美ITC裁定英诺赛克侵犯英飞凌GaN专利

美国ITC初步裁定英诺赛克侵犯英飞凌一项GaN技术专利（US 9,899,481）。该裁决是两家GaN功率芯片制造商之间法律纠纷的一部分。关注：该初步裁决为英诺赛克GaN产品在美国市场的供应链带来潜在中断风险，最终裁决及可能的进口限制将决定实际影响。

来源：Semiconductor Today · 2025/12/3 · 查看原始来源