PCB上游材料短缺持续，CCL、铜箔及钻头供应商产能扩张计划延续至2029年之后
AI与高性能计算(HPC)的快速发展推动PCB向更高层数、更高密度和更高性能材料方向演进，引发上游材料与设备的无明确结束时点的短缺。覆铜板(CCL)、铜箔与钻头的关键供应商正在推出覆盖未来3-4年的产能扩张计划；标题显示扩张延续至2029年之后。上述扩产为计划状态，原文未说明具体扩产规模、投资金额或是否已落地。
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AI与高性能计算(HPC)的快速发展推动PCB向更高层数、更高密度和更高性能材料方向演进，引发上游材料与设备的无明确结束时点的短缺。覆铜板(CCL)、铜箔与钻头的关键供应商正在推出覆盖未来3-4年的产能扩张计划；标题显示扩张延续至2029年之后。上述扩产为计划状态，原文未说明具体扩产规模、投资金额或是否已落地。
据快科技10月21日消息，行业内部人士透露，被英伟达实质性收购后的Groq正在积极评估将其下一代芯片中的SRAM替换为DRAM，并计划引入3D堆叠DRAM封装技术。Groq计划采用名为3DS的方案，利用TSV技术在DRAM芯片内部打穿数千个微型孔洞进行垂直互连，在保持现有DRAM标准接口协议的前提下以存储容量扩张为主要目标，这与追求极致数据交换速率的HBM侧重点不同。此举旨在摆脱传统SRAM架构在容量上的局限，以应对超大规模AI模型的推理需求；其现有LPU架构依赖的SRAM容量极小，在千亿级参数模型时存在不足。该方案目前处于计划/评估阶段。
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