NuAxi半导体贸易情报
丰田合成突破GaN衬底直径纪录
发生了什么
丰田合成与大阪大学合作，成功制造出更大直径的氮化镓功率器件衬底。该技术基于公司在蓝光LED等GaN半导体领域的长期积累。中性：此为远期研发进展，对当前GaN器件供应、价格及交易决策无直接影响。
影响与信号
低影响影响力评分：10/100
受影响器件与厂商
GaN Power Devices
Toyoda Gosei Co Ltd
substrateR&Dmanufacturing
来源与时间
来源：Semiconductor Today · 2022/3/15 · 查看原始来源
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实时定价、供应信号与 AI 分析，为半导体贸易商而生