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东芝发布1200V SiC MOSFET裸片测试样品

发生了什么

东芝电子推出1200V SiC MOSFET裸片,已开始提供早期测试样品。该产品针对汽车牵引逆变器等应用,采用创新结构以平衡低导通电阻和高可靠性。中性:此为常规新品发布,未提及产能、短缺或价格变动,对现有市场供需无直接影响。

影响与信号

低影响影响力评分:20/100

受影响器件与厂商

SiC MOSFET
Toshiba Electronic Devices & Storage Corp
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来源与时间

来源:Semiconductor Today · 2024/11/14 · 查看原始来源

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