UBS研报显示车规级存储芯片近三月涨180%，DDR5涨幅达300%，单车成本激增4000至7000元。利多车规级存储芯片及上游材料供应商，短期供需紧张格局难改。

Micron宣布DDR5利润率反超HBM，现货DRAM价格近期涨幅超60%。受益于供需紧张及HBM产能被占用，通用DRAM价格随行就市上涨，而HBM受长期合同锁定价格。利多：现货DRAM价格飙升推动非HBM业务利润率超越HBM。

微星计划2026年将游戏产品价格上调15-30%，主因DRAM与英伟达GPU供应短缺。16GB DRAM模组现货价已从约40美元飙升至170-180美元，公司正寻求签订3-5年供应合约以稳定库存。利多：明确的终端产品提价与核心部件短缺，预示现货市场价格将持续承压上行。

澳大利亚零售商因DDR5内存价格自2024年以来上涨3.5至4倍，拒绝为故障Corsair套件提供保修换货，仅愿按原价退款。此事件反映了AI数据中心需求挤压消费级DRAM供应，导致现货市场极度紧张。利多：该案例是DDR5现货供应严重短缺、价格持续承压的直接且极端信号。

Framework将DDR5内存涨价至13-18美元/GB，并耗尽低成本SSD库存。利多：DRAM供应紧张导致组件成本上升，预计笔记本价格将持续走高。

Framework宣布DDR5 SO-DIMM价格上调，每GB从12至16美元涨至13至18美元。受DRAM价格持续暴涨及库存成本压力影响，厂商采用加权平均成本法调整定价。利多DRAM上游供应商，DDR5现货价格短期看涨。

极氪007GT焕新版预计涨价5000-8000元，主因车载存储芯片与锂电池成本上涨。自2025年下半年起，车规DRAM中的DDR5内存价格已暴涨300%，且DDR5X等高端产品产能稀缺。利多：车企公开调价直接印证车规存储芯片供应紧张与价格持续上涨压力。

奇瑞星途与一汽奔腾宣布对旗下新能源车型涨价2000至5000元，官方明确将芯片等供应链成本压力列为核心驱动力。背景是自2025年下半年起，受AI产业产能虹吸效应影响，车规DRAM中的DDR5内存价格已暴涨300%。利多：汽车芯片，尤其是存储芯片，已出现明确且剧烈的价格上涨，直接传导至终端整车成本。

自2025年下半年起，车规DDR4内存价格累计涨幅超150%，DDR5内存价格暴涨300%，导致新能源汽车单车成本增加1000-3000元。AI领域HBM内存毛利率高达65%，芯片厂商产能优先投向AI，加剧车规芯片供应紧张。利多：明确的价格涨幅数据及AI与汽车行业对产能的争夺，预示车规内存供应紧张与价格上行压力将持续。

极氪007 GT预计二季度起售价上调5000至8000元，主因车规存储芯片及锂矿成本上涨。数据显示，自2025年下半年起，车规DDR5内存价格已暴涨300%，高端DDR5X产能更为稀缺。利多：汽车终端价格上调直接印证上游关键元器件短缺与成本压力，预示供应链价格趋势持续向上。

DDR5现货价周涨8%，NAND Flash合约价Q1涨5-10%，主因AI服务器需求及原厂减产。三星、SK海力士、美光优先保障HBM等高利润产品，挤压标准品产能。利多：现货与合约价双涨，直接推高存储芯片采购成本。

美银报告指出DRAM与NAND需求远超供给，行业营业利润率预计分别超60%与30%。韩国2月半导体出口同比增161%，南亚科技销售额同比飙升587%，主要受DDR4/DDR5价格大涨及产品结构优化驱动。利多：现货价格持续强势（DDR5周环比稳定，NAND周涨超10%），新合同价格上调预示3月销售与利润率将进一步攀升。

新蛋网将多款Corsair Vengeance及G.Skill Trident Z5 DDR5内存套件统一标价至3980美元，较前一日440-550美元零售价暴涨。此统一标价覆盖32GB至64GB、4800至7600 MT/s等多种规格，极可能为网站定价系统错误，亚马逊等其他零售商价格未变。中性：此为零售端孤立定价异常，对现货市场及元件价格无直接影响。

2026年2月，1Tb TLC NAND闪存晶圆现货价格暴涨25%至25美元，DDR5 16Gb芯片均价亦环比上涨7.4%。AI基础设施需求导致产能优先分配至高利润服务器内存，消费级NAND及常规DRAM供应严重不足。利多：现货与合约价预测均大幅上修，供应结构性压力持续。

2月NAND闪存晶圆现货价飙升25%，1Tb TLC型号达25美元；DRAM现货价亦普涨，DDR5 16Gb均价升至39美元。北美AI基础设施需求抢占产能，导致消费级存储供应严重不足，TrendForce已将Q1 DRAM合约价涨幅预测上调至90-95%。利多：现货与合约价格同步大幅跳涨，供应结构性短缺明确，采购压力加剧。

2026年2月NAND闪存晶圆现货价环比飙升25%，1Tb TLC达25美元；DDR5 16G芯片均价涨7.4%至39美元。价格上涨核心动力来自AI基建吸收服务器DRAM/HBM产能，以及存储厂商将更多NAND产能转向企业级SSD。利多：现货价格持续快速上行，TrendForce已将Q1 DRAM合约价涨幅预期上调至90-95%，供应趋紧态势明确。

2026年2月现货市场1Tb TLC NAND晶圆价格环比暴涨25%至25美元，DDR5 16G芯片上涨7.4%至39美元。TrendForce将Q1 DRAM合约价涨幅预期从55-60%上调至90-95%，主因AI数据中心需求远超供给。利多：现货与合约价双重强劲上涨，预示存储芯片价格将持续承压上行。

三星与SK海力士已通知客户，2026年第二季度DDR5颗粒将统一涨价约40%，此前2025年第四季度存储芯片价格已上涨40-50%。本轮涨价由AI驱动的HBM需求激增引发，导致产能结构性转移，富国银行预计DRAM供应缺口达14%。利多：头部厂商明确发出大幅涨价通知，现货价格已处历史高位，供应紧张态势将延续至Q2并波及手机、汽车等终端行业。

DRAM颗粒现货价格普遍小幅上涨，其中DDR5 16Gb 4800/5600上涨0.77%至均价39.5美元，DDR4 16Gb 2666上涨0.35%至71美元。此轮上涨由现货市场持续的结构性供应紧张驱动，但DDR4部分颗粒出现下跌。利多：现货市场微涨印证供应偏紧，对短期DRAM价格构成支撑。

集邦数据显示，DDR4 16Gb (2Gx8) 2666现货价下跌0.35%至70.75美元，DDR3 2Gb 256Mx8 1600/1866则上涨2.65%至3.875美元。价格分化源于新旧技术平台需求转换与库存调整。利空：主流DDR4/DDR5颗粒最新报价走弱，显示现货供应压力缓解。