Nexchip宣布自2026年6月1日起代工费用上调10%，SMIC与华虹此前也已提价。AI应用推高电源管理芯片需求，导致8英寸产能持续紧张，联电台厂Vanguard亦预计提价4-8%。利多：主要晶圆代工厂相继明确提价，成熟制程晶圆成本面临持续上行压力。

韩日供应商将WF₆价格上调70-90%，中国国产化率超65%。美中科技紧张局势及存储芯片需求激增推高价格，3D NAND及先进逻辑制程需求增加。利多。特种气体价格结构性上涨，国产替代加速。

受中国出口管制及中日地缘政治紧张影响，钨价飙升近6倍。日本企业难以获取高纯度钨粉，导致PCB钻头及半导体工艺气体面临涨价压力。利多：主要PCB钻头制造商正考虑上调价格。

南亚科技证实一季度DRAM价格逐月上涨，二季度报价将大幅跳升，供应紧张态势预计持续至2028年下半年。三星、SK海力士和美光一季度DRAM合约价涨幅超100%，二季度合约价涨幅预计达40%。利多：主要供应商因持续结构性短缺推动季度乃至月度议价，导致合约价格连续大幅上涨。

三菱瓦斯化学宣布自4月1日起，对CCL、预浸料及CRS产品提价30%，主因原材料、人力及物流成本飙升。此前，日本材料巨头Resonac已于3月1日对同类产品提价30%。利多：高端封装基板核心材料价格明确大幅上调，将直接推升下游采购成本。

三菱瓦斯化学宣布自4月1日起，其CCL、预浸料及CRS产品价格上调30%。涨价主因是原材料价格飙升及劳动力、运输成本持续上涨，公司电子材料部门盈利能力显著恶化。利多：全球高端封装基板材料龙头直接提价30%，叠加力森诺科同类涨价，将显著推高下游采购成本。

群联电子跟进铠侠和闪迪，对NAND Flash控制器订单实施预付款或缩短付款周期的新政策。此举由AI基础设施驱动的NAND需求激增推动，自2025年下半年以来NAND合约价已翻倍，闪迪转向多年期合同，铠侠已锁定至2028年的AI服务器订单。利多：明确的需求可见性和收紧的付款条款，表明NAND价格将持续面临上行压力，并可能出现供应紧张。

TrendForce报告显示，2025年第四季度标准DRAM合约价环比暴涨45-50%，混合定价环比涨50-55%，主因AI应用从训练扩展至推理，导致数据中心采购范围扩大。供应商定价权因供需缺口扩大而显著增强，预计2026年第一季度标准DRAM价格将再涨90-95%。利多：明确且量化的现货与合约价格大幅上涨，叠加强劲的季度预测，构成强烈的买入/囤货信号。

新洁能宣布自2026年3月1日起对MOSFET产品价格上调10%起，主因上游原材料、关键贵金属及晶圆代工封测成本上涨。2025年底以来，中微半导、必易微、英飞凌、ADI等多家公司已相继宣布涨价。利多：明确的涨价函直接推高MOSFET采购成本，反映供应链成本压力持续，现货市场看涨。

ChipMOS宣布上调内存测试价格并签署三年产能合约，推动2025年营收创2022年三季度以来新高。受益于内存短缺及涨价效应，公司预计2026年下半年业绩将强于上半年。利多。测试价格上调及产能扩张计划表明存储测试环节供需紧张，利好公司盈利能力。

台积电、三星和SK海力士股价创历史新高，推动韩国股市上涨2%。随着投资者从美国软件和保险等'AI颠覆'风险中撤出，转向亚洲基础设施受益者，市场情绪正在转变。利多。这种分化表明，尽管'AI恐慌'降温，但对先进芯片的需求依然强劲。

三星电机据报计划自四月起将MLCC价格上调两位数百分比，村田制作所亦暗示三月可能跟进提价。AI服务器升级（如英伟达新平台MLCC用量增超30%）与电动车需求推高高端MLCC价格，但消费电子需求疲软导致整体市场分化。利多：高端MLCC供应紧张且需求明确，为供应商提供直接定价权，将推高相关采购成本。

欧洲市场32GB DDR5套件价格从2月峰值€430-€470回落，海盗船与金士顿产品分别跌至€425和€463。此轮回调源于前期AI驱动暴涨后的修正，中国金邦同规格产品定价已达530美元，与全球品牌价差消失。利空：欧洲现货价格出现明确回调，中国本土模块丧失价格优势，对全球DDR5溢价构成区域性利空信号。

智谱AI将其GLM-5 Coding Plan价格上调超30%，月之暗面、MiniMax等其他头部厂商也推出分层或更高定价至2025年。此轮调价源于中国AI竞赛加剧，导致对算力资源的争夺白热化。利多：AI服务商直接提价确认了终端需求强劲，将传导至上游AI芯片、HBM及先进封装供应链，支撑价格上涨预期。