预计2027年HBM价格将大幅飙升，目前HBM4合约谈判已启动。由于DRAM供应紧张且制造成本上升，供应商在谈判中占据绝对主导地位。利多：HBM及DRAM价格预期上涨，建议提前评估现货及合约价上行风险。

英伟达与SK海力士高管半年内四度会面，传新一轮HBM供应合同价格涨幅或高达100%。SK海力士计划未来五年将内存产能翻倍以缓解供需失衡，但预计短缺将持续至2030年。利多HBM及存储市场，建议重点关注相关合约价上涨及产能释放节奏。

集邦咨询预测三大原厂将于2027年大幅调高HBM报价，受供需失衡及制造难度影响。随着AI ASICs容量升级至216/288GB及英伟达Rubin Ultra平台推出384GB HBM，2026至2027年需求将持续旺盛。预计HBM投片量占比将升至30%，供应紧张将支撑价格上行。

TrendForce报告显示，自2026年初以来，三星已将用于HBM4的4nm基础裸片价格上调40%至50%。此次涨价由HBM4出货量快速上升及4nm产线接近满负荷运转驱动。利多：针对AI内存关键部件的直接、大幅提价。

三星基于4nm工艺的HBM4逻辑芯片价格自2026年初以来据报已上涨40-50%。此次涨价由AI需求激增及HBM出货量上升驱动。利多：核心AI组件价格直接大幅上涨，表明供应持续紧张，将对相关存储芯片市场形成上行压力。

三星电子自2026年初起将HBM4逻辑芯片价格上调40-50%，其4nm产线已满载。涨价由AI需求激增驱动，台积电亦宣布2026年对5/4nm及以下节点全面提价。利多：两大晶圆厂对先进制程的直接大幅提价，确认了供应紧张和强劲的定价权，相关芯片采购成本将显著上升。

三星电子正就新一代HBM4芯片与客户谈判，单价最高达700美元，较前代提价约30%。此举源于生成式AI带动下内存芯片需求强劲、供给偏紧的市场格局。利多：HBM4作为AI关键组件价格大幅上调，证实高端内存供应持续紧张，将直接推高AI处理器成本，利好内存厂商利润率。