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三星退出2D NAND制造，华城12号线转产DRAM
三星电子将停止华城12号产线的2D NAND闪存生产，并将其转换为1c DRAM后端工厂，正式退出平面NAND制造。此举旨在将产能重新分配至先进DRAM制程，并削减传统NAND供应。利多：2D NAND产能永久退出直接削减供应，对平面NAND产品价格构成上行压力。
2D NAND FlashDRAM
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来源：DigiTimes Asia · 2026/2/25 · 查看原始来源
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