美光在弗吉尼亚工厂开始量产1-alpha DRAM。这是美国最先进的内存技术，也是扩大国内半导体制造的关键里程碑。利空：产能扩张将增加未来供应，压制价格。

美光在弗吉尼亚工厂启动1α DRAM工艺量产。该工艺为美国最先进内存技术，主要应用于DDR4和LP4产品。利多美光长期产能布局，但短期对现货价格影响中性。

ASML预计数月内出货首颗高阶EUV芯片，英特尔与SK海力士加速采用，TSMC因成本高昂推迟布局。利多高阶光刻设备需求，但TSMC与三星策略分化将影响未来产能。

中国成熟制程产能增速超全球需求四倍，预计未来三至五年将占全球新增产能近半。报告指出中国资本支出占比虽降但仍高于市场份额，导致日本功率半导体厂商承压并寻求整合。利空：中国扩产将加剧成熟制程市场供需失衡，挤压日本及印度本土厂商生存空间。

JSR与台厂合资在云林建厂，预计2028年量产EUV光刻胶。为补齐供应链缺口并配合TSMC 2nm以下制程需求，JSR成为最后一家在台设厂的日本大厂。关注：此产能扩张将缓解EUV材料供应瓶颈，但需观察2028年量产进度及竞争格局变化。

TI投600亿美元建七厂，目标2030年自产95%芯片。此举旨在应对数据中心和工业市场需求的强劲增长，其中数据中心营收同比激增90%。利多。垂直整合策略将强化供应链控制力，且旺盛需求预示着相关IC产品前景乐观。

三星加速平泽工厂最后一条生产线的建设，这是其最大的扩产项目之一。受AI需求超预期驱动，三星正大幅提升产能。利空：产能扩张将增加市场供应，可能对内存价格形成下行压力。

味之素斥资约1.2亿日元在岐阜县购买土地，计划于2032年投产第三座ABF工厂。随着AI数据中心需求激增，ABF作为半导体封装关键材料，其利润率已超过50%，公司正通过扩建产能应对未来增长。利多：味之素凭借超95%的全球ABF市场份额，产能扩张将进一步巩固其在AI封装材料领域的垄断地位。

中芯国际扩产NAND与DRAM产能以应对制裁压力。此举旨在满足AI需求并推进国产供应链，利空：产能扩张增加供应，可能压制现货价格。

三星代工获光模块订单，计划2026年下半年量产；为应对AI数据中心铜缆物理限制，三星加速硅光与CPO布局。利多 - 硅光与CPO技术路线确立，产能扩张预期增强。

ASML预计2026年生产超60台EUV光刻系统，较2025年销量增长36%，并计划将年产能提升至至少80台。扩产由AI投资热潮及芯片制造商对先进制程的迫切需求驱动。利多：EUV设备供应增加，缓解先进制程关键瓶颈，支撑高端逻辑与存储芯片产能爬坡。

SK海力士在清州工厂部署2000张Nvidia Blackwell显卡用于内部AI系统。此举旨在保障核心数据安全并优化晶圆厂数字孪生与生产流程。利多SK海力士AI基础设施布局及Nvidia AI芯片需求。

SK海力士于4月22日动工建设P&T7先进封装测试工厂，总投资19万亿韩元，计划分阶段于2028年完工。该工厂专注于AI内存（包括HBM）生产，旨在巩固其市场领导地位。中性：此为长期产能扩张计划，旨在应对未来AI需求增长，对当前现货供应及价格无直接影响。

SK海力士宣布正研究年内实施分红、股票回购等额外股东回报方案，并计划战略性扩产以应对长期需求增长。此举发生在存储芯片市场复苏、HBM需求旺盛的背景下。利空：主要厂商宣布扩产计划，预示未来供应增加，对中长期价格构成潜在压力。

SK海力士在清州举行P&T7先进封装工厂奠基仪式，投资额达数万亿韩元。该工厂专用于生产HBM等AI内存产品，WT产线预计2027年10月完工，WLP产线预计2028年2月完工。中性：此为长期产能扩张计划，利好远期HBM供应，但对当前交易无直接影响。

三星电子据报自2026年4月起为特斯拉增加GDDR6生产，同时因良率不足暂停下一代1d DRAM的量产计划。此举是三星在存储产品线内部进行的产能战略调整。关注：供应信号复杂；特斯拉GDDR6供应可能趋紧，但1d DRAM延迟或略微缓解整体DRAM产能压力。

长江存储（YMTC）在武汉启动新工厂建设，计划大幅提升NAND Flash产能。此举旨在缩小与三星、SK海力士等市场领导者的技术及规模差距。利空：主要竞争者产能扩张，加剧NAND Flash市场供应竞争，对价格构成下行压力。

长鑫存储将40%产能转产LPDDR4X，以填补三星计划退出该市场留下的缺口。此举发生在存储成本飙升、供应趋紧的背景下，其剩余60%产能仍专注于DDR5/LPDDR5。利多：成熟制程产能被挤占，可能加剧先进节点供应紧张，并在高需求下支撑LPDDR4X价格。

SK海力士动工建设价值19万亿韩元的P&T7先进封装厂，目标2028年启动晶圆级封装产线。此举旨在扩大HBM及AI内存封装产能，以应对市场需求。中性：长期产能扩张满足远期需求，对当前现货供应及价格无直接影响。

SK海力士在印第安纳州破土动工首座美国先进封装厂，计划2028年下半年量产HBM4E和HBM5。公司同步推进国内清州P&T7厂扩建及DRAM产线升级，并安装20台ASML EUV光刻机。利空：新增产能将加剧HBM及DRAM市场供应压力，现货价格承压下行。