苹果考虑在下一代OLED高迁移率氧化物(HMO)技术开发中采用溅射沉积工艺，最终量产工艺尚未确定

发生了什么

据行业消息人士11月2日透露，苹果在开发面向下一代OLED面板的高迁移率氧化物(HMO)技术时，正考虑将溅射(sputtering)作为首选沉积工艺，最终量产工艺尚未确定。苹果优先考虑使用现有溅射工艺进行HMO开发；虽然ALD在薄膜精度和特性控制方面具有优势，但其高昂的设备与材料成本促使苹果将溅射作为较便宜的替代方案加以研究。HMO被考虑用于MacBooks和iMacs等IT产品的未来高分辨率OLED显示屏；目前高端OLED面板使用结合硅与氧化物半导体的LTPO技术，若HMO性能足够提升，部分硅工艺可被氧化物技术取代，从而简化制造并降低生产成本。三星显示正开发基于溅射的HMO技术并评估ALD，检验其能否在大基板上达到苹果要求的电子迁移率与可靠性；苹果据称先在其台湾研发设施评估HMO相关技术，再请三星显示评估将该技术应用于八代大尺寸量产工艺的可行性。LG显示也在其六代中小尺寸OLED产线上开发基于溅射的HMO技术，并行开展ALD研究，去年曾发布采用ALD制备氧化物TFT的OLED原型，实现约40平方厘米每伏秒(cm²/V·s)的电子迁移率；但考虑额外资本支出负担，该公司据称倾向于使用现有溅射设备。传统氧化物TFT电子迁移率约为10 cm²/V·s，HMO目标是提升至30至50 cm²/V·s。两家公司都在测试不同沉积方法的性能与稳定性；行业人士称ALD的性能优势已在研究阶段得到确认，但出于成本考虑，溅射似乎正在接受进一步测试。

影响与信号

受影响器件与厂商

来源与时间

来源：The Elec · 2026/11/2 · 查看原始来源