自热效应与寄生参数挑战多层堆叠CFET缩放（慕尼黑工业大学、坎普尔理工学院）

发生了什么

慕尼黑工业大学（Technical University of Munich）与印度坎普尔理工学院（Indian Institute of Technology Kanpur）的研究人员发表了题为《Self-Heating and Parasitic Effects in Multi-Tier CFET Design》的研究。摘要指出，该研究考察自热效应（SHEs）以及中段互连层（MOL）和后段互连层（BEOL）引入的寄生参数对多层堆叠CFET设计的影响，其中多个纳米片器件垂直堆叠。该文为技术研究表明，未涉及价格、产能或供需变化。

影响与信号

受影响器件与厂商

来源与时间

来源：Semiconductor Engineering · 2026/10/26 · 查看原始来源