NuAxi

Important Events

All history · Impact score above 90 · Newest first

← Back to briefings

Thu, Mar 5, 2026

17 items
  1. Impact score 95

    存储巨头Q2 DDR5再涨40%,手机成本承压

    三星与SK海力士已通知客户,2026年第二季度DDR5颗粒将统一涨价约40%,此前2025年第四季度存储芯片价格已上涨40-50%。本轮涨价由AI驱动的HBM需求激增引发,导致产能结构性转移,富国银行预计DRAM供应缺口达14%。

    利多

    头部厂商明确发出大幅涨价通知,现货价格已处历史高位,供应紧张态势将延续至Q2并波及手机、汽车等终端行业。

    DRAMNAND FlashHBMSamsung Electronics, SK HynixPrice Movement
  2. Impact score 95

    DRAM现货价普涨,DDR5涨0.77%

    DRAM颗粒现货价格普遍小幅上涨,其中DDR5 16Gb 4800/5600上涨0.77%至均价39.5美元,DDR4 16Gb 2666上涨0.35%至71美元。此轮上涨由现货市场持续的结构性供应紧张驱动,但DDR4部分颗粒出现下跌。

    利多

    现货市场微涨印证供应偏紧,对短期DRAM价格构成支撑。

    DDR5DDR4DDR3Price Movement
  3. Impact score 95

    车规DRAM三月涨180%,星途ET5车型调价5000元

    奇瑞星途将ET5高配版车型官方指导价上调5000元,公司回应调价背后有芯片涨价等因素。瑞银数据显示,近三个月车规DRAM整体价格已上涨180%,对车企供应链成本造成压力。

    利多

    这是上游车规存储芯片成本上涨向下游传导的直接、量化信号。

    Automotive DRAMPrice Movement
  4. Impact score 95

    内存现货价飙升加剧采购资金压力

    内存现货价格因供需缺口扩大及制造商限供策略而快速上涨,加剧供应链采购资金压力。现货与合约价差扩大正加剧行业周期失稳风险。

    利多

    现货价格面临直接上行压力,采购成本上升。

    DRAMNAND FlashPrice Movement
  5. Impact score 95

    MOSFET涨价超10%,三星DRAM涨价

    3月1日起MOSFET等功率半导体价格普涨超10%,三星DRAM亦宣布涨价。AI浪潮驱动算力需求爆发,带动产业链复苏。

    利多

    功率半导体及存储板块。

    MOSFETDRAMSamsung ElectronicsPrice Movement
  6. Impact score 95

    NAND合约价本季环比暴涨90%

    TrendForce数据显示NAND合约价本季环比最高暴涨90%,上一季度涨幅已超30%。AI硬件建设热潮推高存储成本,导致Switch 2软件需求疲软。

    利多

    NAND供应商,价格预计持续上涨。

    NAND FlashmicroSD ExpressTrendForce, Nextorage and 7 totalPrice Movement
  7. Impact score 95

    NAND闪存Q1价格预计暴涨85-90%

    TrendForce预计Q1 NAND闪存价格将环比暴涨85-90%。主要增长动力来自北美云服务提供商大规模部署AI服务器带来的企业级SSD需求。

    利多

    价格涨幅明确,需求端驱动强劲,对NAND现货交易构成直接看涨信号。

    NAND FlashEnterprise SSDSamsung Electronics, SK Hynix and 5 totalPrice Movement
  8. Impact score 95

    vivo手机全系涨价15%,存储芯片成本传导

    vivo将于3月15日起全系手机涨价10%-15%,X300系列预计提价400-500元。此次调价主因存储芯片成本大幅上涨,各品牌正消化低价库存以应对后续高成本生产。

    利多

    终端品牌集体调价确认存储芯片成本压力已传导至消费端,预示上游存储芯片需求与价格获强力支撑。

    NAND FlashDRAMPrice Movement
  9. Impact score 95

    存储芯片短缺致PC手机涨价,年内供不应求

    AI需求暴涨导致存储芯片严重短缺,价格大幅上涨,联想、戴尔等PC厂商调价500-1500元,小米、vivo等手机新品存储版本涨价300-500元。发改委确认存储芯片处于上涨周期,供不应求局面年内将持续。

