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南亚科宣布投资3466亿新台币扩建Fab5A生产10nm级EUV DRAM，7月营收随之月增49.3%且同比暴涨逾7倍。利多，短期需求强劲推升营收，长期产能扩张将影响未来供应格局。
南亚科宣布投资3466亿新台币扩建Fab5A生产10nm级EUV DRAM，7月营收随之月增49.3%且同比暴涨逾7倍。利多，短期需求强劲推升营收，长期产能扩张将影响未来供应格局。
DRAMDDR4Nanya Technology南亚科宣布2026-2029年投入高达3466亿新台币扩建Fab 5A，并上调2026年资本支出34%。该项目将采用EUV技术生产10nm级DRAM，且长协订单已覆盖50%产能。利空：大规模扩产将增加未来供应，对DRAM价格构成压力。
南亚科宣布2026-2029年投入高达3466亿新台币扩建Fab 5A，并上调2026年资本支出34%。该项目将采用EUV技术生产10nm级DRAM，且长协订单已覆盖50%产能。利空：大规模扩产将增加未来供应，对DRAM价格构成压力。
DRAMDDR4DDR5Nanya Technology台积电PIC产能将从500片/月激增至2028年的25,000片/月。随着AI服务器带宽需求提升，英伟达、博通等大厂将率先采用COUPE平台。利多，CPO技术加速商业化，带动光学引擎及测试设备需求。
台积电PIC产能将从500片/月激增至2028年的25,000片/月。随着AI服务器带宽需求提升，英伟达、博通等大厂将率先采用COUPE平台。利多，CPO技术加速商业化，带动光学引擎及测试设备需求。
PICCPOOptical enginesTSMCNVIDIA美光Fab 6开始投产1α nm制程LPDDR4与DDR4，重心转向LPDDR4。TrendForce分析指出，此举仅为内部产能配置调整，非重启消费性DDR4供给。利空，确认DDR4供给短缺格局持续，消费级DDR4无扩产计划。
美光Fab 6开始投产1α nm制程LPDDR4与DDR4，重心转向LPDDR4。TrendForce分析指出，此举仅为内部产能配置调整，非重启消费性DDR4供给。利空，确认DDR4供给短缺格局持续，消费级DDR4无扩产计划。
DDR4LPDDR4Micron美光宣布启动弗吉尼亚州1α工艺DRAM生产，预计年内量产。该基地DDR4产能将增至当前四倍，以保障汽车、国防等利基市场供给。利空。大规模扩产将增加DDR4供应，可能压制现货价格。
美光宣布启动弗吉尼亚州1α工艺DRAM生产，预计年内量产。该基地DDR4产能将增至当前四倍，以保障汽车、国防等利基市场供给。利空。大规模扩产将增加DDR4供应，可能压制现货价格。
DDR4LPDDR4DRAMMicron Technology美光在弗吉尼亚工厂启动1α DRAM工艺量产。该工艺为美国最先进内存技术，主要应用于DDR4和LP4产品。利多美光长期产能布局，但短期对现货价格影响中性。
美光在弗吉尼亚工厂启动1α DRAM工艺量产。该工艺为美国最先进内存技术，主要应用于DDR4和LP4产品。利多美光长期产能布局，但短期对现货价格影响中性。
DRAMDDR4LP4Micron Technology美光科技ASML计划2026年出货超60台EUV光刻机，较2025年增长25%，其中51%用于内存生产。此扩张由SK海力士和三星等内存制造商对HBM及DDR技术的强劲需求驱动，以满足全球AI数据中心需求。利多：EUV产能扩张印证先进内存需求持续强劲，对HBM/DDR等组件价格构成支撑。
ASML计划2026年出货超60台EUV光刻机，较2025年增长25%，其中51%用于内存生产。此扩张由SK海力士和三星等内存制造商对HBM及DDR技术的强劲需求驱动，以满足全球AI数据中心需求。利多：EUV产能扩张印证先进内存需求持续强劲，对HBM/DDR等组件价格构成支撑。
HBM3HBM4GDDR6SK hynixSamsung Electronics华为正加速昇腾AI芯片生产，TSMC据报持续进行晶圆库生产，但HBM被确认为2025年的关键瓶颈。这凸显了在美国出口管制下，中国对计算主权的追求，涉及CXMT、中芯国际等本土企业。关注：HBM供应紧张与华为芯片产能爬坡的博弈。
华为正加速昇腾AI芯片生产，TSMC据报持续进行晶圆库生产，但HBM被确认为2025年的关键瓶颈。这凸显了在美国出口管制下，中国对计算主权的追求，涉及CXMT、中芯国际等本土企业。关注：HBM供应紧张与华为芯片产能爬坡的博弈。
HBMAI AcceleratorHuaweiTSMC已到底