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长鑫科技第三季度业绩交流会：基于4F²架构的第六代工艺技术平台DRAM完成工程样片验证，年底拟推4F² DDR5 RDIMM
发生了什么
长鑫科技在第三季度业绩交流会中表示，在4F²垂直沟道DRAM架构取得关键突破的基础之上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证，这是长鑫首次宣布第六代工艺技术平台是基于4F²架构。按产业实践，工程样片验证完成意味着该平台核心性能指标已在真实晶圆上达到设计预期，在客户端完成验证后可进入规模量产阶段（客户端验证尚未完成，量产尚未实现）。此前长鑫在公开演讲中表示，预计年底将面向应用难度最高的领域之一——服务器领域，推出融合4F²先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。文章背景称，长鑫在4F²工程化推进上处于全球前列，三星、SK海力士均已将4F²列为10nm级以下的关键方向；如后续进展顺利，长鑫有望成为全球首个落地4F²的企业。原文未说明原因对本事件作因果解释（属技术进展类事件）。
影响与信号
中影响影响力评分：30/100
受影响器件与厂商
DRAMDDR5 RDIMM
长鑫科技
4F²架构第六代工艺技术平台工程样片验证VSG垂直包围栅3D DRAM服务器
来源与时间
来源：cnBeta · 2026/10/31 · 查看原始来源
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