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Soitec启动欧洲InP衬底太赫兹研发项目

发生了什么

Soitec牵头的欧洲联盟启动Move2THz项目,研发基于磷化铟的未来高频半导体。该项目旨在开发面向太赫兹应用的下一代技术,属于长期研发阶段。中性:此为远期技术研发里程碑,对当前组件交易、供应及价格无直接影响。

影响与信号

低影响影响力评分:8/100

受影响器件与厂商

InP SubstratesRF Semiconductors
Soitec
R&Dsubstrateconsortium

来源与时间

来源:Semiconductor Today · 2024/9/10 · 查看原始来源

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实时定价、供应信号与 AI 分析,为半导体贸易商而生