60罗姆2027年GaN内制化，供应自主化
罗姆半导体集结技术人员，计划2027年实现GaN内部制造以克服TSMC撤退逆风。此举旨在提升供应链自主性。利空GaN供应前景。
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罗姆半导体集结技术人员，计划2027年实现GaN内部制造以克服TSMC撤退逆风。此举旨在提升供应链自主性。利空GaN供应前景。
ROHM半导体与Aixtron合作，在浜松工厂导入G10-GaN MOCVD系统量产8英寸GaN外延片。此举旨在建立自有的GaN外延产线，覆盖650V和100V功率器件平台。关注ROHM GaN功率器件供应链稳定性提升及长期产能释放对市场的影响。
铠侠计划2026至2028财年平均每年资本支出达4700亿日元，较2025财年大增66%，并考虑建设第三座北上山工厂。尽管当前产能利用率仅约50%，但受AI推理NAND需求86%复合年增长率驱动，公司预计供需紧张将持续至2027年。利多NAND Flash价格走势，供应链中短期内将维持紧缩状态。
TI投600亿美元建七厂，目标2030年自产95%芯片。此举旨在应对数据中心和工业市场需求的强劲增长，其中数据中心营收同比激增90%。利多。垂直整合策略将强化供应链控制力，且旺盛需求预示着相关IC产品前景乐观。
博世推出第三代SiC芯片并宣布扩产计划，总投资额达50亿美元。该公司利用先进工艺和200mm晶圆技术，旨在满足电动汽车市场快速增长的需求。利空：巨额产能扩张可能在未来导致SiC芯片市场供需失衡，价格承压。
IVWorks获6亿韩元Pre-IPO融资，推进8英寸GaN-on-SiC量产。公司通过技术轨道上市申请，并已锁定12英寸设备以应对未来需求。关注：产能扩张计划虽利好长期供应，但短期对现货价格影响中性。
三星8英寸GaN产线已就绪，目标2026年第二季度量产，并计划今年晚些时候推出SiC代工线。此举是三星扩大在下一代功率半导体领域布局的一部分。利空：GaN与SiC产能的远期扩张计划，为相关功率芯片的长期供应增加压力。
三星首条8英寸GaN产线预计2026年Q2量产，初始营收预计低于1万亿韩元。公司已投资约1000-2000亿韩元购置设备，并计划年内启动SiC产线。中性：新增产能属远期供给，且已延迟、初期规模有限，对当前交易价格无直接影响。
iSABers完成5亿元融资，TBSTest完成12亿元Pre-IPO融资。资金将用于高端封装设备与ATE研发扩产，加速国产化进程。利多国内半导体设备厂商，长期供应能力提升。
三星电子计划最早于第二季度开始其氮化镓功率半导体代工产线的量产，并准备在今年晚些时候生产碳化硅样品。此举标志着三星正式进入高增长的宽禁带功率半导体代工市场。利空：氮化镓及未来碳化硅代工产能的增加，可能对相关功率半导体中期价格构成下行压力。
三星电子将于第二季度启动8英寸GaN功率半导体代工产线量产，并已获得客户。此举标志着三星正式进入GaN代工领域，DB HiTek与SK Keyfoundry亦计划跟进。利多：GaN晶圆及代工供应增加，迎合电动车充电桩与AI数据中心需求增长，但初期营收贡献有限。
台积电计划于2027年7月31日退出GaN代工业务，罗姆半导体获得其技术授权，将于2027年在浜松工厂建立专用生产线。此举旨在应对AI服务器等先进应用需求的激增，同时台积电加速向技术授权模式转型，格芯和Vanguard等厂商也相继跟进。利多GaN功率器件供应格局，预计未来几年GaN产能将向IDM厂商转移，价格走势受供需结构变化支撑。
CHIPX计划在马来西亚新建8英寸GaN-on-SiC晶圆厂，为东盟首个同类前端产线。该投资旨在推动马来西亚进入前端制造，满足AI与高性能计算对先进光子学及材料的需求。利空：新增GaN/SiC晶圆产能计划，长期可能缓解该细分市场供应紧张，对相关功率及射频半导体价格构成下行压力。
Veeco公司获得来自一家主要功率半导体IDM的Propel300 MOCVD设备订单，用于300mm硅基氮化镓外延生产。该订单由电动汽车和数据中心等应用需求推动，反映了IDM对GaN产能的持续投资。关注：设备采购预示未来GaN功率器件供应将增加，可能缓解长期价格压力，但对现货交易的直接影响尚不确定。
台积电将于2027年7月底前停止氮化镓代工生产，其客户纳微半导体计划在未来12-24个月内将650V GaN产品转单至力积电。此举源于中国大陆竞争对手带来的价格压力，导致代工利润被侵蚀。利空：GaN代工市场竞争加剧，产能向低成本厂商转移，预示该领域服务价格可能下行。
Navitas半导体宣布与力积电(PSMC)达成战略合作，启动200mm硅基氮化镓技术生产与开发。此举旨在扩大GaN功率IC的制造规模，以满足快速增长的市场需求。利空：该产能扩张计划增加了GaN功率半导体的未来供应潜力，若需求增速未能匹配，可能对价格构成下行压力。
格芯计划在纽约和佛蒙特州追加30亿美元投资，用于扩产半导体制造及先进封装能力。此举旨在加强硅光子、先进封装及氮化镓技术的研发。利空，产能扩张可能加剧市场供应压力。
欧洲投资者以2035万欧元收购比利时BelGaN氮化镓工厂旧址，计划投资2.5亿欧元改造为光子芯片产线。原BelGaN的制造设备已于2024年破产后拍卖，筹集超2300万欧元。关注：该交易为光子芯片领域带来长期产能规划，但对当前氮化镓等成熟功率器件现货市场的直接影响有限。
MACOM公布五年3.45亿美元投资计划，用于升级美国晶圆厂并新增150mm GaN产线。此举旨在扩大射频与微波应用的氮化镓和砷化镓芯片产能。利空：该长期产能扩张计划预计将增加GaN/GaAs射频元件供应，对相关产品远期价格构成下行压力。
格芯获得美国政府950万美元额外资金，用于推进其佛蒙特州工厂的硅基氮化镓芯片生产。该资金旨在加强美国在电动汽车和电网等关键领域的芯片制造能力。关注：此举表明对扩大GaN产能的长期支持，可能缓解未来该高增长元件的供应压力。