三星、SK海力士及美光宣布DDR4停产，产能转投HBM。此次EOL导致OSAT代工产能被大厂锁定，中小厂商面临无产能可用局面。利多HBM及先进DRAM价格，利空DDR4及中小存储厂商。

英伟达因LPDDR4短缺加速终止旧款Jetson TX2及Xavier模块，将其转为不可退货状态。此次EOL主要针对2017-2018年推出的旧款产品，而新款Orin/Thor仍使用LPDDR5。利多DDR4内存价格，现货供应紧张。

三星电子已停止接受LPDDR4和LPDDR4X移动DRAM的新订单，仅履行现有订单后即进入停产阶段。停产源于客户向LPDDR5过渡的需求加速，促使三星转换产线以解决先进制程瓶颈。利多：特定型号供应正式中断将收紧现货市场，迫使客户加速升级并可能推高相关内存价格。

三星电子据报发出退出LPDDR4市场的信号，加速该产品的淘汰进程。行业正将产能转向更高价值的LPDDR5及LPDDR5X产品，导致对LPDDR4等旧世代产品的管理政策趋于一致。利多：主力厂商计划削减成熟通用型组件的供应，将立即加剧现货市场短缺并支撑现有库存价格。

三星电子于4月17日确认停止接收LPDDR4和LPDDR4X新增订单，正式进入EOL阶段。这两款产品自2017年前后大规模量产，凭借低功耗优势成为移动设备主流配置。利多，供应端收缩将导致剩余库存价格坚挺，产能将加速向DDR5等新一代技术转移。

Kioxia将于2028年底前停止2D NAND及早期BiCS 3D NAND生产，最后出货日定于2028年12月31日。此次停产涵盖32nm至15nm等老旧制程节点，标志着自1980年代以来的平面NAND技术正式终结。利多：该EOL计划将导致剩余老旧制程库存稀缺，现货价格预计上涨。

Kioxia中国发布EOL通知，计划于2028年12月31日停产Floating Gate及第三代BiCS FLASH产品。此举与三星提前停产2D NAND及TrendForce预测2026年MLC NAND产能同比下滑41.7%的趋势一致。利多。随着三星、Kioxia等巨头退出2D NAND市场，MLC NAND供应将大幅收缩，现货价格面临上行压力。

苹果正式停产Mac Pro，终结了20年的塔式电脑历史。该机型售价7000美元，搭载M2 Ultra芯片，因不支持独立显卡和内存扩展而失败。利空Apple Silicon需求，M2 Ultra库存积压风险增加。

全球NAND闪存制造商转向3D架构，导致传统MLC NAND陷入严重供需失衡并濒临淘汰。随着技术迭代，MLC存储正逐渐被更高层数的3D NAND取代。利空：MLC NAND面临供应枯竭风险，现货价格或持续承压下行。

铠侠计划逐步停产采用TSOP封装的MLC NAND产品。TSOP是用于USB闪存盘、存储卡等应用的MLC NAND的旧式封装技术。利多：停产计划将削减旧款MLC NAND的供应，可能收紧剩余库存的可用性并支撑其价格。

铠侠将停产TSOP封装NAND产品，最终订单截止日为2026年9月15日，最后出货日为2027年3月15日。此举源于行业策略调整，制造商正将资源集中于TLC、QLC及DRAM，逐步淘汰低单位价值的MLC产品。利多：特定封装形式的供应终止将收紧对应存量市场的供应，对相关库存价格构成支撑。

三星电子正式关闭华城12号产线的2D NAND生产，并将其转为1c DRAM后端产线。此举是内存行业加速向高性能、高利润产品进行结构性转型的一部分，已引发市场囤货和价格持续走强。利多：成熟制程产品供应永久性削减，而产业资源向高端应用倾斜，加剧了特定领域和整体内存市场的供应紧张与成本压力。