美光在弗吉尼亚工厂开始量产1-alpha DRAM。这是美国最先进的内存技术，也是扩大国内半导体制造的关键里程碑。利空：产能扩张将增加未来供应，压制价格。

美光宣布启动弗吉尼亚州1α工艺DRAM生产，预计年内量产。该基地DDR4产能将增至当前四倍，以保障汽车、国防等利基市场供给。利空。大规模扩产将增加DDR4供应，可能压制现货价格。

美光在弗吉尼亚工厂启动1α DRAM工艺量产。该工艺为美国最先进内存技术，主要应用于DDR4和LP4产品。利多美光长期产能布局，但短期对现货价格影响中性。

ASML预计数月内出货首颗高阶EUV芯片，英特尔与SK海力士加速采用，TSMC因成本高昂推迟布局。利多高阶光刻设备需求，但TSMC与三星策略分化将影响未来产能。

JSR与台厂合资在云林建厂，预计2028年量产EUV光刻胶。为补齐供应链缺口并配合TSMC 2nm以下制程需求，JSR成为最后一家在台设厂的日本大厂。关注：此产能扩张将缓解EUV材料供应瓶颈，但需观察2028年量产进度及竞争格局变化。

中芯国际扩产NAND与DRAM产能以应对制裁压力。此举旨在满足AI需求并推进国产供应链，利空：产能扩张增加供应，可能压制现货价格。

TSMC 3nm月产能预计2026年底达18万片，年增超40%；2nm产能亦将激增至10万片。主要受NVIDIA、AMD及汽车领域AI硬件强劲需求驱动。利空：产能大幅扩张可能缓解供应紧张，导致现货价格承压或趋于平稳。

SK海力士在清州工厂部署2000张Nvidia Blackwell显卡用于内部AI系统。此举旨在保障核心数据安全并优化晶圆厂数字孪生与生产流程。利多SK海力士AI基础设施布局及Nvidia AI芯片需求。

SK海力士在清州举行P&T7先进封装工厂奠基仪式，投资额达数万亿韩元。该工厂专用于生产HBM等AI内存产品，WT产线预计2027年10月完工，WLP产线预计2028年2月完工。中性：此为长期产能扩张计划，利好远期HBM供应，但对当前交易无直接影响。

三星电子据报自2026年4月起为特斯拉增加GDDR6生产，同时因良率不足暂停下一代1d DRAM的量产计划。此举是三星在存储产品线内部进行的产能战略调整。关注：供应信号复杂；特斯拉GDDR6供应可能趋紧，但1d DRAM延迟或略微缓解整体DRAM产能压力。

SK海力士动工建设价值19万亿韩元的P&T7先进封装厂，目标2028年启动晶圆级封装产线。此举旨在扩大HBM及AI内存封装产能，以应对市场需求。中性：长期产能扩张满足远期需求，对当前现货供应及价格无直接影响。

SK海力士在印第安纳州破土动工首座美国先进封装厂，计划2028年下半年量产HBM4E和HBM5。公司同步推进国内清州P&T7厂扩建及DRAM产线升级，并安装20台ASML EUV光刻机。利空：新增产能将加剧HBM及DRAM市场供应压力，现货价格承压下行。

三星泰勒晶圆厂就绪度达90%，计划2026下半年量产特斯拉AI5/AI6芯片。三星2nm良率约55%，落后于台积电的80-90%，是主要风险。利多：特斯拉AI6/6.5将采用LPDDR6，提振三星及SK海力士需求；利空：良率差距可能限制供应；关注：泰勒厂量产爬坡进度。

YC Chem投资138亿韩元扩建HBM材料产线，Q4量产胶水清洁剂和剥离剂。随着HBM需求上升及客户订单锁定，公司需通过专用产线解决产能瓶颈。利空，产能扩张将增加HBM后段封装材料供应，缓解供应紧张。

YMTC第三座武汉工厂预计2026年底投产，国产设备占比超50%，并计划再建两座同等规模工厂。此举将使YMTC的3D NAND产能翻倍，旨在利用其晶圆键合优势。利空：产能扩张将加剧供应过剩，可能对价格构成下行压力。

长江存储计划新建三座晶圆厂，目标将其总月产能从20万片提升至40万片，首座新厂预计今年投产。此次扩张在美国实体清单限制后高度依赖本土设备，并战略性地推进DRAM生产。利空：NAND产能大幅扩张及潜在的DRAM市场进入，将对全球存储芯片价格构成长期供应压力。

SK海力士因英伟达Rubin平台延迟，计划将2026年HBM4出货量削减20-30%，需求转向HBM3E。三星电子目标在2026下半年将HBM4用1c DRAM良率从不足60%提升至80%，以应对高成本压力。利多：HBM3E需求；利空：HBM4短期供应；关注：HBM4良率爬坡与Rubin验证进度。

YMTC计划在武汉再建两座晶圆厂，使月产能翻倍至20万片，第三期设备国产化率超50%。此举旨在验证国产设备在量产环境下的3D NAND良率表现，受美国制裁限制西方设备获取影响。利空：产能扩张计划预示供应增加，可能对NAND Flash和DRAM价格构成下行压力。

长江存储计划新建两座晶圆厂，连同即将投产的第三工厂，预计将使其总产能翻倍至每月超50万片晶圆。此举发生在美国收紧对华半导体设备出口管制及中国寻求技术自主的背景下。利空：主要市场参与者的产能扩张，尽管面临地缘政治限制，仍将增加全球NAND及DRAM市场的供应压力。