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NEO半导体3D DRAM POC验证通过，HBM容量提升8倍
NEO半导体成功验证3D X-DRAM POC，利用3D NAND工艺实现HBM容量提升8倍至1.5TB。该技术旨在解决当前HBM供需紧张及高成本问题。关注：POC验证成功表明3D NAND基础设施可用于制造下一代DRAM，但商业化落地尚需时日。
HBM3D DRAMDRAM
R&DHBM3D NANDPOC
2026/4/27
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