SECO 模块化视觉 10.1 MX95 进入大规模生产
SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
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SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
据快科技10月18日消息，博主硬件茶谈透露，微星和华硕工厂方面人士表示，本月和下月几乎都没有显卡货源，且微星、华硕看不到NVIDIA的芯片供给日期，RTX 5090和RTX 5080直接断货，显卡还将继续涨价。近日有消息称NVIDIA已停产RTX 5090并将GB202产能转向AI数据中心和专业GPU，随后NVIDIA确认RTX 5090未停产但承认供应受限。原文给出的核心原因是芯片产能转向AI和专业卡：GB202既是RTX 5090的核心GPU，也用于售价高达16000美元的RTX Pro系列，NVIDIA将有限产能优先供给高利润产品线，游戏卡渠道供给收紧。
在2026年开放计算项目（OCP 2026）全球峰会上，英特尔展示了硅光子技术发展蓝图，数据中心系统与解决方案公司副总裁尼克·杜贝将硅光子形容为下一代系统架构的“黄金之锤”，并称英特尔是目前唯一能够大规模量产300毫米磷化铟（InP）硅光子晶圆的高产能代工厂。原因方面，源文称传统铜线互连正日益逼近物理极限，在传输距离、封装边缘带宽密度及每比特传输能耗等方面面临瓶颈，数据中心架构需向光互连演进，能耗目标推进至低于5皮焦耳每比特。英特尔指出，当前光学收发器市场中激光芯片与磷化铟材料产能长期供不应求，其将磷化铟光源技术直接整合进300毫米硅晶圆制程以提升制造效率与产能规模；自2016年投入商用以来，已累计出货超过800万个光学收发器和3200万个集成激光器。英特尔正依托300毫米硅光子制程与集成磷化铟光源技术推动共封装光学（CPO）与近封装光学（NPO）发展。
据Tom's Hardware于2026年10月17日报道，在传出RTX 5090生产将停止的传闻后，英伟达高级副总裁Jeff Fisher据称在会后采访中表示该显卡并未停产并将继续出货。其据称表示："供应链（产能）确实有些受限，但英伟达正在尽一切努力将产品推向市场……生产并未停止，英伟达将继续出货"，并称尽管存在RTX 5090（芯片）的其他变体。此前有传闻称，在英伟达据报将RTX 50 Super系列搁置后，已经很稀缺的RTX 5090生产据传将停止，可能是为了将宝贵的硅片制造产能用于更多AI加速器。零售端实况：亚马逊上RTX 5090由第三方卖家以约8,500美元出售；Newegg listings 5090s约7,300美元（据判断可能来自中国卖家，且美国关税可能进一步推高价格）；Best Buy无货；截至发稿，该卡在英伟达自有商城和Micro Center仍缺货。Tom's Hardware向英伟达求证未获回复，相关说法均属"据称/传闻"性质，生产状态尚未获官方确认。原文未说明供应链受限的具体原因之外，传闻中将产能转向AI加速器仅为"可能"的说法。
台积电董事长兼CEO魏哲家在第三财季（2026年7月～2026年9月）财报电话会上宣布已量产5倍光罩尺寸先进封装，良率“非常优秀”，并称目前除台积电外尚无其他企业能做到这一规模，客户对量产结果十分满意。台积电正在开发9倍光罩尺寸封装，并朝14倍光罩尺寸推进。TechNews援引Anue今年8月报道：台积电5.5倍光罩尺寸CoWoS已进入高量产阶段，多家AI客户产品良率稳定超过98%，部分甚至达到99%；公司计划到2029年将CoWoS扩展至14倍以上光罩尺寸。面对英特尔EMIB等竞争方案，魏哲家未直接点名，但表示若客户在竞争对手处无法获得足够的先进封装产能，台积电将做好准备，其首要任务是确保客户产品顺利上市并提供最佳技术与足够产能。
