SiC MOSFET份额2036年将超IGBT
IDTechEx预测，到2036年，SiC MOSFETs将成为电动汽车功率电子应用的主流技术。这一转变由电动汽车、AI数据中心和可再生能源对更高效率和功率密度的需求驱动。
利多
SiC和GaN采用加速预计将推动未来十年的需求增长。
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IDTechEx预测，到2036年，SiC MOSFETs将成为电动汽车功率电子应用的主流技术。这一转变由电动汽车、AI数据中心和可再生能源对更高效率和功率密度的需求驱动。
SiC和GaN采用加速预计将推动未来十年的需求增长。
TechInsights指出当前碳化硅市场供过于求，晶圆价格下跌，需求疲软，尤其受中美电动汽车需求增长停滞影响。氮化镓竞争聚焦于外延工艺与器件可靠性提升，消费电子是其主要近期市场。
碳化硅供过于求及价格压力对现货价格和供应商利润构成利空，氮化镓聚焦消费市场则预示其高价值应用采用将放缓。
Yole报告预计，到2031年化合物半导体衬底和外延片市场将达52亿美元，复合年增长率为14%，主要由汽车电气化（SiC）、射频（GaAs/GaN）和光子学（InP）驱动。尽管部分细分市场存在短期价格压力，但电气化和AI基础设施扩张支撑了长期需求。
此为长期市场预测，未提供影响当前交易的具体价格、短缺或库存数据。
英飞凌预测氮化镓功率半导体将于2025年在消费、汽车、光伏、电信及AI数据中心等多个行业达到采用临界点。该预测基于氮化镓在效率、尺寸、重量及系统成本上的优势，其应用正从USB-C充电器向外扩展。
此为宏观市场趋势预测，缺乏影响现货交易的供应中断、产能变化或具体价格数据。
Yole集团报告预测，电动汽车直流充电系统市场将在2029年达到237亿美元。增长源于充电基础设施持续扩张及未来更换需求，AC向DC的全面过渡预计仍需10-15年。
该长期趋势预示对功率半导体等元件的需求将获支撑，但未提供影响短期价格的具体供应或库存数据。
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