三星与SK海力士计划自2027年第二季度起大幅增加面向英伟达Rubin Ultra的8层HBM4供应，12层HBM4仍在量产并已获英伟达认证

发生了什么

据报道，三星电子和SK海力士计划从2027年第二季度开始，大幅增加面向英伟达下一代AI加速器Rubin Ultra的8层HBM4内存供应，而非此前被广泛看好的12层堆叠方案。英伟达已于2026年第三季度与三星和SK海力士展开讨论，希望为未来产品引入更多8层HBM4配置。原文说明的原因为制造难度：DRAM层数增加会提升热阻、加大散热难度并提高晶圆键合缺陷概率，导致良率下降，8层堆叠更容易制造和冷却。目前两家公司仍在量产12层HBM4产品并已获英伟达认证；8层HBM4还需获得独立认证，两家公司正在准备相关零部件、材料及品质验证流程，业内人士认为认证难度相对较低。英伟达也在评估8层HBM4E方案，最终配置取决于Rubin Ultra及NVL机柜级系统的设计需求、供货能力与整体成本结构。此外，Rubin Ultra已从原先更复杂的大规模芯粒方案调整为双芯片设计以降低制造风险；Rubin和Rubin Ultra计划于2027年推出并接替Blackwell系列。该供应增加目前仅为计划，尚未实施。

影响与信号

受影响器件与厂商

来源与时间

来源：cnBeta · 2026/10/26 · 查看原始来源