台积电3Q26财报后，外资券商发布解读：台积电将2026年营收增长展望上调至44%（同比），并预计4Q26再创单季纪录，同时维持2026年资本支出指引在600亿–640亿美元，但示意未来三年支出显著提高；文中指出，在半导体设备价格上涨背景下，台积电承认"设备通胀是真实的"，为资本支出进一步增加埋下伏笔。券商据此上调资本支出预测：UBS最乐观，预计2027年支出同比增长约45%至900亿美元，2028年再增至1,050亿美元；Morgan Stanley根据对设备供应商的初步查核，预计2027年EUV机台订单可能翻倍、2028年再增25–30%，并将2027/2028年资本支出估计分别上调至830亿和920亿美元；Goldman Sachs与BofA Securities均预计2027年支出达850亿美元。以上均为计划/预测，尚非已实现支出。产能方面：台积电计划加速2nm量产并扩建3nm产能（后者规划四座晶圆厂）；2nm营收占比从上季3%升至3Q26的8%，管理层预计2027年产能"将增加超过一倍"。毛利率承压：4Q毛利率指引65–67%，较3Q的66.4%上行空间有限（券商评估归因于2nm爬坡拖累盈利）；Citi、UBS与Goldman Sachs均预测2026年毛利率66.6%，2027年升至66.7–68.9%，2028年达67.1–68.9%。定价方面：Daiwa预测台积电以8英寸约当晶圆计的平均售价从2026年的3,513美元升至2027年的4,034美元、2028年的4,231美元；UBS模型更乐观，预计2026/2027/2028年分别为3,691/4,417/5,177美元。先进封装：Aletheia预计台积电尖端晶圆营收2026–2028年翻倍、先进封装营收同期增至四倍；Goldman Sachs预测CoWoS产能2026年达127.5万片晶圆（约每月10.6万片），2027年同比激增114%至273万片（每月22.75万片），2028年再增27%至348万片（接近每月29万片）。
据ZDNet援引业内消息，三星考虑为OLED Galaxy智能手机所用显示驱动IC（DDI）增加GlobalFoundries作为第二家代工伙伴，可能结束UMC的独家代工地位；GlobalFoundries代工的DDI最早或于2027年底出现在Galaxy智能手机中，部分中低端Galaxy A系列机型或率先采用，三星据报正在评估GlobalFoundries的22nm或28nm节点，其在新加坡和德国拥有兼容制造设施。背景原因：自2025年下半年以来成熟制程需求超过供给，UMC无法承接额外订单；据ZDNet，三星在7月发布Galaxy Z Fold8后因需求超预期要求加快DDI生产，但UMC因22nm DDI产能已达上限而无法满足，三星因此将9月Galaxy Z Fold8零部件计划产量削减10%，将延后产量移至10月。另据Economic Daily News，机构投资者预计UMC 12英寸产能利用率到2026年底达93%，受三星System LSI与联咏22/28nm DDI订单及55/65nm Apple Mac相关芯片需求支撑；TrendForce称部分产能受限的12英寸成熟制程节点2026年第二至第三季度出现5–10%涨价迹象，2027年预计更大范围涨价。以上均为报道/评估或预期，非已确定事项。
据IT之家10月15日援引路透社今日报道，SK海力士正计划以在美国新建NAND工厂的方式，向美国政府换取为中国大连工厂引进更多美国制造半导体设备的许可。两名知情人士称，SK海力士希望通过提升中国工厂产能为美国新工厂提供资金，并逐步扩大美国生产布局。SK海力士旗下美国子公司Solidigm希望在大连工厂尚未充分利用的厂房区域（厂区名Mod B，2023年建成，因当时存储市场低迷设备安装未完成）安装更多设备用于生产NAND闪存；该区域目前已安装部分设备，仍有空间容纳更多生产工具，Solidigm已申请出口许可证采购额外设备。SK海力士表示Mod B的设备安装正与美国政府密切协商并在获得授权的情况下进行，同时强调目前并未寻求扩大大连Mod B的产能；Solidigm拒绝置评。路透社9月曾报道Solidigm考虑在美国建设NAND闪存工厂，纽约州北部为主要候选地点之一；另一名知情人士称Solidigm正考虑最早于2027年进行IPO以筹集可能用于新工厂建设的资金。报道还提及美国政府正推动SK海力士、三星电子等海外半导体企业赴美建厂；人工智能和云计算数据中心需求增长、全球存储芯片供应趋紧、NAND闪存价格持续上涨，促使相关厂商考虑扩大生产。此外，SK海力士还在与英特尔洽谈租用其俄亥俄州半导体制造设施的部分空间，并已在印第安纳州启动一座主要面向HBM产品的先进封装工厂建设。大连工厂设备来自泛林集团（Lam Research）、应用材料（Applied Materials）和科磊（KLA）等美国厂商。
ASML于2026年10月14日发布2026年第三季度财报，称AI热潮带来的空前支出与投资并未放缓，客户已在排队为其先进芯片制造设备下单2029年和2030年的产出；CEO Christophe Fouquet表示，尽管公司在7月宣布了2027年提升产能30%、2028年再提升30%的计划，公司将难以满足需求。公司还确认将从2027年起提价，全部效果将在2028年显现。Q3 2026财报显示净利润为49.6亿欧元，净销售额为117亿欧元；公司预计第四季度销售额为142亿至152亿欧元（159亿至170亿美元），并将全年销售预期从至少430亿欧元上调至440亿–450亿欧元。周三ASML股价上涨2%，今年迄今累计上涨近70%，市值达5860亿欧元，成为欧洲市值最大的公司。此外，据Reuters报道，据报道Terafab将于2027年中期从ASML收到其首台EUV芯片制造工具；CFO Roger Dassen称仍在评估该（Terafab）机会的确切规模。
摘要：TSMC 首席执行官 C.C. Wei 在 2026 年 10 月 15 日（星期四）的确认中表示，公司正在考虑在美国亚利桑那州以外扩大产能，得克萨斯州是其中一个选项；已派团队到得克萨斯进行评估，并与一位正在尝试建造名为 Terafab 的晶圆厂的客户（埃隆·马斯克）进行了讨论。若 TSMC 加入该项目，将坚持由 TSMC 运营该晶圆厂。目前双方仍在讨论中，尚未达成任何协议。
据消息人士透露，马斯克旗下芯片项目Terafab可能在明年年中迎来其首台EUV光刻设备。研究机构SemiAnalysis此前预计Terafab建筑将在15个月内竣工，并需要六个月的时间来安装设备和生产设施。此外，Terafab最初的芯片预计仍将使用传统芯片设备，以配合英特尔的14A工艺。上述时间与设备安排均为消息人士透露及第三方机构的预计，项目尚处计划阶段，原文未说明原因。
据TrendForce于2026年10月15日3:45 AM发布的消息（推文显示6小时前），华盛顿支持Intel的先进制程推进，同时加码支持GlobalFoundries的特种芯片业务；日本计划投资$21B在纽约建设最多两座新厂，Renesas与Apple已被列为首批客户。该事件为计划状态，尚未实施。
据2026年10月15日报道，台积电CEO魏哲家强调公司具备5x光罩尺寸先进封装的量产能力且良率高，并称竞争对手尚未企及；他表示若包括Intel EMIB在内的对手封装供应商无法满足客户需求，台积电可以补位。台积电自身CoWoS产能受限，但仍加码先进封装；9x方案在开发中、14x在规划中。据Anue 8月报道，台积电先进封装技术暨服务副总经理何军表示，5.5x光罩尺寸CoWoS技术已进入大量生产，对多家AI客户良率超过98%，部分高达99%；CoWoS以每年一代的速度推进，预计到2029年扩展至14x光罩尺寸封装。另据报道，魏哲家预期下一代A14（1.4nm级）制程客户参与度更强、规模将大于N2，计划2027年进入风险试产、2028年进入大量生产；Intel正加速14A路线图，据报道CEO陈立武目标最早2027年第一季度风险试产，而Intel官方时间表较保守，内部14A产品规划于2027年下半年、2028年大量生产。据7月TechPowerUp援引KeyBanc的报道，Intel据报计划在内部制造即将推出的Nova Lake计算芯片的80–90%，逆转此前由台积电N2承担60–70%、Intel 18A承担其余的双源策略。魏哲家强调台积电对所有客户一视同仁，无论是IDM还是fabless设计公司，并将客户内部制造能力纳入自身产能规划。
