NuAxi半导体贸易情报
桑迪亚实验室GaN二极管创6.4kV耐压纪录
发生了什么
桑迪亚国家实验室研发出击穿电压达6.4kV的垂直GaN二极管，旨在数纳秒内泄放电网过电压。该研究旨在为抵御电磁脉冲攻击，最终开发耐受2万伏电压的保护器件。中性：此为实验室阶段研发成果，对当前商用GaN器件的供应、需求及交易价格无直接影响。
影响与信号
低影响影响力评分：8/100
受影响器件与厂商
GaN Power DevicesPower Semiconductors
R&Dgrid-protectionhigh-voltage
来源与时间
来源：Semiconductor Today · 2022/3/21 · 查看原始来源
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