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NAND闪存一年涨3-5倍最快年底见顶,Lam Research称AI带动SLC闪存需求或挤占产能,SSD价格恐续涨

发生了什么

快科技10月27日报道,过去一年NAND闪存价格涨幅在3-5倍左右(相比内存5-10倍的涨价),且最快今年底见顶。半导体设备巨头Lam Research首席执行官Tim Archer日前提出,SLC闪存日益增多可能会影响闪存的供需格局:NAND生产目前以TLC、QLC为主,若转产SLC,产能只有原来的1/3、1/4,产能吞吐量暴跌六七成;LAM称每增产1%的SLC意味着要消耗2%额外的闪存产能。原文说明,SLC因AI时代需求回升(写入性能远超TLC/QLC、早期SLC的P/E寿命达1万到10万次,适合AI数据中心缓存,三星、铠侠、海力士均有基于SLC的超高性能SSD,还可用于HBF硬盘作为HBM的低价替代品),大规模生产SLC会挤占其他NAND产能、相当于减少闪存生产量,因此SSD价格可能还得继续涨(此为预测,非已实现结果)。

影响与信号

高影响影响力评分:92/100

受影响器件与厂商

NAND闪存SLC闪存SSD硬盘HBF硬盘DRAM内存
SLC闪存NAND涨价AI缓存产能挤占HBFKV缓存

来源与时间

来源:快科技 · 2026/10/27 · 查看原始来源

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