Lake-H 080”及“增强对 Nova Lake-E 和 Razor Lake-S 的支持”（IT之家注："Panter Lake" 应为 "Panther Lake" 的误输入）。消息人士 @jaykihn0 于 10 月 16 日解释称，"Panther Lake-H 080" 是一款采用 0P + 8P + 0LP-E + 4Xe 设计的 "Panther Lake" 处理器，隶属于锐炫 Arc G 系列，其定位显然低于现有的 Arc G3 Extreme 和 Arc G3 标准版。此外，"Nova Lake-E" 指的是面向边缘领域的 "Nova Lake" 处理器，归属 "Xeon E" 产品序列，与 W980 芯片组匹配，其无任何 LP-E 核心，要么仅包含性能 P 核，要么仅包含能效 E 核。
Whose chips are really inside the hottest new products? We open them up and show you, one part at a time.
All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |