NuAxi半导体贸易情报
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三星改造8万片NAND产能转产HBM4 DRAM
三星计划将华城Line 12工厂(月产能8-10万片12英寸晶圆)从2D NAND产线改造为用于HBM4的1c DRAM产线。此举旨在将老旧产能转向满足AI驱动的高带宽内存需求。利多:此举将永久削减2D NAND供应,同时增加HBM4/DRAM产能,对2D NAND价格构成支撑,并缓解HBM供应紧张。
HBM4DRAM2D NAND Flash
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来源:TechPowerUp · 2026/2/25 · 查看原始来源
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