Cissoid停产2代HADES驱动芯片
Cissoid因X-FAB工艺停产2代HADES驱动芯片及IPM/ICM产品。公司加速3代芯片设计，计划明年发布，尺寸成本更优。
利空
2代产品断供将导致现货紧缺，价格短期看涨。
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Cissoid因X-FAB工艺停产2代HADES驱动芯片及IPM/ICM产品。公司加速3代芯片设计，计划明年发布，尺寸成本更优。
2代产品断供将导致现货紧缺，价格短期看涨。
铠侠发布停产通知，将于2026年9月停售其32nm及以下2D平面和低于96层的3D NAND产品，并于2028年底停止出货。此举旨在将产能转向162层及以上更高密度NAND，以优化成本效益，行业其他主要供应商此前已完成类似淘汰。
老旧制程NAND供应退出，叠加产能转向新节点，将收紧相关存量芯片的供应基础。
铠侠通知客户，部分传统浮栅式2D NAND及第三代BiCS Flash产品将逐步停产，最后预测订单截止日为2026年9月30日，最终出货日为2028年12月31日。此举是继停产小容量TSOP产品后，对成熟产品线的进一步产能优化。
针对特定成熟NAND产品的有序供应削减，将收紧相关细分市场供应，对价格形成支撑。
铠侠通知客户，部分传统浮栅式2D NAND及第三代BiCS FLASH产品将逐步停产。此前该公司已停产小容量TSOP封装产品，此次为产能进一步向先进节点集中。
特定型号NAND供应将长期收缩，可能推高现货价格并引发客户提前备货。
Kioxia将于2028年底前停止2D NAND及早期BiCS 3D NAND生产，最后出货日定于2028年12月31日。此次停产涵盖32nm至15nm等老旧制程节点，标志着自1980年代以来的平面NAND技术正式终结。
该EOL计划将导致剩余老旧制程库存稀缺，现货价格预计上涨。
Kioxia中国发布EOL通知，计划于2028年12月31日停产Floating Gate及第三代BiCS FLASH产品。此举与三星提前停产2D NAND及TrendForce预测2026年MLC NAND产能同比下滑41.7%的趋势一致。
随着三星、Kioxia等巨头退出2D NAND市场，MLC NAND供应将大幅收缩，现货价格面临上行压力。
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