NuAxi半导体贸易情报
TetraMem完成基于多值RRAM技术的12纳米模拟存内计算SoC MLX300流片
发生了什么
TetraMem已完成MLX300的流片，这是一款基于多值RRAM技术的12纳米模拟存内计算（A-IMC）SoC。该芯片采用通过Synopsys Cloud FlexEDA交付的Synopsys EDA软件开发，将基于多值RRAM的AI芯片开发扩展到先进FinFET节点。MLX300的流片紧随TetraMem的MLX200/MLX200M多值RRAM A-IMC SoC之后，后者于2026年在商业22纳米工艺上完成全掩膜流片。MLX300在单芯片加速器中面向音频、视觉和较小的语言模型，片上支持最多6400万个INT4参数且无需外置DRAM存储模型权重；TetraMem称该SoC的目标能效超过50 TOPS/W。
影响与信号
中影响影响力评分：30/100
受影响器件与厂商
MLX300 12-nm analog in-memory computing (A-IMC) SoCMLX200/MLX200M multi-level RRAM A-IMC SoCs
TetraMem
analog in-memory computingmulti-level RRAM12-nm22-nmtapeoutFinFET
来源与时间
来源：EDN · 2026/10/28 · 查看原始来源
查看 NuAxi 完整情报 →
实时定价、供应信号与 AI 分析，为半导体贸易商而生