Cissoid停产2代HADES驱动芯片
Cissoid因X-FAB工艺停产2代HADES驱动芯片及IPM/ICM产品。公司加速3代芯片设计，计划明年发布，尺寸成本更优。
利空
2代产品断供将导致现货紧缺，价格短期看涨。
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Cissoid因X-FAB工艺停产2代HADES驱动芯片及IPM/ICM产品。公司加速3代芯片设计，计划明年发布，尺寸成本更优。
2代产品断供将导致现货紧缺，价格短期看涨。
Zilog于2024年6月停止Z80 CPU订单，结束48年生产。该芯片曾用于ZX Spectrum等经典设备，现因晶圆代工厂停止支持而EOL。
Z80现货供应将因停产而短缺，价格预计上涨。
三星、SK海力士及美光宣布DDR4停产，产能转投HBM。此次EOL导致OSAT代工产能被大厂锁定，中小厂商面临无产能可用局面。
HBM及先进DRAM价格，利空DDR4及中小存储厂商。
三星电子已停止接受LPDDR4和LPDDR4X移动DRAM的新订单，仅履行现有订单后即进入停产阶段。停产源于客户向LPDDR5过渡的需求加速，促使三星转换产线以解决先进制程瓶颈。
特定型号供应正式中断将收紧现货市场，迫使客户加速升级并可能推高相关内存价格。
三星电子据报发出退出LPDDR4市场的信号，加速该产品的淘汰进程。行业正将产能转向更高价值的LPDDR5及LPDDR5X产品，导致对LPDDR4等旧世代产品的管理政策趋于一致。
主力厂商计划削减成熟通用型组件的供应，将立即加剧现货市场短缺并支撑现有库存价格。
铠侠通知客户，部分传统浮栅式2D NAND及第三代BiCS Flash产品将逐步停产，最后预测订单截止日为2026年9月30日，最终出货日为2028年12月31日。此举是继停产小容量TSOP产品后，对成熟产品线的进一步产能优化。
针对特定成熟NAND产品的有序供应削减，将收紧相关细分市场供应，对价格形成支撑。
Kioxia将于2028年底前停止2D NAND及早期BiCS 3D NAND生产，最后出货日定于2028年12月31日。此次停产涵盖32nm至15nm等老旧制程节点，标志着自1980年代以来的平面NAND技术正式终结。
该EOL计划将导致剩余老旧制程库存稀缺，现货价格预计上涨。
三星电子正式关闭华城12号产线的2D NAND生产，并将其转为1c DRAM后端产线。此举是内存行业加速向高性能、高利润产品进行结构性转型的一部分，已引发市场囤货和价格持续走强。
成熟制程产品供应永久性削减，而产业资源向高端应用倾斜，加剧了特定领域和整体内存市场的供应紧张与成本压力。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |