55英特尔马来西亚先进封装工厂今年投产
英特尔马来西亚先进封装工厂完工99%，计划今年投产，总投资约70亿美元。该工厂将支持EMIB和Foveros技术，旨在满足Chiplet设计和更大封装尺寸需求。中性：此为长期产能扩张，对当前组件价格和供应无直接影响。
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英特尔马来西亚先进封装工厂完工99%，计划今年投产，总投资约70亿美元。该工厂将支持EMIB和Foveros技术，旨在满足Chiplet设计和更大封装尺寸需求。中性：此为长期产能扩张，对当前组件价格和供应无直接影响。
三星计划今年将HBM产能提升3倍，HBM4占比超50%，并开发采用2nm基板和1d DRAM的HBM5/HBM5E。此举将大幅增加市场供应，利空HBM价格。
台积电计划在2026年前将SoIC月产能提升至1-1.5万片，并于2027年后进一步扩产以满足英伟达等客户需求。SoIC单位产能资本支出高达68-70亿美元/万片，高度依赖前端混合键合设备。利多：明确的先进封装产能扩张路线图，将直接拉动设备供应商订单。
美光完成收购力积电视头份P5厂，获得约2.8万平方米300mm洁净室空间。该厂将作为台中厂区延伸，用于扩产先进DRAM及HBM产品以应对AI需求。关注：此为长期产能布局，预计2028财年方有显著产出，对近期现货市场无直接影响。
美光以约18亿美元完成对力积电铜锣300mm晶圆厂的收购，该厂洁净室面积达30万平方英尺。该工厂将用于支持HBM等高端DRAM产品，预计最快2027年下半年开始出货，并计划于2026年夏季启动同等规模的二期扩建。关注：此次并购为远期AI关键组件产能布局，对当前现货市场无直接影响。
美光计划在其新收购的台湾苗栗铜锣厂区建设第二座晶圆厂，以扩大HBM等先进内存芯片产能。此举旨在应对人工智能应用驱动的内存需求持续增长。利空：新增产能计划于2026财年末启动，中期将增加市场供应，对内存价格构成潜在下行压力。
美光已完成收购力积电视子厂铜锣厂，并计划在同一厂址建设第二座晶圆厂，预计FY26年底前动工以扩大下一代DRAM及HBM产能。此举是美光在关键地区扩大先进内存制造布局的战略步骤。利空：DRAM/HBM的长期产能扩张增加未来供应，可能对价格构成压力。
三星、SK海力士和美光预计存储芯片短缺将持续至2028年底，随后供需恢复平衡。基于此预测，制造商正重新评估是否在现有ASML光刻机订单基础上进一步扩产。利空：远期产能扩张计划预示2028年后存在供应过剩风险，对长期价格构成压力。
美光计划在台湾铜锣新收购厂区建设第二座晶圆厂，预计2026财年底动工，新增约27万平方英尺洁净室用于下一代DRAM/HBM生产。此举基于其刚完成的力积电P5厂收购，并与获得日本政府5360亿日元补贴的广岛工厂扩建计划同步推进。利空：多区域产能扩张计划预示未来供应增加，可能对DRAM/HBM的长期价格构成压力。
JKM耗资750亿韩元在世宗市建成新厂，全面生产半导体光刻材料及HBM封装用PSPI、PBO等。利空 - 新产能投放可能加剧光刻材料供应过剩压力。
三星代工接获Groq订单激增约70%至1.5万片，HyperAccel芯片亦全权委托三星生产。Groq正从样品阶段进入大规模量产，特斯拉则推迟了MPW生产导致DeepX芯片量产推迟6个月。利多三星代工产能利用率提升，但特斯拉延期引发供应链扰动。
Samyang NC Chem计划今年量产HBM后端封装用光刻胶材料，供应三星、SK海力士及美光。该材料用于TSV工艺及凸块结构，公司同时开发玻璃基板光刻胶，预计明年量产。利空：HBM封装材料产能扩张，缓解供应紧张。
OpenAI与甲骨文放弃德州数据中心扩建计划，媒体称Meta或接手，英伟达介入。此举源于项目评估与战略调整，可能涉及AI算力需求的结构性迁移。关注：数据中心资本开支的重新分配可能对上游芯片（GPU/HBM）的短期订单流产生影响。
亚洲主要厂商2026年资本支出预计达1360亿美元，台积电和SK海力士增幅显著。台积电聚焦先进制程，三星和SK海力士重点投入HBM及DRAM扩产。利空。扩产计划预示供应增加，可能缓解HBM及先进制程的短缺压力。
SK海力士董事会批准追加21.6万亿韩元投资，以在2030年前完成龙仁第一工厂建设，并将首间无尘室投产时间提前至2027年2月。此举是三大存储巨头为满足AI/HBM需求而展开的新一轮资本开支竞赛。利空：大规模产能扩张虽为长期计划，但预示未来供应增加，若需求增长不及预期，将对内存价格构成下行压力。
2026年亚洲主要半导体厂商资本支出预计突破1360亿美元，同比增长25%，由AI芯片与HBM内存需求驱动。台积电、三星电子和SK海力士位居支出规模前列。利多：明确的资本开支扩张计划，预示对先进制程和存储的长期需求强劲，支撑相关设备与材料供应链。
TrendForce数据显示，亚洲主要芯片厂商2026年资本支出预计超1360亿美元，同比增长25%，其中台积电支出达520-560亿美元，70-80%用于先进制程。三星、SK海力士及铠侠联盟亦大幅扩产，重点投向HBM及先进产能。利空：此轮大规模资本支出潮，尤其是HBM与先进逻辑制程的产能扩张，预示未来供应将显著增加，对2026-2027年芯片价格构成潜在下行压力。
SK海力士追加150亿美元投资，加速龙仁晶圆厂建设，目标2027年2月投产以扩大HBM4及高端DRAM产能。此举基于其2026年HBM与高端DRAM产能已全部售罄，且HBM市占率近60%的主导地位。利多：大规模扩产计划锁定远期高端存储供应，强化AI需求驱动的卖方市场格局。
TrendForce预计2026年亚洲主要半导体厂商资本支出将达1360亿美元，同比增长25%，台积电（560亿美元）、三星与SK海力士领投，重点投向先进制程与HBM产能。本轮扩张由AI芯片与HBM需求持续升温驱动，二线内存厂商华邦电子与南亚科技亦大幅上调资本预算。利多：巨额资本开支锁定未来高端芯片与内存供应，利好设备与材料链订单，但需关注后续产能集中释放的过剩风险。
三星电子计划于2028年启动平泽P5工厂运营，专注于生产用于AI服务器的高带宽内存和先进DRAM。此举是其扩大AI芯片制造版图的一部分，德州晶圆厂也在同步扩产。利空：关键AI内存组件长期产能扩张，增加未来供应潜力，可能缓解长期价格压力。