长鑫存储启动科创板IPO募资295亿元，用于升级17nm产线、扩产DDR5及研发HBM。资金将重点投向AI服务器和高性能计算领域。利空。产能扩张将增加市场供应，对DDR5及HBM价格形成压制。

美光在日本广岛启动晶圆厂扩建，投资1.5万亿日元生产HBM，预计2028年夏季出货。该项目获得日本政府5000亿日元补贴，旨在满足AI处理器需求，并作为美光全球AI存储扩张战略的一部分。利空HBM价格，因产能扩张将增加未来供应。

SEMI预计2026年全球300mm存储设备投资将首次突破500亿美元。受AI对高带宽内存（HBM）和DDR5需求激增的推动。利多存储芯片价格及未来供应紧张预期。

三星集团会长李在镕宣布将光州作为芯片生产基地，并计划在忠清建设HBM工厂。此举旨在强化三星在先进存储器领域的产能布局，应对AI算力需求增长。利空：新增产能将缓解HBM供应紧张局面，长期可能对现货价格形成压制。

长电科技宣布投资11亿美元建设先进封装与测试产能。此举旨在应对中国AI芯片瓶颈，由HPC、HBM及Chiplet需求驱动。利空：产能扩张计划预示未来供应增加，可能压制先进封装服务价格。

三星HBM4销售额突破10亿美元，正加速扩产。相比之下，SK海力士转向更注重盈利的策略。利空，竞争加剧可能导致HBM4供应过剩及价格承压。

英特尔将先进封装分拆为独立业务，聘请SK海力士前CEO掌管，EMIB-T技术今年量产。此举旨在应对TSMC CoWoS产能长期紧缺，并整合HBM与逻辑芯片。关注：先进封装产能结构性调整，英特尔目标封装营收超10亿美元。

美光聘请Bechtel承建纽约首两座晶圆厂，预计2030年及2033年投产。该项目投资约500亿美元，旨在通过标准化EPC流程缩短量产周期。利空，Micron补贴驱动的成本结构将增强定价权，对DRAM现货价形成下行压力。

SK海力士计划到2034年将晶圆产能提高两倍，以满足AI驱动的存储芯片需求。此外，SK集团还计划与英伟达合作，于2028年至2029年间在日本建设一座AI数据中心。利空。大规模产能扩张可能引发供应过剩担忧，拖累DRAM和HBM价格。

英伟达CEO黄仁勋指出SK海力士2030年产能翻倍计划不足以满足需求。当前AI芯片需求激增导致HBM及DRAM供应严重短缺。利多，预计供需缺口将进一步扩大，现货价格将维持强势。

英伟达CEO黄仁勋确认三星、SK海力士及美光三家厂商已获HBM4供应资格。此举表明HBM4供应链建设已进入实质阶段，英伟达正积极调配资源以保障AI芯片产能。利多HBM供应商产能利用率，预计HBM4相关产品需求将保持强劲。

SK集团董事长预计存储芯片供需紧张将持续至2030年，并计划在未来五年内将晶圆总产能翻倍。此举旨在应对激增的AI需求，并深化与台积电及英伟达在HBM4E等下一代产品上的合作。利多短期至中期的存储芯片价格，但需关注远期产能翻倍带来的供应格局变化。

SK海力士于4月22日动工建设P&T7先进封装测试工厂，总投资19万亿韩元，计划分阶段于2028年完工。该工厂专注于AI内存（包括HBM）生产，旨在巩固其市场领导地位。中性：此为长期产能扩张计划，旨在应对未来AI需求增长，对当前现货供应及价格无直接影响。

SK海力士在清州举行P&T7先进封装工厂奠基仪式，投资额达数万亿韩元。该工厂专用于生产HBM等AI内存产品，WT产线预计2027年10月完工，WLP产线预计2028年2月完工。中性：此为长期产能扩张计划，利好远期HBM供应，但对当前交易无直接影响。

SK海力士计划投资19万亿韩元建设新工厂，先进封装产线将于四月开工。此次投资旨在扩大产能，特别是针对先进封装领域，以应对AI算力需求。利空，新产能释放将增加市场供应，短期可能对HBM及先进封装价格造成压力。

SK海力士动工建设价值19万亿韩元的P&T7先进封装厂，目标2028年启动晶圆级封装产线。此举旨在扩大HBM及AI内存封装产能，以应对市场需求。中性：长期产能扩张满足远期需求，对当前现货供应及价格无直接影响。