NuAxi半导体贸易情报
中国Jiachi Power Technology宣称开发出全球首个垂直氧化镓MOSFET：导通电流超1 A、击穿电压900 V，创多项性能纪录
发生了什么
TrendForce转载消息称，中国的Jiachi Power Technology宣称开发出全球首个安培级垂直氧化镓MOSFET，导通电流超过1 A，击穿电压达900 V，并称创下多项性能纪录，被称为第四代半导体领域的新突破。该消息为厂商的宣称，原文未提供独立验证或量产信息。
影响与信号
中影响影响力评分：40/100
受影响器件与厂商
vertical gallium oxide MOSFET
Jiachi Power Technology
fourth-generation semiconductorsgallium oxideMOSFETperformance recordChina
来源与时间
来源：TrendForce Official (Market Data) · 2026/10/26 · 查看原始来源
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