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ITC裁定英诺赛科侵犯EPC GaN专利
美国ITC确认英诺赛科侵犯宜普电源转换公司的核心GaN专利。该专利涉及用于快充、AI及汽车应用的GaN-on-Si技术。关注：裁决可能导致英诺赛科相关GaN产品供应受限，影响市场供需格局。
GaN FETsGaN Power ICs
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来源：Semiconductor Today · 2024/11/11 · 查看原始来源
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