SECO 模块化视觉 10.1 MX95 进入大规模生产
SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
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SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
据TrendForce于2026年10月19日发布的推文，美光（Micron）看好HBM在人形机器人中的未来潜力，原因在于日益复杂的AI模型带来的带宽需求超出LPDDR所能提供的水平。美光预计未来机器人需要200GB DRAM加4TB存储，并正在为物理AI开发EIM，据报道量产预计在2028年下半年（2H28）。上述均为前瞻性看法与开发计划，量产时间带有'据报道'的限定，尚未实现。
在2026年开放计算项目（OCP 2026）全球峰会上，英特尔展示了硅光子技术发展蓝图，数据中心系统与解决方案公司副总裁尼克·杜贝将硅光子形容为下一代系统架构的“黄金之锤”，并称英特尔是目前唯一能够大规模量产300毫米磷化铟（InP）硅光子晶圆的高产能代工厂。原因方面，源文称传统铜线互连正日益逼近物理极限，在传输距离、封装边缘带宽密度及每比特传输能耗等方面面临瓶颈，数据中心架构需向光互连演进，能耗目标推进至低于5皮焦耳每比特。英特尔指出，当前光学收发器市场中激光芯片与磷化铟材料产能长期供不应求，其将磷化铟光源技术直接整合进300毫米硅晶圆制程以提升制造效率与产能规模；自2016年投入商用以来，已累计出货超过800万个光学收发器和3200万个集成激光器。英特尔正依托300毫米硅光子制程与集成磷化铟光源技术推动共封装光学（CPO）与近封装光学（NPO）发展。
美光正在推进面向物理 AI 的专用存储芯片——边缘推理内存（EIM）的研发，旨在降低数据处理延迟并提高带宽。该芯片架构是在逻辑芯片之上垂直堆叠低功耗内存（LPDDR），美光正在推进将其集成至 LPDDR6 方案的技术研发。业内预计量产时间在 2028 年下半年。美光表示将与机器人制造商、芯片方案商及超大规模云服务商深度协同合作。
台积电董事长兼CEO魏哲家在近期投资者电话会议上表示，评估需求超过可用供给，公司正通过新建工厂、设备转换、生产率提升和跨技术代际的柔性制造来应对。第三季度营收达467亿美元，并以美元计预计2026年营收增长约44%（此为预测而非已实现结果）。台积电描述全球有近20座晶圆厂处于开发中，包括尖端制造和先进封装项目；公司还预计其N2技术家族的年产能将在2027年增加逾一倍（预期）。魏哲家称，尽管历史惯例是在一个技术代达到目标规模后避免进一步扩产，公司仍在扩大3纳米产能。台积电列出了台湾、亚利桑那和日本的制造计划，并对得克萨斯州进行初步评估；魏哲家将美国扩张与客户要求联系起来，并表示制造地点可能影响定价。他还指出后端封装产能存在一些短缺，并提到与GlobalFoundries的合作；同时公司团队正在核查美国数据中心建设和电力供应情况，因芯片部署依赖基础设施。魏哲家并警告，元器件价格上涨和经济不确定性正给消费者和价格敏感市场带来压力。
微软计划进行多吉瓦特规模的下一代 Azure Maia AI 加速器推出，生产部署计划于 2027 年进行。公司声称，96 颗加速器的配置将提供比其 Maia 200 前身高达七倍的令牌吞吐量，并且每兆瓦提供的令牌数比领先的 GPU 系统多 40%。每颗 Maia 300 加速器将配备八个 HBM4 内存堆栈，峰值内存带宽最高可达 18 TB/秒。
格芯（GlobalFoundries）公布FDX Fusion全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）工艺路线图，第一代目标达到"7纳米级数字性能"（指数字逻辑性能等级，并非恢复2018年暂停的7纳米FinFET制程，也不等同于其他晶圆厂的7纳米节点或晶体管密度），面向机器人、汽车、工业自动化等物理AI设备。按公司路线图，演示芯片预计2027年初交由客户评估，首版工艺设计套件计划2027年年中提供，量产目标为2028年，地点为德国德累斯顿工厂。公司公布的指标包括射频器件ft/fmax最高0.5太赫兹（射频器件指标，非处理器运行频率），以及相较第一代FDX工艺密度提升超过两倍，但尚未公布足够详细设计数据供外部独立验证，也已与部分客户开展早期评估但未公布具体产品或量产客户订单。格芯同时说明，德累斯顿FDX Fusion项目的开发启动仍取决于德国联邦政府是否批准IPCEI先进半导体技术项目，路线图存在政策审批条件。此外，格芯在德累斯顿推进11亿欧元的SPRINT扩产计划，目标到2028年底将该厂年产能提高至超过100万片300毫米晶圆，该扩张覆盖工厂整体业务，并非全部用于FDX Fusion。原文未说明原因之外的事件动因，属计划性质，尚未实现量产。
