IBM宣布0.7纳米（7埃）节点及Nanostack架构，集成近1000亿晶体管。相比2纳米节点，性能提升最高50%，能效提升最高70%，预计5年后量产。利多：属长期研发里程碑，对当前供应链无即时影响。

IBM推出0.7nm nanostack芯片，承诺1000亿个晶体管，目标5年内量产。该技术目前处于研发阶段，短期内不会影响现有供应链。中性影响。

imec、ASML 与台积电在 300mm 晶圆上实现 50nm 接触栅极间距的二维互补晶体管集成。该成果采用单次 EUV 光刻与反向薄膜晶体管结构，验证了二维材料在先进逻辑工艺中的可行性。利多关注：该技术路线图将二维半导体推向后硅时代，但预计 2041 年前难以量产。

imec、ASML与TSMC在300mm晶圆上成功集成互补2D晶体管，实现50nm节距。该成果利用EUV光刻技术打印28nm栅极，94%器件正常工作，是2D材料集成的重要里程碑。中性。该技术突破属于长期研发进展，对当前现货市场供需及价格无直接影响。

SemiAnalysis拆解华为麒麟9030发现，中芯国际N+3工艺局部金属间距达32.5nm，优于英特尔18A量产间距36nm。该芯片采用DUV光刻及多重曝光技术，通过双鳍、接触孔直接位于有源栅极等手段提升密度，但密度仍比英特尔18A低38%。利空：技术指标落后，短期无供需影响。

华为芯片业务负责人何庭波在IEEE会议上发布“τ定律”及逻辑折叠技术。该技术旨在突破光刻机物理极限，通过垂直分布逻辑门缩短信号延迟。关注：目前仍为提案阶段，面临EDA工具和工艺偏差挑战，尚未形成行业标准。

华为声称将于2031年实现1.4nm等效芯片技术。目前全球先进制程极限约为1.4nm，台积电已量产2nm并计划2028年量产1.4nm。中性：该技术路线图属于长期研发里程碑，对当前现货市场供需无直接影响。

台积电公布A14、A13及2nm家族路线图，A14预计2028年量产。Mii强调通过纳米片技术及NanoFlex Pro提升性能与能效。关注：技术路线图更新，暂无短期供需影响。

三星在IEEE展示了基于CXL 2.0标准的Pangea v2内存系统，宣称性能较RDMA提升高达10.2倍。SK海力士与美光亦在推进CXL研发，三星计划2026年内推出基于CXL 3.2的Pangea v3。中性：此为长期技术路线图，对当前组件供应、价格及交易决策无直接影响。

Silai半导体已完成第三批12英寸SiC激光剥离量产系统的交付，批量交付周期为28天。该技术旨在将单片加工成本降低50%，并将晶圆产出提升30%。利多：此为背景技术进展，对SiC晶圆长期供应、成本及潜在下游元件价格有积极但间接且非即时的影响。

韩国专家推测十年内可能出现一家'中国ASML'。华虹宏力的华力微电子据称正筹备7纳米工艺，可能将与中芯国际在该节点会合。利空/利多/关注: 关注。此为长期研发预测，对当前元器件供应、价格及交易决策无直接影响。

华虹集团旗下华力微电子正于上海Fab 6厂准备7纳米工艺量产，目标用于AI芯片，本土GPU设计公司壁仞科技为早期客户。此举旨在补充国内先进制程供应，背后有华为等企业参与合作。关注：此为长期技术研发进展，未披露具体产能、良率及设备供应商细节，对当前现货市场供需及价格无直接影响。

韩国专家预测中国可能在2030年前推出国产EUV光刻机；路透社报道华虹集团旗下华力微电子正开发7nm工艺，目标2026年底实现月产数千片晶圆的初期产能。此举是中国为突破技术限制、建立自主半导体生态的长期努力。中性：此为多年期研发与产能规划，对当前现货市场无直接影响，商业可行性待验证。

FAMES中试线启动2026年开放申请，提供四款新工艺设计套件，涵盖7-15GHz声波射频滤波器、相变材料射频开关、硅基磁性集成及FD-SOI 10nm路径探索。此举旨在通过共享研发设施提升欧盟技术主权。中性：此为长期研发合作项目，对当前组件供需及价格无直接影响。

罗格斯理工学院团队演示了2-7nm远程外延技术。该技术涉及在一种衬底上生长半导体薄膜并转移到另一种衬底。关注：目前仅为实验室技术，尚未对供应链产生直接影响。

AlixLabs在SEMICON Japan首次公开展示其用于300mm晶圆的APS工艺蚀刻腔体。该技术旨在作为双重曝光或EUV的替代方案，以更可持续的方式将制造工艺微缩至7纳米以下。中性：此为针对先进光刻/图案化设备的长期研发进展，对当前元器件供应、需求及价格无直接即时影响。