普渡大学与台湾 GeChi Compound Semiconductor 合作，将碳化硅衬底产能扩大至 8 英寸和 12 英寸。该合作旨在解决下一代高性能计算和 6G 基础设施中关键的散热、功率瓶颈。利空（供应增加预期）。

英特尔在里奥兰佐建设全球首条玻璃基板量产产线，并向外部客户提供硅光子服务。此举旨在强化其代工业务竞争力，布局先进封装与光互连技术。关注先进封装产能扩张对供应链格局的重塑。

AMD CEO Lisa Su宣布将在台湾投资超过100亿美元以加速AI基础设施发展。此次访问期间，她与台积电分享了后端封装、基板及AI服务器供应链的最新进展。利多AMD及台积电AI芯片需求与供应链合作前景。

ASML预计数月内出货首颗高阶EUV芯片，英特尔与SK海力士加速采用，TSMC因成本高昂推迟布局。利多高阶光刻设备需求，但TSMC与三星策略分化将影响未来产能。

南亚科预计2026年资本支出将大幅反弹，可能达到创纪录的高点，主要受AI芯片封装客户对先进基板需求加速的推动。中性。

味之素斥资约1.2亿日元在岐阜县购买土地，计划于2032年投产第三座ABF工厂。随着AI数据中心需求激增，ABF作为半导体封装关键材料，其利润率已超过50%，公司正通过扩建产能应对未来增长。利多：味之素凭借超95%的全球ABF市场份额，产能扩张将进一步巩固其在AI封装材料领域的垄断地位。

三星代工获光模块订单，计划2026年下半年量产；为应对AI数据中心铜缆物理限制，三星加速硅光与CPO布局。利多 - 硅光与CPO技术路线确立，产能扩张预期增强。

英特尔投资的3D Glass Solutions在印度动工建设首座3D芯片封装厂，目标年产能约7万片玻璃基板。此举旨在扩大先进封装领域的长期供应能力。中性：此为远期产能规划，对当前市场价格及现货供应无直接影响。

Intel支持的3D玻璃解决方案公司（3DGS）在印度启动首座先进3D封装工厂建设，年产能目标为6.96万块玻璃基板。该项目由英特尔资本和洛克希德马丁投资，旨在生产玻璃中介层和3D异构集成模块。关注 - 该产能扩张将缓解先进封装领域的供应紧张，但长期可能带来价格下行压力。

3DGS在印度投资2.1亿美元建设先进3D封装厂，年产能1.3万个3DHI模块。项目服务于AI、数据中心等高增长领域，预计2028年8月投产。利空：产能扩张计划增加未来供应，对相关封装组件价格构成下行压力。

日月光启动六座新厂建设，三星计划投资40亿美元在越南建封测厂，Amkor亦在越南加速扩产。本轮扩产旨在应对AI、HPC及数据中心驱动的芯片需求增长。利空：三大封测巨头同步大规模扩产，预示未来封装产能将显著增加，可能缓解供应紧张并压制相关服务价格。

马斯克的Terafab项目正以‘光速’向应用材料、东京电子等设备供应商询价，并要求快速交付，据报愿支付溢价。此举源于项目已获200亿美元注资，旨在解决其公司芯片产能瓶颈。利多：一个资金雄厚的新买家入场，其加急采购和溢价意愿将推高设备需求，可能加剧供应紧张。

台积电预计其CoWoS先进封装产能将在2026年底达到每月11.5万至14万片，并于2027年增至约17万片，扩产集中于台南与嘉义。公司同时推进CoPoS面板级封装，试点线预计2024年6月完成，目标2028-2029年量产。利多：大规模产能扩张表明对AI/GPU封装长期供应承诺坚定，但无即时价格影响。

SK海力士因英伟达Rubin平台延迟，计划将2026年HBM4出货量削减20-30%，需求转向HBM3E。三星电子目标在2026下半年将HBM4用1c DRAM良率从不足60%提升至80%，以应对高成本压力。利多：HBM3E需求；利空：HBM4短期供应；关注：HBM4良率爬坡与Rubin验证进度。

台积电2月交付CoPoS设备，6月完工。该技术通过拼板解决AI芯片封装瓶颈，提升晶圆利用率。利空：先进封装产能扩张增加供应。

欧洲PCB基材供应链仅剩Isola一家和CircuitFoil一家铜箔厂，且已失去电子玻纤布产能。空间、航空及国防领域OEM客户正转向欧洲供应商以确保供应链安全，不再单纯追求成本。利多：欧洲PCB基材供应商议价权提升，供应链结构性短缺风险加剧。

臻鼎科技预计第二季度强劲增长，服务器与光通信业务逐季扩张，IC基板受益于AI需求。客户正扩大下一代平台生产，且公司预计2026年将进入加速扩张阶段。利多：AI算力需求强劲，推动IC基板及PCB产能扩张预期。

蓝思科技披露AI服务器在手订单饱满，并已为头部客户批量交付具身智能机器人整机及核心模组。公司正配合收购推进AI服务器产能扩张，汽车玻璃、HDD玻璃基板等新产线亦在陆续投产。利多关注：AI服务器与机器人订单预示下游需求强劲，可能拉动相关结构件及模组供应链，但具体对电子元件现货价格的影响尚待观察。