NuAxi半导体贸易情报
三星据报拟建2nm/4nm代工厂以扩大HBM基底die产能,投资约25万亿韩元,项目总额或达30万亿韩元
发生了什么
据首尔经济日报11月4日报道，三星电子正准备在其位于韩国龙仁的器兴园区建造一座2纳米和4纳米级代工厂，以扩大用于高带宽存储器(HBM)的逻辑基底die的生产。该晶圆厂估计耗资25万亿韩元(约合186亿美元);若将一条现有产线改造为先进封装设施，整个项目的规模可能达到30万亿韩元。该 fab 目前处于筹备/计划阶段，文中未说明建设完成时间或投产时间，也未说明促成该计划的产能或需求方面原因。
影响与信号
中影响影响力评分：60/100
受影响器件与厂商
HBM logic base die
来源与时间
来源：DigiTimes Asia · 2026/11/4 · 查看原始来源
查看 NuAxi 完整情报 →
实时定价、供应信号与 AI 分析，为半导体贸易商而生