NuAxi半导体贸易情报
美光计划2027年通过晶圆对晶圆键合推出400层3D NAND（G11为其首款3D NAND闪存）
发生了什么
美光宣布G11将是其首款3D NAND闪存，并正积极推动G11下一代NAND闪存技术投产。当前G9技术已出货于美光产品组合，采用超过200层的堆叠；随着现有技术接近极限，美光计划在G11上采用晶圆对晶圆（wafer-on-wafer）3D NAND堆叠以将NAND模块容量翻倍，即先将晶圆分为存储单元晶圆和外围逻辑电路晶圆，再通过混合键合（hybrid bonding）技术结合。美光计划于2027年下半年出货400层NAND。原文另提及中国NAND厂商YMTC早已使用Xtacking技术制造3D堆叠NAND。此为计划，尚未实现。
影响与信号
中影响影响力评分：60/100
受影响器件与厂商
NAND Flash
来源与时间
来源：TechPowerUp · 2026/10/27 · 查看原始来源
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