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Tue, Aug 4, 2026

5 items
  1. Impact score 98

    英伟达RTX 50显卡涨30%

    TrendForce预测英伟达RTX 50系列显卡在韩国8月起涨价最高30%,RTX 5090自7月中旬已涨150万韩元。涨价主因是台积电4nm晶圆及GDDR7显存成本上升。

    利多

    成本推升将直接传导至终端售价,利好上游供应链。

    GDDR7 MemoryGraphics CardsGPUNVIDIA, TSMCPrice Movement
  2. Impact score 98

    三星美光SK海力士2027年DRAM HBM产能售罄

    业内人士透露,三星电子、美光及SK海力士的DRAM与高带宽存储器(HBM)2027年产能已全部分配完毕。这一消息表明高性能存储芯片面临长期且严重的供应缺口。

    利多

    产能售罄确认了供需失衡,将支撑DRAM及HBM价格持续上涨。

    DRAMHBMSamsung Electronics, Micron Technology and 3 totalShortage Alert
  3. Impact score 95

    PCB裸板年内涨超50%,主板厂商Q3涨价

    台湾主板厂商预计Q3涨价,PCB裸板年内涨超50%。铜价上涨及控制芯片、MLCC等元器件供应瓶颈推高成本。

    利多

    供应链成本触及临界点,厂商被迫差异化调价。

    PCB裸板控制芯片功率器件Taiwan Motherboard ManufacturersPrice Movement
  4. Impact score 92

    NVIDIA RTX 50系列预计涨价20-30%

    NVIDIA GeForce RTX 50系列在韩国面临20-30%的涨价,主要受GDDR7内存成本上升驱动。由于2GB GDDR7模块成本约20美元,旗舰显卡的内存成本显著增加,影响AIB供应链及终端价格。

    利多

    GDDR7供应链及AIB板卡厂商。

    GDDR7 MemoryNVIDIA, SK hynix and 3 totalPrice Movement

Mon, Aug 3, 2026

3 items
  1. Impact score 92

    兆易创新跌超5%,澜起科技跌超4%

    港股半导体概念股集体走低,兆易创新跌幅超5%,澜起科技跌超4%。市场情绪转弱,板块承压下行,短期或面临进一步调整风险。

    兆易创新, 澜起科技 and 4 totalPrice Movement
  2. Impact score 95

    存储价格暴涨300%,手机SoC出货量暴跌25%

    2026年Q2智能手机存储芯片价格同比暴涨超300%,导致高通与联发科SoC出货量同比暴跌超25%。成本挤压迫使厂商缩减低端订单、延迟发布并换回4G方案。

    利空

    2026年全年SoC出货量预计下降14%,成本压力将持续至2027年。

    NAND FlashDRAMQualcomm, MediaTek and 4 totalPrice Movement
  3. Impact score 95

    ZJ Innolight上市募资534亿港元,InP衬底供不应求

    ZJ Innolight以980港元/股的发行价在港交所上市,募资总额达534.1亿港元,重点投向1.6T光模块扩产。受1.6T光模块量产推动,上游InP衬底材料供需缺口扩大,全球巨头Coherent和AXT正加速扩产。

    利多

    InP衬底及激光芯片供应商,短期供应瓶颈持续。

    InP SubstrateOptical ModulesLaser ChipsZhongji Innolight, Coherent and 5 totalShortage Alert

Sun, Aug 2, 2026

3 items
  1. Impact score 92

    DRAM NAND成本占比升至43%

    DRAM与NAND闪存成本在2025年Q3占手机BOM比例升至43%,受内存厂商涨价及A20处理器成本上升影响,苹果iPhone 18 Pro Max硬件成本暴涨超300美元。

    利多

    存储芯片价格,厂商议价能力增强。

    DRAMNAND FlashMicron, ApplePrice Movement
  2. Impact score 95

    ESMT净利NT$5.908亿,利基内存价涨

    ESMT公布2026年第二季度创纪录利润,净收入达NT$5.908亿,每股收益NT$20.21。主要受利基型内存产品合同价格上涨驱动,业绩显著优于上季度及去年同期。

    利多

    信号,显示利基存储市场供需改善,价格上行趋势确立。

    SRAMDRAMNiche MemoryElite Semiconductor Microelectronics Technology, ESMTFinancial/Earnings
  3. Impact score 95

    存储芯片价格同比涨4倍,手机终端涨价300元起

    小米17系列及REDMI K90等多款机型起售价上调300元,苹果iPhone 18 Pro Pro版亦面临涨价。上游存储芯片价格同比暴涨近4倍,成本压力传导至终端。