GlobalFoundries 于 10 月 9 日举行 SPRINT 扩建项目的封顶仪式，标志其在德累斯顿的 11 亿欧元扩建达到里程碑。扩建预计将使厂区年产能提升至超过 100 万片 300 毫米晶圆，目标时间为 2028 年底；目前德累斯顿年产能最高可达 95 万片，扩建后将增加约 5% 的产能。施工已按计划且在预算内完成，项目获得欧盟、德国联邦政府和萨克森自由州在欧洲芯片法案下的支持。
马维尔与格罗方德宣布扩大合作，在佛蒙特州工厂扩产硅锗（SiGe）以支持1.6Tbps光模块。随着AI算力需求激增，铜缆传输距离受限，硅锗技术成为高速光通信的关键，英伟达等厂商已开始采用CPO技术。
该扩产计划旨在缓解AI数据中心对高速光模块的供应紧张，预计将提振SiGe及光通信板块需求。
英特尔将增发规模扩大至200亿美元，拟用于资本支出及营运资金等“一般公司用途”。尽管分析师认为该金额不足以支撑大规模扩张，但市场推测资金可能用于购买晶圆制造设备（WFE）以应对AI需求。
（资金用途模糊，产能扩张预期存在争议）。
索尼与台积电计划投资1万亿日元在熊本量产下一代图像传感器。合资企业持股比例60:40，目标供应苹果及物理AI领域。
未来产能释放对现货价格的影响。
SK集团董事长预计存储芯片供需紧张将持续至2030年，并计划在未来五年内将晶圆总产能翻倍。此举旨在应对激增的AI需求，并深化与台积电及英伟达在HBM4E等下一代产品上的合作。
短期至中期的存储芯片价格，但需关注远期产能翻倍带来的供应格局变化。
SCHMID预测面板级封装市场2030年将扩张3-4倍，台积电CoPoS平台预计2028年量产。随着AI芯片尺寸增大，行业正转向310x310mm等矩形面板及玻璃基板以提升密度并减少浪费。
玻璃基板与面板级封装技术获台积电、三星等大厂推动，相关设备与材料供应商将受益。
JSR与台厂合资在云林建厂，预计2028年量产EUV光刻胶。为补齐供应链缺口并配合TSMC 2nm以下制程需求，JSR成为最后一家在台设厂的日本大厂。
此产能扩张将缓解EUV材料供应瓶颈，但需观察2028年量产进度及竞争格局变化。
三星代工获光模块订单，计划2026年下半年量产；为应对AI数据中心铜缆物理限制，三星加速硅光与CPO布局。
硅光与CPO技术路线确立，产能扩张预期增强。
SK海力士在清州工厂部署2000张Nvidia Blackwell显卡用于内部AI系统。此举旨在保障核心数据安全并优化晶圆厂数字孪生与生产流程。
SK海力士AI基础设施布局及Nvidia AI芯片需求。
日月光启动六座新厂建设，三星计划投资40亿美元在越南建封测厂，Amkor亦在越南加速扩产。本轮扩产旨在应对AI、HPC及数据中心驱动的芯片需求增长。
三大封测巨头同步大规模扩产，预示未来封装产能将显著增加，可能缓解供应紧张并压制相关服务价格。
Skytech向ASE交付310x310mm面板级封装设备。AI和高性能计算推动先进封装向面板级转变。
面板级封装产能扩张将增加供应。
ASML计划2027年生产至少80台Low-NA EUV光刻机，较去年44台翻倍。为应对AI驱动的芯片需求激增，解决光刻机供应瓶颈问题。
公司强调供应链短缺已解决，产能扩张将确保供应稳定。
日本经产省追加6315亿日元支持Rapidus，其政府总支持额达约2.4万亿日元，同时该公司后端原型线和先进封装研发中心启动运营。富士通与IBM日本分别获得AI芯片研发补贴，并计划将2nm/1.4nm芯片制造外包给Rapidus。
长期看增加先进制程供应来源，但为远期产能规划，对当前现货市场无直接影响。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |