台湾厂商Global PMX在越南新建工厂，扩大AI服务器与半导体设备组件产能。此举旨在切入AI与高价值芯片等非汽车领域的增长市场。利空：关键组件供应能力提升，可能缓解潜在瓶颈并对价格构成下行压力。

纬创宣布将投资新台币18.2亿元扩建新竹厂区，以提升AI服务器产能。此举旨在应对日益增长的AI算力需求。利空，产能扩张计划可能缓解供应紧张，压制价格上行空间。

英业达计划将2026年资本支出翻倍，以应对AI服务器订单增长，投资包括北美子公司注资、德州购地及墨西哥新厂。此举为直接响应AI基础设施客户订单增加。利空：AI服务器关键部件（如电源与散热模组）的制造产能增加，可能缓解供应紧张，并对中期相关组件价格构成下行压力。

特斯拉正与三星谈判，计划将其AI6芯片的月产能从1.6万片晶圆提升至约4万片，新增约2.4万片。此举源于特斯拉今年将资本支出翻倍至超200亿美元，以加速自动驾驶、人形机器人和数据中心AI基础设施建设。利多：此举为三星2nm先进制程带来长期、大规模的新增需求，可能挤占其他客户产能并支撑代工价格。

SK海力士董事会批准追加21.6万亿韩元投资，以在2030年前完成龙仁第一工厂建设，并将首间无尘室投产时间提前至2027年2月。此举是三大存储巨头为满足AI/HBM需求而展开的新一轮资本开支竞赛。利空：大规模产能扩张虽为长期计划，但预示未来供应增加，若需求增长不及预期，将对内存价格构成下行压力。

松下工业将追加投资75亿日元，在广州工厂新增一条Megtron多层电路板材料生产线，预计2027年4月试产。此举旨在应对AI服务器需求，并计划未来五年内将Megtron系列全球总产能提升至目前两倍。利空：针对AI服务器关键材料的长期产能扩张计划，预示未来供应增加，对远期价格构成下行压力。

台电预计至2030年半导体与AI数据中心扩张将带来超5GW新增电力需求，年均增长约1GW。此增长源于晶圆代工、存储、先进封装及服务器产业的持续扩产，年均增速为过去十年两倍以上。利多：电力成为长期产能关键制约，预示先进制程芯片需求结构性强劲，并可能推高生产成本。

神基控股公布2025年营收达新台币1055.8亿元，每股盈余5.15元，并宣布扩大美国服务器产能。此举旨在应对数据中心需求，目标于2026年实现增长。中性：产能扩张为长期供应面因素，对当前组件价格无直接影响。

特斯拉正与三星谈判，拟将AI6芯片月投片量增至4万片，可能提升其价值170亿美元的现有合同总额。此举源于特斯拉的供应链多元化策略，该芯片将用于自动驾驶、Optimus机器人及数据中心。利多：此举预示三星2nm先进制程产能将获长期、大规模需求锁定，可能加剧其他客户在该节点的产能竞争。

Wolfspeed、英飞凌和意法半导体均计划在2026年提升200mm SiC晶圆产能，其中意法在华合资项目瞄准年产48万片8英寸晶圆。此轮扩产正值电动汽车需求短期疲软，但AI数据中心需求成为新增长点。利空：多家头部厂商同步扩产，将增加未来SiC晶圆及功率器件的供应压力。

三星将于3月永久关停华城12号产线（月产能8-10万片），并将其改造为1c DRAM后段制程产线。此举旨在将传统平面NAND产能转向先进制程，以提升用于HBM4及服务器的1c DRAM产量。关注：传统NAND供应减少被中国工厂增产抵消，1c DRAM产能提升或缓解HBM生产瓶颈。

三星将于3月停产华城Line 12的最后一条2D NAND产线（月产能8-10万片），转为1C DRAM后道制程。此举旨在缓解DRAM生产瓶颈，并将NAND产能缩减部分转移至西安工厂升级。利多：削减成熟NAND晶圆供应，可能加剧特定产品短缺，同时行业资源加速向先进DRAM倾斜。

苹果宣布在休斯顿启动Mac mini生产并扩大AI服务器制造，作为其6000亿美元美国投资计划的一部分。此举得到上游供应链投资的支撑，包括GlobalWafers在德州的40亿美元硅片厂和Amkor在亚利桑那州的70亿美元先进封测厂。关注：这标志着对逻辑芯片和先进封装的长期、多层级的本土化推进，可能改变区域供应格局，但无直接价格影响。

中国超大规模AI数据中心扩张推动光模块和MLCC需求在春节后持续走强，现有产能面临压力。此轮建设是支持AI算力需求的广泛基础设施投资的一部分。利多：关键被动与互联元件需求持续强劲，预示供应可能趋紧并支撑价格。

苹果宣布将在休斯顿启动Mac mini美国制造并扩大AI服务器产能，这是其6000亿美元对美投资承诺的一部分。该计划已从12个州的24家工厂采购超200亿颗芯片，并带动环球晶圆、艾克尔等上游材料与封装项目落地。利多：关注美国本土AI服务器及先进封装产能的长期结构性变化，可能影响相关供应链分配。

三星半导体设定50%营业利润率战略目标，将资源向利润率超50%的优势产品倾斜。为实现目标，其计划将1c nm DRAM前期产能更多分配至服务器通用内存而非HBM4，并加速NAND制程升级。关注：此举可能导致部分通用存储芯片供应趋紧，而高端HBM4产能扩张节奏放缓，对不同产品线价格产生分化影响。