台积电正在考虑将美国制造布局扩展到德州，原因是美国客户需求增长促使公司评估亚利桑那之外的新增产能。在2026年10月15日的台积电2026年第三季度财报电话会议上，董事长兼CEO魏哲家表示公司已派团队赴德州评估潜在扩建的条件；他指出台积电拥有庞大的美国客户群，客户敦促公司扩大在美国的制造布局，并将美国政府的支持列为考量进一步投资的因素之一，德州已成为评估中的地点之一。关于Terafab，魏哲家确认公司正在就该项目进行讨论，但结果仍不确定，并强调任何涉及台积电的晶圆厂都必须由台积电自己运营。此前10月7日马斯克立场不同：据路透社报道，马斯克称他的公司将建造并运营Terafab，台积电可能转租部分设施但不承担运营角色，双方合作结构仍不确定。另据路透社援引彭博社报道，英特尔CEO陈立武表示英特尔将继续参与Terafab项目。台积电还预计海外晶圆厂带来的毛利率稀释在2026年接近2个百分点，未来几年随着更多海外晶圆厂投产将扩大到3-4个百分点；公司全球拥有近20座晶圆厂，其中13座在台湾，约5至6座海外晶圆厂在建设中。为支撑N3节点的持续需求，台积南科新厂将于2027年上半年开始量产，并决定在台南再增建一座晶圆厂，定于2028年上半年量产；亚利桑那第二座晶圆厂建设已完成、设备安装进行中，预计2027年第三季度开始量产、略早于计划；台积电还计划2028年在日本第二座晶圆厂开始3nm量产。
据2026年10月14日报道，Kontron已开始在位于美国阿拉巴马州亨茨维尔的子公司Nextek生产其加固型VX307H计算板，同时该产品从按订单生产转向按库存生产，以缩短对美国防务客户的交货时间。VX307H是Kontron在美国扩大VPX制造的首个产品，VX3060和VX30101计划随后跟进。Nextek负责从PCB组装到最终组装和测试的完整生产链，该设施通过AS9100和ISO 9001认证，已注册ITAR并遵循IPC工艺标准。公司发言人表示，防务客户要求更强的供应链韧性、更快的可用性和更近的支持渠道，将VX307H生产带到美国正是为满足这些需求。VX307H为基于Intel Xeon D-2700/2800处理器的3U VPX平台，符合SOSA标准设计。
ASML在财报电话会议上警告，即使2027年计划产能提升30%、2028年再目标性扩张30%，其计划产能仍无法跟上2027年和2028年的客户需求；据Reuters报道，CEO Christophe Fouquet称2028年订单已在涌入，部分客户希望提前锁定2029年甚至2030年的设备。ASML预计今年出货约65台系统，较去年增长超过50%；DUV浸没式工具的出货预期也已显著改善，由此前预期的下滑转为大致同比持平。ASML确认将于2027年推出NXE:3800F EUV扫描仪，晶圆产能从现在的230片/小时提升至260片/小时，公司称该突破预计从2028年及以后开始显著扩大客户产能；同时ASML正推进DUV产品组合，将2027年交付的关键浸没式工具升级至创纪录的330片/小时。定价方面，ASML称与主要客户的定价谈判已结束，影响预计在2026年最小，2027年开始显现，2028年起全面显现；据The Elec报道，ASML据称寻求对供应给韩国（三星电子与SK海力士已获通知）的替换零件提价10%。业绩方面，ASML第三季度创纪录净销售额116.6亿欧元，高于上一季度的93.3亿欧元；净利润从29.2亿欧元增至49.6亿欧元，毛利率从54%扩大至57.5%；公司预计第四季度营收为142亿–152亿欧元（159亿–170亿美元），毛利率约57%；全年营收指引下限上调10亿欧元至440亿–450亿欧元，上限维持不变，预计毛利率约56%。涨价影响尚未落地，产能扩张为计划状态。
SEMI 预计，受美国投资推动，美洲 300mm 晶圆 fab 设备支出将从 US$18.1 亿美元在 2026 年增至 US$40.6 亿美元在 2029 年，增长超过一倍，原因是台积电、英特尔、美光、三星的扩张。
微软计划进行多吉瓦特规模的下一代 Azure Maia AI 加速器推出，生产部署计划于 2027 年进行。公司声称，96 颗加速器的配置将提供比其 Maia 200 前身高达七倍的令牌吞吐量，并且每兆瓦提供的令牌数比领先的 GPU 系统多 40%。每颗 Maia 300 加速器将配备八个 HBM4 内存堆栈，峰值内存带宽最高可达 18 TB/秒。
AMD 在 2026 年 9 月开始出货 Helios 生产，首批系统已安装在包括 OpenAI、Meta、Microsoft、Oracle 和 Anthropic 在内的领先客户处。原文未说明原因。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |