三星、SK海力士及美光宣布DDR4停产，产能转投HBM。此次EOL导致OSAT代工产能被大厂锁定，中小厂商面临无产能可用局面。利多HBM及先进DRAM价格，利空DDR4及中小存储厂商。

三星电子已停止接受LPDDR4和LPDDR4X移动DRAM的新订单，仅履行现有订单后即进入停产阶段。停产源于客户向LPDDR5过渡的需求加速，促使三星转换产线以解决先进制程瓶颈。利多：特定型号供应正式中断将收紧现货市场，迫使客户加速升级并可能推高相关内存价格。

三星电子据报发出退出LPDDR4市场的信号，加速该产品的淘汰进程。行业正将产能转向更高价值的LPDDR5及LPDDR5X产品，导致对LPDDR4等旧世代产品的管理政策趋于一致。利多：主力厂商计划削减成熟通用型组件的供应，将立即加剧现货市场短缺并支撑现有库存价格。

铠侠发布停产通知，将于2026年9月停售其32nm及以下2D平面和低于96层的3D NAND产品，并于2028年底停止出货。此举旨在将产能转向162层及以上更高密度NAND，以优化成本效益，行业其他主要供应商此前已完成类似淘汰。利多：老旧制程NAND供应退出，叠加产能转向新节点，将收紧相关存量芯片的供应基础。

Kioxia中国发布EOL通知，计划于2028年12月31日停产Floating Gate及第三代BiCS FLASH产品。此举与三星提前停产2D NAND及TrendForce预测2026年MLC NAND产能同比下滑41.7%的趋势一致。利多。随着三星、Kioxia等巨头退出2D NAND市场，MLC NAND供应将大幅收缩，现货价格面临上行压力。

铠侠将停产TSOP封装NAND产品，最终订单截止日为2026年9月15日，最后出货日为2027年3月15日。此举源于行业策略调整，制造商正将资源集中于TLC、QLC及DRAM，逐步淘汰低单位价值的MLC产品。利多：特定封装形式的供应终止将收紧对应存量市场的供应，对相关库存价格构成支撑。

三星电子正式关闭华城12号产线的2D NAND生产，并将其转为1c DRAM后端产线。此举是内存行业加速向高性能、高利润产品进行结构性转型的一部分，已引发市场囤货和价格持续走强。利多：成熟制程产品供应永久性削减，而产业资源向高端应用倾斜，加剧了特定领域和整体内存市场的供应紧张与成本压力。