NuAxi半导体贸易情报
CEA-Leti发布200mm硅基氮化镓工艺
发生了什么
法国CEA-Leti研发中心宣布开发出兼容CMOS产线的200mm硅基氮化镓工艺，目标性能接近GaN/SiC但成本更低。该技术属于实验室研发阶段成果，尚未进入大规模商业生产。中性：此项长期技术进展对当前GaN功率器件的供应、价格及交易决策无直接影响。
影响与信号
低影响影响力评分：10/100
受影响器件与厂商
GaN-on-Si Power DevicesGaN-on-SiC Power Devices
technology-milestonemanufacturing-process
来源与时间
来源：Semiconductor Today · 2023/12/15 · 查看原始来源
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