Jiachi Power完成全球首个安培级垂直氧化镓MOSFET第一阶段晶圆制造与验证：导通电流1.2 A、击穿电压超900 V、漏电流低于3 μA

发生了什么

据2026-10-27报道，上海劲芯微/Jiachi Power Technology（上海第四代半导体产业集群企业）已完成其垂直氧化镓MOSFET芯片第一阶段晶圆制造与验证。通过器件结构创新与自研工艺，公司称开发出全球首个增强型垂直氧化镓MOSFET，导通电流超过1 A、击穿电压超过900 V。实测结果为阈值电压3.9 V（实现稳定增强型工作）、导通电流1.2 A、比导通电阻33 mΩ·cm²；器件面向750 V工作等级设计，实测击穿电压超过900 V，漏电流低于3 μA，接近成熟商用硅和碳化硅功率器件水平。公司称按其对全球公开研究与行业结果的检索，这是首个导通电流超过1 A的垂直氧化镓MOSFET。长期挑战在于p型掺杂的稳定可控，此前公开文献未见导通电流超1 A的垂直氧化镓MOSFET。技术团队称结果验证了原始器件架构与自对准离子注入工艺的可行性，是从实验室验证走向商用工程的重要一步。后续计划进一步优化器件结构、工艺参数与外延材料集成，并推进芯片开发、客户送样评估及量产工艺建立。

影响与信号

受影响器件与厂商

来源与时间

来源：TrendForce · 2026/10/26 · 查看原始来源