    利多

    存储芯片需求,验证行业高景气度。

    DRAMNAND Flash小米集团, 苹果公司Price Movement

Sat, Aug 1, 2026

6 items
  1. Impact score 95

    宏碁预测PC Q3再涨5%

    宏碁高管预测2026年第三季度PC价格将上涨约5%,第四季度回稳。涨价始于2025年底,由AI驱动的存储芯片超级周期及英特尔、AMD优先供应服务器产品导致。

    利多

    TrendForce预计Q3 DRAM合约价涨10-18%,NAND涨10-15%,消费级CPU供应短缺将持续至2027年。

    DRAMNAND FlashSSDAcer, Lenovo and 8 totalPrice Movement
  2. Impact score 95

    OpenAI下调GPT-5.6价格80%,挤压算力利润

    OpenAI将GPT-5.6 Luna的API价格下调80%,输入降至0.2美元/百万Token,输出降至1.2美元。摩根士丹利测算显示,在75%利用率下,每百万Token成本约0.44美元,OpenAI降价后的价格低于成本。

    利空

    GPU算力供应商面临利润率压缩与价格战压力。

    GPUAI ChipsData Center ComputeOpenAI, Morgan Stanley and 3 totalPrice Movement
  3. Impact score 98

    美国国防部申请百亿购导弹

    美国国防部申请670亿美元紧急拨款,其中超百亿美元用于采购“爱国者”、“萨德”及“战斧”等导弹。受中东局势及库存告急影响,美军急需补充防御性武器库存。

    利多

    防御级芯片需求激增,相关供应链面临短期紧缺压力。

  4. Impact score 98

    铠侠回购8000亿日元,NAND利润同比暴增28倍

    铠侠一季度营业利润同比暴增28倍,宣布8000亿日元回购计划。受AI算力需求支撑,NAND闪存ASP环比上涨约30%,且韩股存储巨头预计将迎来史上最大规模回购潮。

    利多

    企业回购与盈利爆发将重塑估值,驱动存储板块结构性牛市。

    NAND FlashKioxia, Samsung Electronics and 3 totalFinancial/Earnings
  5. Impact score 92

    韩国7月半导体出口暴增179%

    韩国7月出口同比飙升63%,半导体出口暴增179%至410亿美元。受AI数据中心投资推动,全球存储价格维持高位,出口额连续两个月突破400亿美元。

    利多

    强劲的出口数据与价格维持高位证实了存储芯片供需紧张,利好现货价格。

    存储芯片DRAMNAND Flash三星电子, SK海力士Price Movement
  6. Impact score 95

    iPhone 18 Pro Max 涨价 250~300 美元

    广发证券分析师蒲得宇预计 iPhone 18 Pro 和 Pro Max 涨价 250~300 美元。涨价主因是台积电 2nm 产能受限及 DRAM、NAND 价格指数级上涨。

    利多

    苹果被迫提价以应对组件短缺及内存成本飙升。

    2nm ChipDRAMNAND FlashApple, TSMCPrice Movement

Fri, Jul 31, 2026

3 items
  1. Impact score 98

    三星存储ASP涨40-60%,HBM4供不应求

    三星Q2 2026营收创纪录,存储业务营收环比大增56%,DRAM和NAND ASP分别上涨40%和60%。受益于AI服务器需求激增及供应短缺,HBM4芯片出货量创历史新高,服务器收入占比达峰值。

    利多

    存储芯片价格持续飙升,供需紧张格局未改,HBM4产能扩张预期强烈。

    HBM4DRAMNAND FlashSamsung ElectronicsPrice Movement
  2. Impact score 98

    海通:iPhone 18 Pro涨价300美元,2nm成本升

    海通国际分析师Jeff Pu预测iPhone 18 Pro系列涨价250至300美元,受2nm芯片及DRAM NAND成本上升影响。AI基建扩张致元器件供不应求,推高供应链成本。

    利多

    价格上涨预期将提振2nm、DRAM及NAND需求,但可能抑制终端销量。

    2nm ChipDRAMNAND FlashApple, TSMCPrice Movement
  3. Impact score 95

    AMD显卡8月涨价至少10%

    AMD通知AIB合作伙伴将于8月实施至少10%的显卡涨价。此次涨价主要受GDDR6内存短缺影响,高端型号溢价或超10%。

    利多

    表明上游供应链压力持续,推高显卡终端售价。

    GDDR6GPURDNA 4AMD, TSMC and 5 totalPrice Movement