美光FQ2营收达238.6亿美元,同比增长196%,所有业务部门均创纪录,AI需求为主要驱动力。公司已开始为英伟达下一代平台量产36GB HBM4产品,并签署了首个五年期战略客户协议。利多:创纪录业绩与长期供应协议表明,AI驱动的存储芯片(尤其是HBM与数据中心DRAM)需求与定价将持续坚挺。
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美光FQ2营收达238.6亿美元,同比增长196%,所有业务部门均创纪录,AI需求为主要驱动力。公司已开始为英伟达下一代平台量产36GB HBM4产品,并签署了首个五年期战略客户协议。利多:创纪录业绩与长期供应协议表明,AI驱动的存储芯片(尤其是HBM与数据中心DRAM)需求与定价将持续坚挺。
美光Q2 FY2026营收达236.8亿美元,同比增长194%,毛利率升至74.4%。受AI需求激增及HBM短缺推动,公司上调了DRAM和NAND价格。利多:预计Q3将继续创纪录,供需紧张支撑价格上行。
美光2026年Q2营收达238.6亿美元,同比大增三倍。主要受AI及自动驾驶汽车对300GB以上DRAM需求激增推动。利多,供需紧张格局延续,产能扩张将支撑价格上行。
美光将FY26资本支出上调至超250亿美元,并签署首个五年期战略客户协议。此举由AI内存需求驱动,旨在支持其在美国和台湾的晶圆厂扩张计划。关注:大规模产能扩张在长期需求锁定下,可能改变未来现货市场的供需结构与价格波动性。
三星因存储成本上升,据报将终止Galaxy Z Tri-Fold折叠屏手机销售。其手机部门今年营业利润预计同比暴跌超60%,已启动紧急措施。利空:作为关键采购方,三星的需求急剧萎缩,将对上游存储芯片(DRAM/NAND)的出货和库存构成压力。
北京君正表示DRAM、Flash及部分计算芯片价格已有调整,其新制程DRAM产品已开始销售。公司预计今年业绩将实现较好增长。关注:价格调整反映市场波动,新制程产品上市可能影响特定细分市场需求。
SK海力士DRAM营销副总裁朴俊德提出扩产策略,推动2025年业绩创纪录。随着AI基础设施投资激增,公司准确预测需求复苏并加速高性能AI服务器产品出货。利多,表明在AI超级周期下,需求强劲且产能扩张策略有效,支撑价格上行。
英伟达CEO黄仁勋公开喊话DRAM厂商‘扩产多少就用掉多少’,三星与SK海力士据报本月将启动英伟达新一代Vera Rubin AI加速器供应生产。SK海力士同日宣布开发出面向AI移动设备的LPDDR6 DRAM。利多:顶级客户明确的需求承诺,强化了AI内存(HBM/DRAM)供应持续紧张的预期。
英特尔毛利率跌至35%且GAAP净利为负,受制于老旧制程及18A库存减记。即使获得外部客户,代工业务仍难盈利。利空。
威刚董事长陈立白定调2026年DRAM与NAND Flash将持续缺货,价格只涨不跌,Q1涨幅已超40%,Q2预计涨幅可观。公司2025年Q4净利同比暴增1200%,毛利率达48.41%,主因AI算力需求驱动DDR5、SSD等供应缺口扩大。利多:产业链核心厂商明确短缺预警与涨价指引,强化存储芯片上行周期预期。
韩国1月经常账户顺差达132.6亿美元,为历史第五高,主要由半导体行业周期性增长及强劲出口推动。该数据是韩国半导体(DRAM、NAND、HBM)出口需求的高阶宏观指标。中性:数据确认终端需求稳健,但未提供具体的价格或供应链中断信号。
佰维存储公告1-2月营收同比大增340%至395%,归母净利润达15亿至18亿元。公司称行业迎来高度景气周期。利多:业绩爆发式增长印证存储芯片终端需求强劲,现货市场供应可能趋紧,对NAND和DRAM价格构成支撑。
三星电子2025年第四季度DRAM营收环比激增43%,以36%的份额重夺市场第一。这主要源于行业需求复苏及高端产品出货增长。利多:营收与份额的强劲增长表明需求端稳固,对现货价格构成支撑。
佰维存储预计2026年1-2月净利润15-18亿元,营收40-45亿元,同比大幅扭亏为盈。公司称存储行业因AI算力与国产替代驱动而供不应求,DRAM/NAND价格持续上涨。利多:强劲的盈利指引印证了存储芯片市场的需求与价格强势。
中际旭创2025年净利润同比增108.81%,寒武纪、摩尔线程、沐曦股份等国产GPU/AI芯片公司均实现营收数倍增长或大幅减亏。英伟达财报公布后两日股价跌超9%,中东地缘冲突及英国私募信贷巨头MFS破产引发市场避险情绪。关注:AI算力硬件需求强劲与宏观风险导致的短期市场波动并存。
十铨科技与宇瞻科技2025年因DRAM与NAND Flash价格上涨录得创纪录利润。此轮增长由AI应用对高容量、高带宽存储产品的需求驱动。利多:强劲财报印证高价与需求持续,对存储元件交易构成支撑。
麦格理将三星电子与SK海力士的目标价分别上调24%和21%,并大幅调高其FY26/FY27营业利润预期。此次上调基于对DRAM与NAND Flash市场持续高盈利能力的判断。利多:强劲的盈利预期反映核心需求稳固,可能收紧现货供应并支撑价格。
五大设备商财报分化,ASML、泛林及KLA营收增长,AI驱动HBM与先进制程需求。应用材料受ICAPS拖累微降,东京电子虽下滑但看好2026年复苏。利多设备板块,HBM与先进封装前景看好。
三星电子四季度DRAM营收激增40%,重夺全球市场份额第一。其计划通过率先量产HBM4来巩固领先地位。关注:市场格局变动加剧HBM竞争,但未报告直接影响现货价格。
大信证券分析师预测SK海力士2026年营业利润将创纪录,其通用DRAM和NAND产品均价预计分别跃升159%和91%。该预测基于对存储芯片市场,特别是高端HBM领域持续强劲的需求预期。利多:机构盈利与价格预测大幅上调,强化市场对存储芯片周期上行及SK海力士定价能力的信心。