NuAxi半导体贸易情报
Aixtron牵头研发SiC外延沉积节能技术
发生了什么
Aixtron联合弗劳恩霍夫IISB等机构启动SiC外延层沉积节能研发项目。该项目旨在开发更可持续的SiC功率半导体制造工艺。中性：此为长期研发里程碑，对当前SiC晶圆供应、价格及交易无直接影响。
影响与信号
低影响影响力评分：10/100
受影响器件与厂商
SiC Epitaxial Wafers
Aixtron SE
r&defficiencysic
来源与时间
来源：Semiconductor Today · 2025/7/3 · 查看原始来源
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实时定价、供应信号与 AI 分析，为半导体贸易商而生