    利多

    成本压力明确传导至终端产品,印证上游存储芯片涨价趋势明确且持续。

    DRAMNAND FlashPrice Movement
  10. Impact score 95

    南亚科技Q1 DRAM涨50%,Q2合约价再跳涨

    南亚科技报告称第一季度DRAM合约价上涨约50%,第二季度合约价预计将再次大幅跳涨。价格上涨由三星等大厂引领,供应紧张预计将持续至2024年下半年。

    利多

    直接确认DRAM合约价大幅连续上涨,供应紧张态势明确。

    DRAMSamsung Electronics, Nanya TechnologyPrice Movement
  11. Impact score 96

    三星DRAM合约价Q1涨幅超100%

    三星电子2026年第一季度DRAM合约价涨幅超100%,较1月约70%的涨幅进一步扩大。此举源于存储芯片供应持续紧张及原厂强势定价策略。

    利多

    确认的巨额涨价直接反映严重短缺,将立即推高采购成本与现货市场价格。

    DRAMSamsung ElectronicsPrice Movement
  12. Impact score 95

    三星DRAM一季度涨幅上调至100%

    三星电子已完成一季度供货谈判,将通用DRAM价格同比涨幅从70%上调至100%,部分产品涨幅更高。此次涨价由AI基础设施投资热潮推动,供需持续紧张导致行业合约周期从年度压缩至季度甚至月度。

    利多

    价格涨幅翻倍上调,确认DRAM市场极度短缺,将直接推高所有下游电子产品的物料成本。

    DRAMSamsung ElectronicsPrice Movement
  13. Impact score 95

    博通预计明年AI芯片销售额超千亿

    博通CEO预计2025年AI芯片销售额将超1000亿美元,本季度营收达107亿美元。受此指引提振,博通股价尾盘上涨约4%。

    利多

    表明定制AI芯片需求强劲,供应链已确保。

    AI ChipsBroadcomFinancial/Earnings
  14. Impact score 92

    MGC覆铜板跟涨30%,IC基板玻璃纤维布短缺加剧

    MGC跟随Resonac将覆铜板价格上调30%,主因英伟达与苹果需求加剧了IC基板用高端玻璃纤维布的短缺。材料短缺迫使供应商向下游传导成本,挤压自身利润。

    利多

    关键基板材料的直接、量化涨价,预示下游元件成本将持续承压。

    IC SubstrateCopper Clad Laminate (CCL)Glass Fiber ClothMitsubishi Gas Chemical (MGC), ResonacPrice Movement
  15. Impact score 95

    三星上调DRAM Q1涨幅预期至100%

    三星电子将Q1 DRAM价格涨幅预期从70%上调至100%,NAND闪存预计涨价90%。主因是供需严重失调。

    利多

    现货价格将受此预期驱动继续上涨,采购成本压力激增。

    DRAMNAND FlashSamsung ElectronicsPrice Movement
  16. Impact score 95

    三大厂DRAM合约价Q1涨超100%,Q2再涨40%

    南亚科技证实一季度DRAM价格逐月上涨,二季度报价将大幅跳升,供应紧张态势预计持续至2028年下半年。三星、SK海力士和美光一季度DRAM合约价涨幅超100%,二季度合约价涨幅预计达40%。

    利多

    主要供应商因持续结构性短缺推动季度乃至月度议价,导致合约价格连续大幅上涨。

    DRAMHBMSamsung Electronics, SK hynix and 4 totalPrice Movement

Wed, Mar 4, 2026

3 items
  1. Impact score 98

    DDR5价格飙涨7倍,黄牛扫货供应链

    黄牛机器人高频监控DDR5供应链,单次刷新间隔6.5秒,累计请求超千万次。AI数据中心预计2026年将消耗全球70%内存产能,挤压其他细分市场库存。

    利多

    DDR5现货价格已从零售价118美元飙升至830美元以上,涨幅超7倍。

    DDR5CAMM2DIMM SlotsMicron, Samsung and 3 totalShortage Alert
  2. Impact score 92

    美光科技涨超3%,闪迪涨4%

    美光科技涨超3%,闪迪涨4%,西部数据涨超2%。美股开盘三大指数集体高开,存储概念股领涨。

    利多

    市场情绪回暖,资金流入存储板块。

    NAND FlashDRAMMicron Technology, Western Digital and 3 totalPrice Movement
  3. Impact score 95

    AI服务器需求推高钽电容价格

    AI服务器需求正推高钽电容价格。该需求增长源于AI服务器硬件对高性能被动元件的消耗。

    利多

    特定应用需求激增直接导致关键组件价格上涨。

    Tantalum CapacitorsPrice Movement