三星电子2024年资本支出与研发投资将超110万亿韩元，同比增22%，资金重点投向其半导体解决方案部门。此举旨在加速平泽P4/P5及美国泰勒工厂建设，以争夺AI内存与2nm代工市场主导权。利空: 大规模产能扩张预示长期供应增加，但对AI芯片的集中投资可能加剧先进制程结构性紧张。

三星聚焦1c DRAM与自研4nm逻辑晶圆，SK海力士拟转投台积电3nm制程。紧随HBM4交付英伟达之后，存储巨头加速布局下一代逻辑与DRAM产能。关注产能规划变动，短期现货价格影响有限。

美光完成收购力积电视头份P5厂，获得约2.8万平方米300mm洁净室空间。该厂将作为台中厂区延伸，用于扩产先进DRAM及HBM产品以应对AI需求。关注：此为长期产能布局，预计2028财年方有显著产出，对近期现货市场无直接影响。

美光以约18亿美元完成对力积电铜锣300mm晶圆厂的收购，该厂洁净室面积达30万平方英尺。该工厂将用于支持HBM等高端DRAM产品，预计最快2027年下半年开始出货，并计划于2026年夏季启动同等规模的二期扩建。关注：此次并购为远期AI关键组件产能布局，对当前现货市场无直接影响。

美光已完成收购力积电视子厂铜锣厂，并计划在同一厂址建设第二座晶圆厂，预计FY26年底前动工以扩大下一代DRAM及HBM产能。此举是美光在关键地区扩大先进内存制造布局的战略步骤。利空：DRAM/HBM的长期产能扩张增加未来供应，可能对价格构成压力。

三星、SK海力士和美光预计存储芯片短缺将持续至2028年底，随后供需恢复平衡。基于此预测，制造商正重新评估是否在现有ASML光刻机订单基础上进一步扩产。利空：远期产能扩张计划预示2028年后存在供应过剩风险，对长期价格构成压力。

美光计划在台湾铜锣新收购厂区建设第二座晶圆厂，预计2026财年底动工，新增约27万平方英尺洁净室用于下一代DRAM/HBM生产。此举基于其刚完成的力积电P5厂收购，并与获得日本政府5360亿日元补贴的广岛工厂扩建计划同步推进。利空：多区域产能扩张计划预示未来供应增加，可能对DRAM/HBM的长期价格构成压力。

Samyang NC Chem计划今年量产HBM后端封装用光刻胶材料，供应三星、SK海力士及美光。该材料用于TSV工艺及凸块结构，公司同时开发玻璃基板光刻胶，预计明年量产。利空：HBM封装材料产能扩张，缓解供应紧张。

亚洲主要厂商2026年资本支出预计达1360亿美元，台积电和SK海力士增幅显著。台积电聚焦先进制程，三星和SK海力士重点投入HBM及DRAM扩产。利空。扩产计划预示供应增加，可能缓解HBM及先进制程的短缺压力。

SK海力士董事会批准追加21.6万亿韩元投资，以在2030年前完成龙仁第一工厂建设，并将首间无尘室投产时间提前至2027年2月。此举是三大存储巨头为满足AI/HBM需求而展开的新一轮资本开支竞赛。利空：大规模产能扩张虽为长期计划，但预示未来供应增加，若需求增长不及预期，将对内存价格构成下行压力。

TrendForce数据显示，亚洲主要芯片厂商2026年资本支出预计超1360亿美元，同比增长25%，其中台积电支出达520-560亿美元，70-80%用于先进制程。三星、SK海力士及铠侠联盟亦大幅扩产，重点投向HBM及先进产能。利空：此轮大规模资本支出潮，尤其是HBM与先进逻辑制程的产能扩张，预示未来供应将显著增加，对2026-2027年芯片价格构成潜在下行压力。

SK海力士追加150亿美元投资，加速龙仁晶圆厂建设，目标2027年2月投产以扩大HBM4及高端DRAM产能。此举基于其2026年HBM与高端DRAM产能已全部售罄，且HBM市占率近60%的主导地位。利多：大规模扩产计划锁定远期高端存储供应，强化AI需求驱动的卖方市场格局。

TrendForce预计2026年亚洲主要半导体厂商资本支出将达1360亿美元，同比增长25%，台积电（560亿美元）、三星与SK海力士领投，重点投向先进制程与HBM产能。本轮扩张由AI芯片与HBM需求持续升温驱动，二线内存厂商华邦电子与南亚科技亦大幅上调资本预算。利多：巨额资本开支锁定未来高端芯片与内存供应，利好设备与材料链订单，但需关注后续产能集中释放的过剩风险。

三星电子计划于2028年启动平泽P5工厂运营，专注于生产用于AI服务器的高带宽内存和先进DRAM。此举是其扩大AI芯片制造版图的一部分，德州晶圆厂也在同步扩产。利空：关键AI内存组件长期产能扩张，增加未来供应潜力，可能缓解长期价格压力。

台积电2026年资本支出预计达520-560亿美元创纪录，三星与SK海力士大幅提升HBM产能，亚洲主要芯片制造商2026年总资本支出计划超1360亿美元，同比增长25%。支出激增由AI芯片需求驱动，重点投向先进制程、先进封装及HBM/NAND产能。利空：晶圆代工与存储芯片领域同步激进扩产，预示未来供应大幅增加，对中长期价格构成下行压力。

美光印度萨纳德封测厂全面投产后，预计将占其全球总产量的10%，2027年芯片产量将达数亿颗。该27.5亿美元项目获得印度中央及地方政府70%的补贴支持。利空：该先进封装产能的实质性落地，特别是针对AI内存及DDR5，将增加全球存储芯片的供应压力。

三星电子与SK海力士因HBM及DRAM需求激增，正启动大规模半导体人才招聘。此举源于行业进入超级周期并报告创纪录收益。利多：扩招印证需求持续强劲，预示供应端维持紧张，支撑价格上行预期。

美光在印度桑纳德启用其首个半导体封测工厂，总投资27.5亿美元，洁净室面积超50万平方英尺。此举旨在利用印度激励政策，满足全球AI驱动的存储需求。利空：该工厂为DRAM和NAND新增大量封测产能，长期可能缓解供应瓶颈，对现货价格构成下行压力。